3. 圖 3.8（a）中從 RF choke 端看進去的阻抗 Rd1，理論上需無限大，但實 際上若使用被動元件來製作時是無法做到的，所以在真實電路時就可能有 功率從此損耗。
上述的三點可能原因中，1、2 兩點是無法避免的，所以若想使的效能獲得改善，
則我們選擇在第三點下功夫，為此重新設計新的電路，將 RF choke 端的電感改 為 / 4λ 的傳輸線來進行模擬，讓圖 3.8（a）中 RF choke 端看進去的阻抗 Rd1變 成無限大，並製作微波電路再次量測其結果。圖 3.21 為模擬的結果，圖 3.22 為佈局和成品圖，最後根據上一節的量測步驟，得到圖 3.23 的量測結果。從量 測的結果可以看出來，無論是輸出功率、增益或是效率都有極大的改善，而效率 的量測也和模擬的結果相差不大。
（a）
（b）
（c）
圖 3.20 單端 E 類功率放大器量測結果圖
（a）輸出功率對增益的作圖
（b）輸出功率對 PAE 的作圖
（c）輸入功率對輸出功率的作圖
m3indep(m3)=
Fund. Output Power, dBm
m3 Transducer Power Gain, dB
（a）
Fund. Output Power, dBm
m4 PAE, %
（b）
（c）
圖 3.21 單端 E 類功率放大器的模擬結果圖（二）
（a）輸出功率對增益的作圖
（b）輸出功率對 PAE 的作圖
（c）輸入功率對輸出功率的作圖
（a） （b）
圖 3.22 單端 E 類功率放大器驗證電路圖（二）
（a） 佈局圖
（b） 成品圖
（a）
（b）
（c）
圖 3.23 單端 E 類功率放大器量測結果圖（二）
（a）輸出功率對增益的作圖
（b）輸出功率對 PAE 的作圖
（c）輸入功率對輸出功率的作圖
對照兩電路的模擬和量測結果可以發現，雖然電路結構是一樣的，但當 RF choke 的架構有所改變時，則兩電路最後的效能結果就有所不同，這樣的差別在 效率上尤其明顯，差距將近高達 6%，這樣大差距的產生，除了利用圖 3.22 中 / 4λ 的架構，讓看進 RF choke 端的阻抗為無限大，以降低功率的損耗之外，另一個 極重要的影響因素就是被動元件的寄生效應，以圖 3.17 的電路架構來說，RF choke 端的串聯電容其內部的寄生電阻將近 5Ω ，如此將造成功率的額外損耗，
也會間接違背理論公式中 3.2.1 節的假設一（確保路徑上不會有串聯電阻，造成 功率無謂的損耗）。
在 3.4.1 和 3.4.3 節中均曾提到有關預防震盪的措施，在此特別加以說明。
一般來說震盪訊號可分為高頻震盪和低頻震盪兩種，通常若發現電路有震盪發生 時，可以利用頻譜分析儀來找出震盪的頻率，不同頻率發生的震盪，所代表的意 義和預防方式也都有所不同：
1. 以高頻震盪來說，主要是代表電路設計的架構本身發生問題，預防的方法 可以在 RF choke 的輸入端加一個小電阻，圖 3.22 的電路亦有這樣的保護 設計，不過因為多加了電阻，所以必定會造成功率的損耗，因此在使用時 需考慮設計的狀況，以獲得最好的效能。
2. 低頻震盪的發生通常和 RF choke 端的不良，造成高頻信號竄入有關，所 以在預防時，大多會在圖 3.11 的 Cdc上做改良，以本論文為例，會在 Cdc 旁再多並聯一顆 0.1µF的電容，以避免低頻震盪的發生。
上面兩點關於震盪的預防措施，在圖 3.22 的電路架構中正好有使用到，而電路 實作時亦得到證實，所以在之後的 IC 設計部分將也會適時的加以利用。