鉻
、金熱蒸鍍
矽晶片切割
3-2-1 PC 板基板製作流程 (一) PC 板清洗
我們所用的 PC 板為 1mm 厚，銅箔厚度為 17µm，其餘厚度為 壓克力板。將 PC 板用刀片切成 4 cm × 4 cm ，用去離子水沖洗約兩 分鐘，之後以氮氣槍吹乾。
(二) 黃光微影
此部分同上一節黃光微影的部分。
(三) 銅 濕蝕刻
將已硬烤完的 sample 置於氯化鐵(FeCl3)溶液中，直到銅被蝕 刻完畢，露出壓克力的顏色為止，過程約四分鐘。
(四) PC 板切割
將已蝕刻完畢的 sample 置於切割機中以軟刀沿著切割線切 割。
(五) LED 粘著
在 PC 板上塗上一層銀膠，並將 LED 粘著在 PC 板上面，之後 將 sample 置於 Hot plate 上，溫度為 140℃，烤 40 分鐘。
(六) 電極打線
利用金線打線機，將 LED 的正負極分別接到 PC 板兩端的銅 箔。
3-2-2 矽基板製作流程
(一) 矽晶片切割，(二) 矽晶片清洗，(三) 成長 Thermal oxide 的部分 同此章第一節的部分。
(四) 鉻、金熱蒸鍍
用熱蒸鍍機(Thermal coater)將鉻(Cr)以 0.3 Å/sec 的速率蒸鍍到 成長好 Thermal oxide 的 sample 上，蒸鍍厚度為 300 Å，之後在不破 壞真空的情況下，接著蒸鍍金(Au)，蒸鍍速率為 0.4 Å/sec
厚度為 3000 Å。
(五) 黃光微影
此部分同第一節黃光微影的部分。
(六) 鉻、金濕蝕刻
首先，先調配金的蝕刻液，碘化鉀與碘的混和溶液。取出固 體碘化鉀 8 克，接著倒入固體碘 2 克，之後倒入去離子水 80 ml。將 硬烤完的 sample 置於調好得蝕刻液中，直到金被蝕刻完畢，蝕刻速 率為 48 Å /sec，蝕刻時間為 1 分 20 秒。之後將 sample 以去離子水清 洗乾淨後，將之置於 Cr 7T 的溶液中繼續進行 Cr 蝕刻，蝕刻速率為 35 Å /sec，蝕刻時間為 10 秒。
(七) 矽基板切割，(八) LED 粘著，(九)電極打線，同 3-2-1 的部分。
【1】清洗矽晶片
【7】光阻去除
3-3 點光源與線光源之封裝
在本節中，我們將詳細討論點光源與線光源的封裝形式，所 使用的 LED 種類，V 槽的開口設計，與元件的實際圖片。
3-3-1 點光源封裝
在點光源的元件製作中，我們所使用的是三吋矽晶片，厚度 為 395µm，並切成 2.7mm × 2.7mm 的大小；而我們所使用的發光二 極體為 Toyoda Gosei 的 E1c96 Series 的 LED (E1c96-OB0F1-A0)，
長寬為 250µm × 250µm，厚度為 100µm，藍光，波長為 470 nm，DC forward current 為 20 mA，最低驅動電壓為 2.8 V，最低亮度 30 mcd。
圖 3-10 點光源所使用的 LED
而在光罩設計中，LED 的邊長為 250µm，電路的銅箔寬度設 計為 100µm，正負即各一條，再加上 140µm 的緩衝空間，減低封裝 的難易度，我們 V 型槽底端開口為 590µm × 590µm，V 型槽高度為 395µm，夾角為 54.74 o，於是上端開口為 1150µm × 1150µm。
之後，相繼完成矽 V 型槽與基板的製作後，我們利用點膠機 LOCTAI DS-9000 將 UV 膠點至 V 型槽與基板的接合處，之後在顯微鏡底下，
確認 LED 位於 V 型槽中央後，用 UV 光照射元件一分鐘，便可完成 元件的製作。
圖 3-11 V 槽底端開口設計
Cu
Cu
Cu
PC Board
圖 3-12 V 槽頂端開口設計
圖 3-13 左為 V 型槽蝕刻後的矽晶片；右為切割後的元件
圖 3-15 矽 V 型槽與 LED 打線圖
圖 3-16 點光源元件圖