若是酸性排氣中之HNO3已混合在所有酸性排氣之中而在洗滌之後造 成輕微白煙現象，雖然提高洗滌水導電度可以消除白煙，但高導電度之水 質可能會影響其它酸性氣體污染物之去除效率，因此建議以分流之方式處 理濕蝕刻酸排為宜，配合最佳化洗滌塔設置以達到抑制白煙產生之效果。
當TFT-LCD 廠之世代演進到愈來愈大尺寸玻璃基板之同時，各種化學 品之使用量也更為驚人，相對地排氣量及濃度也將愈來愈高，而有可能超 出洗滌塔之設計容量，造成許多不同之排氣狀況發生，這是在半導體廠較 為少有之情況。以最佳洗滌塔之配置而言，當各種廢氣濃度及風量增大時，
將廢氣分流使不同機台之排氣經由不同處理方式或操作條件進行洗滌，可 使問題單純化並可對各別洗滌塔之操作條件最佳化，這可能是未來的趨 勢。半導體業最初將酸鹼廢氣合併處理，後來因處理效果不佳及白煙問題 而作酸鹼分流分別處理，現在本研究再因白煙問題將濕蝕刻(Wet-etch)酸排
從一般酸排氣中分流出來單獨處理即是。
參考文獻
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附錄
1. 二相流噴霧器安裝位置
2. 二相流噴霧器配置圖
3. 二相流噴霧器霧化後狀況(16)
4. 二相流噴霧器構造圖(16)
5. 風管水霧管路圖
6. 風管水霧噴嘴安裝圖
7. 風管水霧霧化後狀況
8.TFT-LCD Array 製程流程
9. 濕蝕刻製程反應室噴嘴分佈圖
10. 蝕刻製程鋁蝕刻液噴灑示意圖
11. 濕蝕刻製程反應示意圖
12. 濕蝕刻製程反應方程式
pe = ASRS_4mm, Suppressor_Current = 50, Flow = 1.00, Az
15. 日本特許廳公開特許公報「空氣白煙的去除方法」專利
16. 不同 wt% CH3COOH、HNO3、NaOH 之水溶液蒸氣壓 CH3COOH 水溶液蒸氣壓(20℃)
0 wt% 25 wt% 50 wt% 75 wt% unit
17.5 16.3 15.7 15.3 mmHg HNO3水溶液蒸氣壓(20℃)
0 wt% 20 wt% 25 wt% 30 wt% unit
17.5 15.2 14.2 13.2 mmHg NaOH 水溶液蒸氣壓(20℃)
0 wt% 10 wt% 20 wt% 30 wt% unit
17.5 16.0 13.9 11.3 mmHg