PDMS 以灌注的方法來完成翻膜，製成 PDMS 微流道與壓縮微結構;最後，
PDMS 與電極的玻璃基材封裝成 EDEP 晶片。EDEP 晶片製作方式如下所述：
3.2.1 矽晶片清洗 矽晶片清洗 矽晶片清洗 矽晶片清洗
晶片清洗目的主要是除去粉塵微粒、金屬離子和有機物污染。本研究所使 用之 PDMS 微結構母模是以矽晶圓作為基板，矽基板在塗佈光阻時，其晶片 的清洗往往可以決定光阻在塗佈的均勻性，與 PDMS 母模完成時的平整性。
故採用矽晶片製程常用的 RCA 工業標準清洗步驟，此清洗步驟為 1965 年由 Werner Kern 發展出來。其步驟如下所述：
1. 有機污染清洗：調配 H2O:H2O2:NH4OH(體積比 5:1:1)之混合溶液來移除有 機物質。
2. 氧化層清洗：調配 H2O：HF(體積比 50:1)之混合溶液來移除表面沈積氧化 層。
3. 金屬離子清洗：調配 H2O：H2O2：HCl(體積比 6:1:1)之混合溶液來移除離 子和重金屬離子污染物。
3.2.2 玻璃基板清洗 玻璃基板清洗 玻璃基板清洗 玻璃基板清洗
EDEP 晶片的電極，是以電子束蒸鍍的方式在玻璃基板上製作電極，因此 玻璃基材的清洗決定金屬電極蒸鍍時與玻璃基板的附著性。本研究所使用之 玻璃基板為顯微鏡之載玻片，玻璃基板清洗主要也是要去除玻璃基板上的粉 塵微粒、金屬離子和有機物之污染。其清洗步驟流程如下：
1.首先先將載玻片以丙酮沖洗以去除粉成及油汙，沖洗後再以去離子水沖 淨載玻片上之丙酮，再以氮氣槍吹乾。
2.將載玻片放置在熱墊板上，以 100℃烘乾載玻片。
（Positive PR）與負光阻（Negative PR）兩種，此二種光阻之性質與功能各 不相同，所以能視其所需的製程來選擇適當的光阻來應用，本研究之製程所
學性質等特性，故能在標準黃光製程中製作出高深寬比（High-aspect-ratio, HAR）之微米結構，非常適合作為 PDMS 複製模造之母模。在微流體應用中，
常用來定義微流體流道，使得流道能具較大之截面積而減少流阻，也可減少 晶片上配置流道之空間，因此 SU8 負光阻在微機電系統與生醫光電等應用領 域備受重視。
(1) 旋轉塗佈光阻 旋轉塗佈光阻 旋轉塗佈光阻 旋轉塗佈光阻 (Spin-Coating)
旋轉塗佈機主要功能為將光阻塗佈在矽晶圓上。光阻塗佈厚度取決於幾 個要素：光阻之黏滯係數、旋轉塗佈之轉速與旋轉塗佈時之旋轉圈數。光阻 塗佈前須注意光阻上有無氣泡殘留，氣泡會破壞母模的精度與完整性。本實 驗所設計之EDEP晶片其微流道深度為500µm ，我們藉由設定轉速與時間來 控制SU-8光阻的厚度與均勻性。塗佈光阻時分為三階段，第一階段使用低轉 速將光阻均勻分佈在晶片表面上，第二階段為高轉速主要是將晶片表面上之 光阻調整至所需的厚度，第三階段維持高轉速持續一段時間，此階段是因為 雖然SU-8光阻劑會因旋轉產生之離心力而變薄，但因為SU-8光阻劑是具有黏 滯性的材質旋轉時，會產生表面張力而聚集在晶片邊。當靜止平放時，周圍 突起光阻劑，會回流回中心，如此一來結構厚度就非原本設計好之厚度，故 需高速旋轉持續一段時間，將聚集在晶片邊光阻靠離心力甩出， 盡可能減少 回流產生的誤差。
(2) 軟烤 軟烤 軟烤 軟烤 (Soft Bake)
光阻塗佈完成後將晶片放置在熱墊板上作軟烤處理，軟烤的目的在於揮 發光阻中的有機溶劑與避免曝光時與光罩沾黏，也可使光阻平坦化並增加光
阻與矽基板的附著力。若軟烤的溫度與時間不足導致有機溶劑殘留過多會造 成圖形解析度下降。若時間過長或溫度過高而過度烘烤，會使光阻對光的敏 感度下降較不容易顯影。
(3) 曝光 曝光 曝光 曝光 (Exposure)
微影技術（Lithography technology）依照光源的不同可區分為三種方式：
紫外光光學微影（UV lithography）、電子束微影（E-beam lithography）、X 光 微影（X-ray lithography），此三種微影方式對不同正、負光阻有不同的感光度。
本實驗是使用一般黃光微影製程的光源，為低壓及高壓汞燈或汞-氙 (Hg-Xe)弧燈，這兩種光源在紫外光波長範圍(350~450nm)有兩條高強度之發 射光譜線，即為 g-line(436nm)與 i-line(365nm)。光阻曝光的目的，主要是讓 光阻產生鏈結或斷鏈，因此受光照部份和沒受光照部份，對顯影液的溶解度 產生極大的差異，而達到圖形轉移的目的。曝光前須先使用照度計(Power Meter)量測曝光機曝光功率（mW/ cm2）來計算光阻曝光所需的時間。
曝光時間之理論公式如下：
曝光劑量（mJ/cm
2）＝曝光功率（mW/ cm
2）× 曝光時間（sec）
本實驗製作晶片時時將理論曝光時間延長 10％，以確保有足夠的曝光劑 量，可觀察顯影過後之圖形線寬大小，來判斷曝光劑量是否足夠，由於本實 驗晶片製作時包含掀去製程，所以稍微延長曝光時間對於圖形定義能更確 定，使掀去製程能更加的順利。
(4) 曝後烤 曝後烤 曝後烤 曝後烤 (Post-Exposure Bake)
當曝光進行時，部分沒有被光阻吸收的光，將透過光阻到達基板的表面，
由基板表面反射的光與入射的光波產生建設性及破壞性干涉，而形成駐波效 應（Standing wave effect）。這將使得光阻層接受曝光的強度不均勻，所以經 過顯影後，光阻的側面將成為波紋狀，導致光阻線寬改變，而影響後續的製 程。曝光後烘烤可以使曝光過的光阻結構重新排列，以使駐波的現象減輕。
(5) 顯影 顯影 顯影 顯影 (Development)
光阻曝光後將晶片置入超音波清洗機進行顯影，曝光區與非曝光區對顯 影液溶解度不同，我們利用此一特性進行晶片顯影。以 SU-8 負光阻為例因曝 光區曝光後產生鍵結，而未曝光區經酸性顯影液沖洗而溶解，故負光阻被存 留下來是為被紫外光照射的部份，所以得到與光罩上相反之圖形。
SU-8 所採用的顯影液為乙酸乙二醇丁醚酯(propyleneglycol monomethyl ether acetate, PGMEA)。將晶片與酸性顯影溶液在超音波震盪器中進行震盪顯 影，震盪顯影時會產生氣泡，此現象是觀測顯影是否完成的最好判別方式，
當氣泡幾乎消失時，就是顯影將完成的時候。使用光學顯微鏡來辨別與檢視 顯影是否真正完成，顯完影後，使用丙酮沖洗晶片以沖洗晶片 SU-8 上顯影溶 液，並阻斷顯影溶液繼續顯影，再用異丙醇沖洗掉晶片上的丙酮，最後用去 離子水反覆洗淨，最後用用氮氣將晶片吹乾。