於構裝雷射模組前，我們利用雷射銲接系統中之自動對準功能，
使光纖頭端之位置，能夠在自動對準之後，固定在其與雷射之最佳耦 光對準位置；而在對準過程中，如圖 4.25 所示，能夠從雷射銲接系 統中之電腦，取得光纖 X、Y 方向位移時雷射之耦光功率圖 (Z 方向 固定)。
為了探討四組雷射模組之對準偏移量的準確性，我們由光纖 X、
Y 方向位移時與雷射之耦光功率關係圖(如圖 4.25)，求得 Z 方向固 定，光纖 X、Y 方向位移與雷射之耦光功率三者之關係所組成之高斯 曲面函數，再將此函數繪成光纖 X、Y 方向位移與耦光功率所構成的 高斯曲面，其方法如下:
首先假設雷射 Z 方向的位移不影響耦光功率的值，因此可以設光 纖 X、Y 方向位移與耦光功率三者之關係所構成之高斯曲面函數為:
P=C0 e-(C1X2+C2Y2) (4.9) 其中 P 為功率，X 為 X 方向位移，Y 為 Y 方向位移， 、 及 為 常數[12]。接著將 X、Y 方向位移與耦光功率關係圖中之最高點，以 及兩條曲線各取任意一點對應之座標值共三點，帶入式(4.9)中，即能 求得此高斯曲線之係數 、 及 ；此外將此高斯函數利用 Matlab 軟體，可以繪出此函數之光纖 X、Y 方向位移與功率所構成的高斯曲 面(如圖 4.26)。
C0 C1 C2
C0 C1 C2
最後將實驗量得之銲後及補償後光纖頭端之 X 與 Y 方向位移量 分別帶入式(4.9)中，即能夠求得其所對應理論之耦光功率(P)，將理論 值與實驗中銲後及補償後量得之耦光功率做比較，即能夠初步判斷量 得之量測實驗結果是否相符。
圖 4.25 為模組一之光纖 X、Y 平面位移與雷射之耦光功率圖，
將最高點座標與兩條曲線之任意兩點座標帶入，能求得其對應之高斯 函數:
P=720e-0.027(X2+Y2) (4-10) 將模組一之光纖頭端銲後 X、Y 偏移量帶入式(4-10)中，可得到
理論功率值為 21.16μW，而實際銲後之耦光功率為 30μW；接著將補 償後 X、Y 偏移量帶入式(4-10)可得到理論值為 539μW，而實際補償 後之耦光功率為 520μW。圖 4.26 為將式(4.10)繪成三維之高斯曲面 圖。
Displacement of fiber in X and Y-axis (μm)
Power (μw)
圖 4.25 模組一之光纖 X、Y 方向位移與雷射之耦光功率圖
X-axis (μm) Y-axis (μm)
Power (μw)
圖 4.26 模組一之光纖 X、Y 方向位移與耦光功率所構成的高斯曲面
圖 4.27 為模組二光纖 X、Y 平面位移之雷射耦光功率圖，利用 同樣的方法，能夠求得其對應之高斯函數:
P=1070e-0.052(X2+Y2) (4-11) 將模組二之光纖頭端銲後 X、Y 偏移量帶入式(4-11)，中可得到 理論功率值為 484μW，而實際銲後量得之耦光功率為 400μW；接著 補 償 後 所 得 之 理 論 值 與 量 得 之 耦 光 功 率 ， 分 別 為 840μW 以 及 800μW。圖 4.28 為將式(4.11)繪成三維之高斯曲面圖。
圖 4.27 模組二之光纖 X、Y 方向位移與雷射之耦光功率圖 Displacement of fiber in X and Y-axis (μm)
Power (μw)
Y-axis (μm) X-axis (μm)
Power (μw)
圖 4.28 模組二之光纖 X、Y 方向位移與耦光功率所構成的高斯曲面
圖 4.29 為模組三之光纖 X、Y 平面位移之耦光功率圖，其高斯 函數為 :
P=1020e-0.049(X2+Y2) (4-12) 將模組三之光纖頭端銲後 X、Y 偏移量帶入式(4-12)，可求得對 應 之 理 論 功 率 值 為 395μW ， 而 其 實 際 銲 後 量 得 之 耦 光 功 率 為 310μW；接著補償後所得之理論值與量得之耦光功率，分別為 718μW 以及 750μW。圖 4.30 為將式(4.12)繪成三維之高斯曲面圖。
Power (μw)
Displacement of fiber in X and Y-axis (μm)
圖 4.29 模組三之光纖 X、Y 平面位移與雷射之耦光功率圖
Y-axis (μm) X-axis (μm)
Power (μw)
圖 4.30 模組三之光纖 X、Y 方向位移與耦光功率所構成的高斯曲面
圖 4.31 為模組四之光纖 X、Y 平面位移與雷射之耦光功率圖，
其高斯函數為:
P=1050e-0.051(X2+Y2) (4-13) 將模組四之光纖頭端銲後 X、Y 偏移量帶入式(4-13)，可求得對 應之理論功率值為 410μW，與其實際銲後量得之耦光功率同為 410μW；接著補償後所得之理論值與量得之耦光功率，分別為 794μW 以及 830μW。圖 4.32 為將式(4.13)繪成三維之高斯曲面圖。
Power (μw)
Displacement of fiber in X and Y-axis (μm) 圖 4.31 模組四之光纖 X、Y 平面位移與雷射之耦光功率圖
X-axis (μm) Y-axis (μm)
Power (μw)
圖 4.32 模組四之光纖 X、Y 方向位移與耦光功率所構成的高斯曲面
最後將所有模組光纖頭端位移量，代入由光纖 X、Y 平面位移與 雷射之耦光功率圖對應之高斯函數後，所對應之理論功率值與實驗中
量得之耦光功率做比較，如圖 4.33 所示。
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0 1 2 3 4 5
Module number
補償後位移量帶入高斯函數後之理論功 率值補償後量測得之功率
銲後位移量帶入高斯函數後之理論功率 值銲後量測得之功率
Power (μw)
圖 4.33 銲後及補償後之功率 P 值與量得之耦光功率比較
由圖 4.33 可以得知，所有模組銲後及補償後的理論功率值與量 得之耦光功率值之趨勢接近。