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二氧化矽膠體比例對孔洞薄膜成形的影響

第四章 結果與討論

4.1.1 塑膠混合模具製作

4.1.2.2 二氧化矽膠體比例對孔洞薄膜成形的影響

我們調配佔總重不同比例的二氧化矽膠體乳液溶液,經130 ℃持溫 20 分鐘烘乾成膜於矽基材上,將試片分析表面形貌。電子顯微鏡分析試 片需要鍍金120 秒的前處理,結果如圖 51 所示,依據不同濃度(a)8 wt%,

(b)11 wt%,(c)13 wt%,(d)15 wt%,(e) 17 wt%,(f) 19 wt%,(g)20 wt%,

(h)22 wt%,(i)23 wt%,表面將會有不同形貌表徵。由結果可以知道濃度 在11 wt%(b)~ 17 wt%(e)皆可觀察到規則排列的孔度,此時的高分子乳液

對表面形貌與相分佈做分析,結果如圖53。於圖上很明顯可以見到二氧 化矽膠體濃度為13 wt%與 15 wt%時具有非常清晰的孔洞結構,但在 SEM 圖51 的影像中卻相當不明顯,造成此項差異的原因就在於試片是否經過 鍍金。由AFM 分析其孔洞深度得知孔洞深度約為 2.18 nm,如圖 54 (a),

這代表孔洞深度很淺,這會造成在SEM 影像底下孔洞輪廓不是很清晰,

若再經過鍍金步驟極可能造成孔洞被填平而更難觀察到孔洞結構。

將AFM 與 SEM 結果做比較可以得到相同的結果,當二氧化矽膠體 溶液濃度在11 wt%~ 17 wt%之間,皆可以形成規則孔洞排列。但是當濃 度提高至19 wt%時,高分子乳液開始散亂排列,並造成深淺不一的孔洞 而造成試片表面起伏增加,如圖53 (e3)。藉由 AFM 相分佈的影像掃描,

有助於測量孔洞的間距,如圖54 (b) 多孔薄膜相分布與橫截面分析,可 以得到孔洞間距離約為404 nm,而高分子乳液粒徑為 429 nm,此孔洞距 離可以解釋成高分子乳液是處於最密堆積,而404 nm 略比 429 nm 小的 原因可能在於計算誤差以及立體空間位置補償導致。從AFM 的立體結構 影像可以發現此多孔薄膜厚度並不均勻,這表示旋轉塗佈在此成膜製程 中並不是一個良好的方式,這是需要日後實驗加以改進的。

圖 51 多孔薄膜 SEM 分析結果,不同二氧化矽膠體溶液比例(a)8 wt%,

(b)11 wt%,(c)13 wt%,(d)15 wt%,(e) 17 wt%,(f) 19 wt%,(g)20 wt%,

(h)22 wt%,(i)23 wt%,對孔洞成膜之影響

圖 52 多孔薄膜成膜機制,CASE1 為高分子乳液形成最密堆積排列之孔 洞薄膜,CASE2 為高分子乳液散亂排列之孔洞薄膜

圖 53 多孔薄膜 AFM 表面形貌分析、相分布分析與立體結構分析,不同 二氧化矽膠體溶液比例(a1~a3) 11 wt%,(b1~b3) 13 wt%,(c1~c3) 15 wt%,(d1~d3) 17 wt%,(e1~e3) 19 wt%,對孔洞成膜之影響

圖 54 AFM 橫截面分析,15 wt%二氧化矽膠體溶液的(a)多孔薄膜表面形 貌與橫截面分析,(b)多孔薄膜相分布與橫截面分析

欲了解孔洞薄膜的元素組成分佈,因此將二氧化矽膠體濃度為 17 wt%的試片進行元素能量分析(EDS),圖 55 (b)呈現結果有三元素:碳、氧、

矽。碳能量峰的來源為高分子乳液以及未完全水解的TEOS。矽能量峰的 貢獻者為二氧化矽膠體,從元素能量分析圖中顯示碳、氧、矽的分布看 不出特有的規則與區域,但可以確定的是二氧化矽膠體與高分子乳液的 混合情況良好。矽元素分佈圖(如圖 55(e)所示)顯示二氧化矽分布均勻,

乾燥前高分子乳液自組裝排列分散於二氧化矽膠體內,二氧化矽膠體溶 液經乾燥後會交聯成網狀薄膜,同時伴隨著奈米孔隙的產生,溶膠凝膠 法的特色就是薄膜會具有奈米等級孔隙。高分子乳液則在乾燥過程中因

高溫而可流動,所以能夠填補於二氧化矽內的孔隙內,使得原先高分子 乳液佔據的球型空間因高分子流動而釋出。

圖 55 多孔薄膜元素分析(a)多孔薄膜 SEM 影像,(b)元素分析結果,(c) 針對C 元素分布作圖,(d)針對 O 元素分布作圖,(e)針對 Si 元素分布作 圖

4.1.2.3 Poly (St-BA-AA)乳液與二氧化矽膠體自組裝排列形成孔

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