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二、 光通訊網路與光收發模組

2.4 光收發次模組 OSA (Optical Sub-assembly)

2.5.6 Z 軸調整環

如圖 2-20,主要目的為提供光纖跳線(或金屬連接座)與本體間的聯接 固定,Z 軸調整環提供了光學 Z 軸上的自由度,與 XY 軸平面的耦光平面,

當在空間上找到適當的耦光位置後,開始進行在本體與光纖跳線的雷射 銲接固定。

Z 軸調整環

光纖跳線

圖 2-1 光通訊產業/產品結構圖

圖 2-2 被動光網路架構圖

圖 2-3:EPON 網路架構

圖 2-4 光收發模組架構圖

圖 2-5 光電訊號轉換模組方塊圖

圖 2-6 光收發模組組合圖

圖 2-7 光主動元件製程圖

圖 2-8 光發射端 TO56 封裝

圖 2-9 TO56 圖 2-10 光發射次模組(TOSA)

圖 2-11 光接收端 TO46 封裝

圖 2-12 TO46 圖 2-13 光接收次模組(ROSA)

圖 2-14 光纖插座式 BOSA 外觀圖 圖 2-15 跳線式 BOSA 外觀圖

圖2-16 Laser的材料選擇

圖 2-17 0°濾波片 圖 2-18 45°濾波片

圖2-19 BOSA MIM不鏽鋼本體 圖2-20 光纖跳線與Z軸環

第三章 雙工次模組封裝與測試

3-1-4 光衰減器(Optical Attenuator)

選用Agilent公司產品之8156A型號,如圖3-6。光衰減器是能對光功

率進行一定量衰減的器件。波長範圍1200-1650nm 光纖類型衰減範圍 60dB 分辨率0.001dB重複性(典型值 ±0.005dB) 轉換時間 20-400ms 最大輸入功率+23dBm。

3-1-5 光功率計(Power Meter)

選用Anristu產品之5P200型號,如圖3-7。在光纖系統中,測量光功 率是最基本的,用於測量絕對光功率或透過一段光纖的光功率相對損 耗,透過測量發射端連接受測端來達到功率的量測。

3-1-6 UV紫外光照射器

選用HAMAMATS公司產品之Lightningcure 200型號,如圖3-8。主要 提供 UV 紫外光照射,作為 UV 膠點膠製程固化用途。

(一) 45°濾波片(45°Filter)上膠作業

使用設備:鑷子、353ND 膠、10倍顯微鏡。

3.用剪斷的棉花棒在 Filter 的正中央向下輕壓一下,以使Filter 貼 平(如圖3-14)。

4.將整個黏好 Filter 的Boay放在定時恆溫烤箱(如圖3-15)中,烘烤 110°C/0.5 小時。

5.烤完必須在10倍顯微鏡下檢查 Filter 是否有翹起,以及有明顯髒汙 或沾膠(如圖3-16,圖3-17,圖3-18),如有髒污,則用棉花棒沾酒精

Filter 放入凹槽內(如圖3-20)。

3.用剪斷的棉花棒在 Filter 的正中央向下輕壓一下,以使Filter 貼 平(如圖3-21)開槽。

4.將整個黏好 Filter 的不鏽鋼本體放在烤箱中,烘烤 110°C/ 0.5 小

使用設備:自動化雷射焊接平台、Power meter、Current Source、測 試線、Socket。

1.先把 Power Supply 的 output 電源關掉, 再將Body 上的 LD 插上 Socket 電源線。Power Supply 設定:電壓為 3.3V;電流為30ma(如 圖3-29)。

2.先將Body(PT孔位方向朝)裝入自動耦光下治具中(如圖3-30),再 將 Body 往下壓緊,最後轉動螺絲鎖緊固定(如圖3-31)。

3.Pigtail 插入自動耦光下治具中,然後將SUS Ferrule的向入耦光上

治具中,打開氣動開關上固定鎖緊 (如圖3-32)

4.觀察監控畫面(如圖3-33)),讓上治具緩緩降下,把 Power Supply 的 output 電源打開, 並開始程式化耦光。若Power 值未能達到標準1.2mw 以上時,則鬆開 Pigtail旋轉90°依序 180°、270°以最大的Power值時,

程式儲存該相對位置的位置。

5.拉高上治具,將 Z 軸套圈套入金屬Ferrule後,呼叫出前一步驟所紀 錄的相對位置,使Z軸(如圖3-34) 回到光功率最大的位置。 1.2mw以上之規範後,再取出發射端之Pigtail BOSA半成品。

3-2-3 檢光二極體TO46封裝作業:

使用設備:示波器 100M、Power Supply、光源、耦光 治具、衰減器、

測試線

1. 將TO46的接地腳對準 SOCKET的孔位插到底部,確認貼平、無縫隙。

然後用擦拭紙沾酒精清潔TO46上的Ball Lens(如圖3-40)。

2.將Pigtail半成品置入另一頭的卡溝治具固定(如圖3-41)

3.打開 Power Supply 的電源(如圖3-42),然後開始耦光調整到最佳 值(調整波形接觸到基準線)(如圖3-43)。

使用設備:誤碼儀、Power Supply、光源組、測試板、可調式衰減器、測 試線、光功率計。

1.先將可調式光衰減器的輸出與光功率計作衰減值的校正。

2.將光收發次模組之接收端TO46的金屬腳位插入測試機板中,並將 Pigtail端插入光源組內,以接收光信號。

3.打開電源,監看誤碼儀是否呈現是無誤碼狀態(無誤碼狀態需維持30 秒鐘才算通過)。

4. 將可調式光衰減器每隔0.1dB作一次誤碼值檢驗(如圖3-47),直至該 光衰減器的數字經誤碼值檢驗後,沒有出現誤碼,該值即為靈敏度 (Sensitivity)數值。

3-3-2 發射端L-I-V(光-電流-電壓)測試:

目的: L-I-V測試主要為測試電流-電壓對應發光功率的關係,於產品進 高低溫測試前後量測一次,比較前後差異來篩選良品。

1.首先將標準的光源,使用光功率計作光功率的量測,並校正LIV測試 系統。

2.將發射端TO56 TO46的金屬腳位插入測試盒的Socket上,並將Pigtail 端插入LIV系統之收光模組的接頭上,以便LIV系統接收光信號,來轉 換輸出成電氣訊號,來量測產品特性。

3.在LIV系統監控畫面(如圖3-48),讓程式判斷量測結果是否與設定規 格相符,量測完按下儲存,NG與良品分開擺放,即完成LIV量測。

圖 3-1 雷射銲接設備

圖 3-2 YAG 雷射機 圖 3-3 程式自動化雷射銲接平台

圖 3-4 光檢測二極體耦光調整治具

圖 3-5 L-I-V(光-電流-電壓)測試系統

圖3-6 光衰減器 圖3-7 光功率計

圖3-8 UV紫光照射器

圖 3-9 誤碼儀

圖 3-10 誤碼率計算公式

圖3-11 程式化高低溫循環測試機

圖3-12 45°Filter上膠 圖3-13 45°濾波片置入與定位

圖 3-14 45°濾波片輕壓平貼

圖 3-15 定時恆溫烤箱

圖 3-16 Filter 翹起或歪斜 圖 3-17 Filter 髒污

圖 3-18 Filter 沾膠污染 圖 3-19 0°Filter 上膠

圖 3-20 0°Filter 置入與定位 圖 3-21 0°Filter 平放

圖 3-22 0°Filter 歪斜 圖 3-23 0°Filter 髒污、刮傷

圖 3-24 0°Filter 溢膠 圖 3-25 TO56 針腳對位置入上壓頭治具

圖 3-26 Body 置放下鉚壓治具 圖 3-27 目視上下工件對位

圖 3-28 不鏽鋼本體補滿黑膠

圖 3-29 Power Supply

圖 3-30 自動耦光下治具圖 圖 3-31 下治具旋轉鎖緊

圖 3-32 上治具氣壓開關固定 Socket

Ferrule

圖 3-33 耦光監視程式畫面

圖 3-34 Z 軸套圈套入金屬 Ferrule

跳線金屬Ferrule

金屬Z 軸環

圖 3-35 Z 軸環銲接位置

圖 3-36 工件平面貼合 0.5mm

工件間有縫隙 工件間有縫隙

工件間無縫隙

圖 3-37 耦光機光功率讀值

圖 3-38 XY 平面銲接

圖 3-39 Pigtail BOSA 半成品 功率讀值

波長設定

銲點

圖3-40 TO46對位置入上治具 圖 3-41 不鏽鋼本體置入治具

圖3-42 啟動電源供應器 圖3-43 檢視示波器

圖3-44 TO46上三點UV膠

圖3-45 套上UV照射治具

圖3-46 TO46塗一圈黑膠與TO46排列固化烘烤

圖3-47 可調式光衰減器調整靈敏度 靈敏度(Sensitivity)

圖3-48 LIV系統特性量測畫面 光功率-電流

PD 監控電流-電流

電壓-電流

第四章 實驗原理與光學模擬 4-1 光收發次模組原理

本文實驗用的BOSA組成零件 (如圖4-1)主要由光纖跳接線端 (含 Fiber, Sleeve, SUS tube, Fiber stub)、雷射二極體 LD(Laser Diode)、 光感測二極體(PIN-TIA)、45°濾光片(45° Filter)、0°

濾光片(0°Filter)和 BOSA 本體(Body)所組成。其中雷射二極體 由一個 TO56 封裝的半導體雷射和球形聚光透鏡組成。感測二極體組

入雷射二極體(LD),形成雷射的三大要素(圖4-3),為pumping source, gain medium and resonant cavity。雷射光源由其表面 向四面八方輻射能量,由能量之分佈而得控制其特性。光源一般依

emission)。注入二極體之光輸出功率-驅動電流曲線與發光二極體

性偏振光會顯示較大的變異性;而雜亂偏振或圓偏振則有較小甚或

數值孔徑簡單地說明光源輻射之角度範圍。 焦點處,故光束之半發射角近似於鏡前之光腰半徑(beam waist radius)r0與鏡焦距之比值。其數值孔徑計算如下:

孔徑大於光纖數值孔徑時。若數值孔徑與半徑乘積光源大於光纖,

則減少光源之數值孔徑以適合光纖數值孔徑,此不會增加耦合效 率。

光纖與半導體光源之耦合一般可分為兩種方法,直接耦合

(butt-coupling)和分立式光學元件耦合(butt components coupling)兩種。

所謂直接耦合即是將光纖端面與半導體光源之雷射鏡片直接接 近,經過精密的調整使光纖輸出最大之功率。利用雷射焊接

(weldding)或光學膠(epoxy)將光纖固定於基座上,為了提高 耦合效率,常在光纖端面做成漸漸變細的型式。而分立式光學元件 耦合,較常用於包裝型式。

若光纖為直接耦合,則光纖接收之功率與光源輻射之功率比為:

Pf Ps 0 5.m 1

2

N A2 (5)

其中α為光纖指數曲線。

一般而言,斜射率光纖(α=∞)或級射率光纖(α=2)之耦合 係數與光源數值孔徑的平方及光纖指向性的增量(m)成正比。耦 合損失為10log P P10f s,圖4-9為針對不同之m值,顯示理論耦合 損失與NA之關係。欲獲得適當的耦合效率,需要將光源的半徑與光 纖纖核之半徑匹配。圖4-9 使用公式(2)繪出不同m值,光纖數值孔 徑與耦合損失的關係。

4-4 光學模擬與耦合效率計算

我們令 q=6.5 mm,n=1.804(為N-Lasf44材質在1310nm時的折射率) R1=R2=1 mm

計算得 q=1.538 mm(即LD雷射二極體到Ball lens的距離)

圖4-13 是雷射二極體光源部份穿透2mm直徑之球形透鏡後,之

4-4-2 耦光效率的計算

以下為耦光效率(C.E,Coupling Efficiency)的計算公式:

(7) (如圖4-31),一般稱之為光纖插芯(Fiber stub) ,其在一端接收雷

射光的光纖面上研磨成有角度斜面, 一 般 使 用 6°或8°的設計,來避免

本實驗BOSA使用同一件6°光纖之fiber stub,其光接收角度為2.8

°, 欲使耦合效率得到最大,其TO的雷射出光角度應控制接近於2.8

固定的,此處焦距設定為6.7為mm,得到的三組耦光效率再與晶片未

圖4-1 BOSA零件組成爆炸圖

圖4-2 BOSA光信號傳輸示意圖

圖4-3 雷射的三大要素

圖4-4 簡單的半導體雷射結構

圖4-5 光源之驅動電流與光輸出功率之關係

圖4-6 典型發光二極體與雷射二極體之輻射場型

  

a c

nc1

nco nc1

圖4-7 光入射Fiber與折射示意圖

圖4-8 擴散光源之數值孔徑計算

圖4-9 數值孔徑NA與光損失關係

圖4-10 雷射二極體TO56外觀尺寸圖

圖4-11 球形透鏡光路圖

L1 L2

圖4-12 球形透鏡光斑圖

圖4-13 雷射穿過球形透鏡、濾波片之光路圖

圖4-14 增加45°濾波片的光斑圖

圖4-15 Chip offset下增加45°濾波片之光路圖 60μm

圖4-16 Chip offset下增加45°濾波片的光斑圖

圖4-17 Chip offset 10μm 之光路圖與光斑圖

圖4-18 Chip offset 20μm 之光路圖與光斑圖

圖4-19 Chip offset 30μm 之光路圖與光斑圖

圖4-20 Chip offset 40μm 之光路圖與光斑圖

圖4-21 Chip offset 50μm 之光路圖與光斑圖

圖4-22 Chip offset 60μm 之光路圖與光斑圖

圖4-23 Chip offset 70μm 之光路圖與光斑圖

圖4-24 Chip offset 80μm 之光路圖與光斑圖

圖4-25 Chip offset 90μm 之光路圖與光斑圖

圖4-26 Chip offset 100μm 之光路圖與光斑圖

圖 4-27 光纖偏斜角度計算公式

圖4-28 雷射光反射示意

圖4-29 正常的光功率對應電流之微分曲線

圖4-30 抖動異常之光功率對應電流之微分曲線

圖4-31 各類光纖插芯(Fiber stub)

圖4-32 晶片偏移前後收光之示意圖

-3 -2 -1 0 1 2 3

-3 -2 -1 0 1 2 3

FL:6.7mm,Offset 90um FL:6.7mm,Offset 30um FL:6.7mm,Offset 60um FL:6.7mm,Offset 0 um

圖4-33 晶片不同偏移對應其出光位置之分布圖

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