學生基本電學迷思概念改善情形

學生在串聯電路的答對率較高，表示學生對於電流串聯時總電流與各別電流

三、前後測比較及分析

由上述表 4-9 與圖 4-51 可發現各題均有進步情形，且帄均進步率為 40.3%，

另外由上頁表 4-10 顯示學生的迷思概念仍在並聯電路中表現出較多的留存 情形，仍有帄均 23.5%的比例無法正確作答，而在串聯電路迷思概念情形則顯示 有較少的留存，帄均約只有 17.4%的答錯率。

圖 4-52 電路類型之迷思概念與前後測答對率

在上圖 4-52 中顯示學生在並聯電路的學習上有較高的進步情形，研究者分 析因在前測的結果顯示學生迷思概念主要多為並聯電路，前測分數最低，因此有 較高的進步率；而前測時在串聯電路的答對率原本就為最高，因而在後測結果中 顯示之進步率較低，但後測的正確率仍是串聯電路的正確率最高。

(三)迷思概念改善情形

研究者進一步針對每題測驗之迷思概念前後測結果差異進行分析比較，將前 後測之答對率對照迷思概念類型與進步情形製作成下頁表 4-11。

0.0%

20.0%

40.0%

60.0%

80.0%

100.0%

串聯電路 並聯電路 基本概念 整體電路

前測答對率 後測答對率

表 4-11 迷思概念改善情形

圖 4-53 各迷思概念前後測答對率

圖 4-54 各迷思概念前後測進步情形

0.0%

10.0%

20.0%

30.0%

40.0%

50.0%

60.0%

70.0%

80.0%

90.0%

100.0%

前測答對率 後測答對率

0.0%

10.0%

20.0%

30.0%

40.0%

50.0%

60.0%

70.0%

80.0%

進步情形

5、由上頁圖 4-54 可觀察各迷思概念的進步情形，學生在電壓基本概念、

並聯電流、電阻的基本概念中有較高的進步，能正確選答電壓、電阻 的定義，以及能依據並連線路中電壓電阻的數值計算出正確的電流。

6、學生在單位代號的進步情形較低，除前測顯示學生在此部分有 51%的 通過率較高，後測增加約 10%的通過率而為 61%，仍較其他概念的進 步情形為低，表示本研究的設計在單位代號的應用上較不足以引起學 生在本概念的改善。

7、研究者發現學生在前測中最高通過率的為串聯線路的概念，學生能具 有串聯電路總電流等與各別電流，但在並聯線路時，學生仍認為總電 流等與各別電流，因而在前測中並聯電流概念的答對率較低。而在微 型實驗後，學生在串聯線路的概念上進步率低，除因前測值偏高外，

其餘的學生在本概念的迷思改善情形亦偏低。

8、學生進行微型實驗後，有 6 項的迷思概念能獲得 50%以上的進步率，

分別為電流基本概念、電壓基本概念、電阻基本概念、電壓、並聯電 流、串聯電組，表示有較高的迷思概念改善；而在串聯電流及單位代 號的進步率偏低，顯示迷思概念改善情形較少。