由於科技的進步與節約能源意識逐漸受到重視，現今電子產品正 走向輕薄短小、元件功能增加、I/O 接點腳數亦增加發展之趨勢，以 銅導線為基礎的傳統架構無法已滿足電性上的要求且面積太大，而且 打線技術縮小線距會讓耦合或串音（Crosstalk）情形更為嚴重（圖 1-14），故打線技術只適用於低階或低單價的產品，為避免如同打線 技術之缺點，因此才有覆晶鍵合技術之產生。覆晶鍵合技術的起源自 1969 年，由 IBM 應用在 system/360 之 4C（Controlled collapse chip connection）的銲錫技術中，日本IBM 首先採用塑膠基板取代過去所 用的陶瓷基板，這重大的材料突破讓覆晶封裝推進一大步，開啟了覆 晶 鍵 合 技 術 的 概 念 進 而 從 國 防 通 訊 特 殊 領 域 拓 展 到 科 技 產 業 之 CPU、晶片組部分。此一技術的發展，主要是基於結構和功能因素的 考量，因為許多高階、高速電子產品，皆需同時具備高I/O 接點腳數、
良好的電器性能、高度可靠度、有效的熱傳導、低廉的成本、輕巧型 體積等條件。覆晶鍵合技術（圖1-15）是一種將元件翻轉後，以面朝 下的方式與承載基板上的銲錫凸塊進行高溫加熱結合的技術。元件與 承載基板間形狀與位置都必須要匹配，這樣才能將元件上的金屬墊與 承載基板的銲錫凸塊做精準的接合。
Wire
Bumps
High Power Chip
Flip Chip Technology For High Power Chip 圖1-14 利用銅導線的打線技術
圖 1-15 利用凸塊的覆晶鍵合技術
覆晶鍵合技術與傳統打線方式有結構上的變革，最大不同在於傳 統打線採用銅線，當作與導線架的連接導線；覆晶鍵合技術則是採用 銲錫凸塊當作與承載基板的連接點。因此，採用覆晶鍵合技術不僅可 明顯縮小積體電路（Integrated circuit，IC）尺寸以符合行動資訊產品 對高密度積體空間的需求，而且在電器特性規格上，也因 IC 可以最 短的電路路徑，透過凸塊直接與電路板連結，故可大幅提昇資料傳輸 速 度 ， 並 且 有 效 降 低 雜 訊 干 擾 機 率 。 覆 晶 鍵 合 技 術 是 以 凸 塊
要中介層（Interposer）、填充物（Under-fill）與導線架，並省略黏晶、
打線等製程，充分地滿足兼顧成本考量與精巧型設計導向的晶片封裝 需求。關於承載基板的選擇，因覆晶鍵合技術其一目的是想有效地降 低元件運作在高功率時衍生的熱效應問題，因此承載基板之熱導係數 即成為首要考量因素，常見基板之熱導係數如下表所示。由上述考 量，本次實驗我們採用氮化鋁（AlN）基板來製作被動電路。
表1-2 各式基板材料的熱導係數 Material Thermal conducivity [W/m.K]
GaN 160 Sapphire 35
SiC 400 Au 310 AlN 180 Solder bumps 50