實驗製程、量測步驟

溫度穩定，並開始利用之前上述的前驅液體，分別在 n-Si(111)基板上製備 ZnO:N、

MgZnO、MgZnO:N、Mg ZnO:(In,N)等薄膜並量測其電性、XRD、SEM 及 PL 等特

3.3.2.2 多層膜系列樣品製備

在本階段分為 3 個部份製程主要分為下列三種:

1.n-Si/N-ZnO/P-ZnO/MgZnO 多層結構 一.清洗基板 ZnO:In/ZnO:N/Mg(x%)ZnO 多層結構等薄膜並量測其電性及穩定性等特性。

2.n-Si/N-ZnO/P-ZnO/MgZnO:(In,N)多層結構 一.清洗基板

將基板依序放入丙酮，甲醇，去離子水(DI water)溶液中，使用超音波震盪 機各別震盪5分鐘。

將基板取出，並以氮氣槍吹除表面殘存的水珠，即完成清理基板的步驟。

二. 調製噴霧溶液

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入不同比例的 Mg 之後以及固定比例的 CH3COONH4和 In(NO3)3，調製成不同比例 Mg 成分變化的 ZnO:(In,N)前驅液液。

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入固定比例的醋酸銨。製成固定比例 ZnO：N 前驅液液。

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入固定比例的硝酸銦。製成固定比例 ZnO:In 的前驅液。

三. 噴霧熱裂解沉積薄膜

在基板表面使用 5x10^-3 mol/L 的醋酸鋅，用乙醇做為溶劑所得到的前驅液，滴 於基板表面，利用旋轉塗佈機以每秒 3000rpm 的轉速，轉 20 秒後將基板表面所覆 蓋的前驅液體中的溶劑揮發，在基板表面殘留下溶質顆粒，再放置製程裝置中將 基板於加熱台座上加熱到 500℃，維持 30 分後將溫度降為 450℃後，等 5 分鐘使 其溫度穩定，並開始利用之前上述的前驅液體，分別在 n-Si(111)基板上製備 ZnO:In/ZnO:N/Mg(x%) ZnO:(In,N)多層結構的薄膜並量測其電性及穩定性等特性。

3.n-Si/N-ZnO/(Mg ZnO:(In,N)/P-ZnO)/Mg ZnO:(In,N)多層結構 一.清洗基板

將基板依序放入丙酮，甲醇，去離子水(DI water)溶液中，使用超音波震盪 機各別震盪5分鐘。

將基板取出，並以氮氣槍吹除表面殘存的水珠，即完成清理基板的步驟。

二. 調製噴霧溶液

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入不同比例的 Mg 之後以及固定比例的醋酸銨 和硝酸銦，調製成不同比例 Mg 成分變化的 ZnO:(In,N)前驅液液。

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入固定比例的醋酸銨。製成固定比例 ZnO：N 前驅液液。

在 0.2M 的醋酸鋅水溶液中，加入固定比例的硝酸銦，製成固定比例 ZnO:In 的前驅液。

三. 噴霧熱裂解沉積薄膜

基板表面使用 5x10^-3 mol/L 的醋酸鋅，用乙醇做為溶劑所得到的前驅液，滴於 基板表面，並以旋轉塗佈機以每秒 3000rpm 的轉速，轉 20 秒後藉此將基板表面所 覆蓋的前驅液體甩乾，放置製程裝置中將基板於加熱台座上加熱到 500℃，維持 30 分後將溫度降為 450℃後，等 5 分鐘使其溫度穩定，並開始利用之前上述的前 驅液體，分別在 n-Si(111)基板上製備 ZnO:In/(MgZnO:(In,N)/ZnO:N)/MgZnO: (In,N) 多層結構的薄膜以及改變中間層(MgZnO:(In,N)/ZnO:N)層數分別是 1~4 層並量測 其電性及穩定性等特性。