◆ 第一年期：分為兩部分並行執行
A. 新型透明導電膜與奈米光電材料之技術開發
1. 利用 ICP 電漿輔助磁控濺鍍系統成長品質良好的 SnO2透明導電膜。
2. 改變電漿參數，例如基板偏壓、電漿功率、基板溫度等探討其對薄膜的結構 和電性 的影響; 設計濺鍍系統開發塑膠基板低溫濺鍍透明導電膜技術。
3. 開發對 SnO2薄膜進行特定元素摻雜的製程提高其導電性。
4. 開發 SnO2陽極技術應用於 OLED 元件中，探討其所扮演的角色與影響。
5. 利用 ICP 電漿輔助磁控濺鍍系統成長品質良好的 NiO 導電膜。
6. 開發 NiO 陽極技術應用於 OLED 元件中，探討其所扮演的角色與影響。
C. 新型透明導電膜與奈米光電材料之技術開發
1. 奈米複合光電薄膜成長
(1) 使用不同的成長源(HMDSO、HMDSN、HMDS)，以感應偶合電漿系統解離成長源，
進行基質包覆不同奈米粒(SiC、Si3N4、Si、c-BN、GaN)複合薄膜的成長。
(2) 在成長的過程中，利用電漿光譜分析儀(Optical Emission Spectroscopy，OES)量測 電漿中的解離狀態對奈米粒子形成的機制探討。
(3) 改變不同的高週波輸出功率、基板溫度、基板偏壓、成長源與載送氣體的比例、
熱退火處理溫度，探討在不同條件下對類鑽碳所包覆的奈米粒的尺寸變化關係。
2. 奈米複合光電薄膜的結構探討
(1) 進行奈米複合光電薄膜 SEM 表面分析。
(2) 進行奈米複合光電薄膜 XPS、FT-IR 鍵結分析。
(3) 進行奈米複合光電薄膜 XRD 繞射分析、TEM 微區結構分析。
(4) 進行奈米複合光電薄膜 Raman 光譜分析。
3. 奈米複合光電薄膜在光電性質的分析探討
(1)利用 PL (Photoluminescence)光譜分析碳基質奈米複合光電薄膜包覆不同尺寸奈米粒 及不同種類奈米粒子的光激發效應。
(2)探討奈米粒與基質界面的作用對光激發效應的影響。
◆ 第二年期：分為兩部分並行執行
A. 新型元件結構的設計與開發
1. 開發新型元件結構，提高元件效率與壽命。
2. 選擇適當的緩衝保護層開發，開發於 OLED 元件上快速成長透明導電薄膜，建構 Top emission 的製程技術。
3. 將第一年所開發的陽極材料運用於第二年新型結構，開發全新的元件結構，探討 OLED 元件特性。
4. 開發新的透明陰極解決方案，避免使用活性過大的金屬，提高整個製成的可靠度和 穩定度。
5. 探討新結構的 OLED 元件特性。
B. 新型光電元件結構之設計與開發 1. 奈米複合光電元件設計
(1) 由第一年度所進行透明導電膜之研究結果選取較佳的成長條件進做為奈米複合光電 元件設計中所須之陽極。
(2) 沉積不同種類與不同粒徑的奈米粒子做為光電元件設計中的發光層。
(3) 沉積低功函數的材料為陰極。
2. 奈米複合光電元件之特性分析
(1) 將所製作之奈米複合光電元件進行 I-V 電性量測。
(2) 進行光電元件之發光效率分析，並求取其最佳之元件結構。
◆ 第三年期：應用於 OLED 與奈米光電元件的新型多層膜封裝技術
1. 開發 DLC 低溫且低離子轟擊能量製程，以期能更符合元件封裝。
2. 利用 MMA 的 monolayer 作為沈積碳膜的碳源，並以脈衝式直流電源供應器施加不同 的基本負偏壓，用以控制所沈積碳膜之緻密性。
3. 探討其膜厚與應力之影響。
4. 並將之沈積在鍍有 Ca 的基板上，利用 Ca 被氧化的程度，判斷出封裝層之效果。
5. 另外，開發多層堆疊之 DLC 膜，控制時間與高低交替之施加的偏壓，沈積多層交疊 之 DLC 膜。
6. 針對不同結構的元件建立 DLC 多層膜封裝技術，並將此封裝膜沈積於 OLED 元件上，
探討此元件之衰退時間。