掃描穿隧式顯微鏡所取得的影像能捕捉到形貌上的缺陷特徵，本 實驗對樣品 MoSe2做四種情況的量測做統計，Non-Fresh 的資料從 23 張解析度好的圖取 4 張最具代表性的，細數特徵做統計，Fresh 資料 從 30 張解析度好的圖取 4 張最具代表性的，細數特徵做統計，After Fresh 27 Days 的資料是 8 張取 4，Exposure to oxygen 資料從 3 張解析 良好的圖做統計，如表 4.3.1。
表 4.3.1 四種狀態下，大尺度形貌特徵統計
我們對於 Non-Fresh 上看到的暗點缺陷特徵去做合理的推測，其 中所能觀測到的暗點分兩類：當中較淺色的暗點，有可能是表面上的 雜質吸附，由於雜質不導電，當探針掃到有著雜質的區域，不導電的 雜質阻擋了電子的跑出，因此掃描穿隧式顯微鏡所掃到的圖獲得的穿
48
隧電流較少，相對在 STM 形貌圖上就會看到雜質地區形成暗點；而 當中較為深色的暗點，有可能是表面上的深洞，此地區高度落差太大，
電子跑不出來，因此會在形貌上看到深色暗點。Non-Fresh 暗亮點分 析中，我們會看到暗點比例高過於亮點，如圖 4.3.6、4.3.7 所看到的。
圖 4.3.6 Non-Fresh 上看到的暗點（尺度：300nm × 300nm）
49
圖 4.3.7 Non-Fresh 上看到的亮點（尺度：300nm × 300nm）
當使用機械剝離法處理樣品後，原本吸附在上頭的雜質被撕掉，
同時撕出易穿隧出電子的缺陷，當探針掃過時，取得的穿隧電流較大，
因此在 STM 影像圖上呈現亮點，Fresh 過後能觀察到亮點大量增多。
Fresh 暗亮點分析如圖 4.3.8、4.3.9 所示，亮點密度高過於暗點的密度。
50
圖 4.3.8 Fresh 上看到的暗點（尺度：300nm × 300nm）
圖 4.3.9 Fresh 上看到的亮點（尺度：300nm × 300nm）
51
另外為了確認大氣對於 MoSe2表面的作用，首先以機械剝離 法撕過樣品表面，讓表面先處於本質狀態，再將其放置於大氣下 27 天，以 STM 觀察樣品表面的變化。原先機械剝離法撕出易導 電的缺陷，可能因為於大氣下，被吸附物所填補，因此原先 Fresh 時產生的易導電缺陷有變少的趨勢，而不導電的吸附物也造成暗 點密度有變多的趨勢。After Fresh 27 Days 暗亮點分析如圖 4.3.10、
4.3.11 所示。
圖 4.3.10 After Fresh 27 Days 上看到的暗點
（尺度：300nm × 300nm）
52
圖 4.3.11 After Fresh 27 Days 上看到的亮點
（尺度：300nm × 300nm）
評估大氣中對於 MoSe2影響最大的氣體，推測氧氣最有可能，由 於大氣中氧氣為第二多的氣體，且於 STM 腔體內，氧氣也是僅次於 氫氣的存在，另外氧氣本身也是活性大，氧原子與硒原子也屬同族元 素，因此本實驗設計上特地曝純氧氣，觀察氧氣對於 MoSe2樣品表面 會有什麼樣的作用發生。操作上，先以機械剝離法撕過樣品，確定樣 品表面一開始處於本質狀態，將其移置於超高真空下的準備腔中再放 入氧氣，刻意讓 MoSe2表面曝露在氧氣環境，會發現亮點大量減少，
53
原先經由機械剝離過程所產生的易導電缺陷消失許多，推測在氧氣環 境下，這些易導電缺陷被填補的效率更高所致。Exposure to oxygen 暗 亮點分析如圖 4.3.12、4.3.13 所示。
圖 4.3.12 Exposure to oxygen 上看到的暗點
（尺度：300nm × 300nm）
54
圖 4.3.13 Exposure to oxygen 上看到的亮點
（尺度：300nm × 300nm）