• 沒有找到結果。

×

×(500nm)2

≒ 6.15*108的微孔 1cm2

3

4 2

3

4.4 陽極氧化鋁管中沉積二氧化鈦,形成雙奈米管結構

c. X30,000;TiO2沉積 2hr 40min d. X80,000;TiO2沉積 2hr 40min

e. X30,000;TiO2沉積 3hr 15min f. X80,000;TiO2沉積 3hr 15min

g. X30,000;TiO2沉積 3hr 40min h. X200,000;TiO2沉積 3hr 40min

b.以草酸當作模板製作雙奈米管 TiO2 in AAO 之結構:

f. X80,000;TiO2沉積 30 分鐘 e. X80,000;TiO2沉積 30 分鐘

c. X30,000;TiO2沉積 20 分鐘 d. X80,000;TiO2沉積 20 分鐘 a. X30,000;TiO2沉積 20 分鐘 b. X30,000;TiO2沉積 20 分鐘

j. X30,000;TiO2沉積 60 分鐘 i. X30,000;TiO2沉積 45 分鐘

k. X5000;TiO2沉積 90 分鐘 l. X5000;TiO2沉積 120 分鐘 g. X30,000;TiO2沉積 30 分鐘 h. X80,000;TiO2沉積 30 分鐘

圖 4-43 草酸法 AAO 沉積 TiO2奈米粒,製備雙奈米管結構;以 TiF4水溶液水 解沉積 TiO2奈米粒,其沈積時間分別如下:圖 a.~d.使用化學沉積法,沉積 TiO2奈米粒於 AAO 中,沉積時間:20min;圖 e.~h.使用化學沉積法,沉積 TiO2奈米粒於 AAO 中,沉積時間:30min,故草酸法 AAO 沉積 TiO2奈米粒之 最佳化沉積之時間為 30 分鐘;圖 i.~m. 使用化學沉積法,沉積 TiO2奈米粒 於 AAO 中,沉積時間分別為:45min、60min、90min、120min 及 135min,

若沉積 TiO2時間超過 45 分鐘,其奈米粒會將 AAO 之耐米孔空填滿,於沉積 時間 135min 後 TiO2會聚集,形成約 500nm 之奈米球。

如上沉積濃度為 0.004M TiF4水溶液

m. X30,000;TiO2沉積 135 分鐘

c.以硫酸當作模板製作雙奈米管:

圖 4-44 硫酸法陽極氧化鋁沉積 TiO2奈米粒,製備 TiO2 in AAO 雙奈米管結 構;以 TiF4水溶液水解沉積 TiO2奈米粒,其沈積時間分別如下 : 圖 a.~b.為使用化學沉積法,沉積 TiO2奈米粒於 AAO 中,沉積時間:

15min;圖 c.~d.使用化學沉積法,沉積 TiO2奈米粒於 AAO 中,沉積 時間:30min;因為硫酸法 AAO 當作模板,其孔徑太小,沉積 TiO2

奈米粒時無法明顯分辨其為結構,故硫酸法 AAO,因孔徑關係,無 b. X90,000;TiO2沉積 15 分鐘

c. X30,000;TiO2沉積 30 分鐘 d. X80,000;TiO2沉積 30 分鐘 a. X30,000;TiO2沉積 15 分鐘

4.4.2 陽極氧化鋁製作染料敏化太陽能電池

經由陽極處理後,製得一高品質、孔洞均一、高孔隙率及規則分佈的 鋁陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide;AAO)模板,利用此一奈米模板,

沉積所需 TiO2奈米粒,形成 TiO2 in AAO 雙奈米管結構,在進行染料(N3) 吸附之後,即可作為以 AAO 當作 template5 之奈米管-染料敏化太陽能電池 之陽極(Anode)工作電極(work electrode)。

4.4.2.1 染料敏化電池陽極製作 其製備之流程如下:

1. 磷酸法陽極氧化鋁直通管製備;

2. TiF4水解沉積所需 TiO2 奈米粒於陽極氧化鋁奈米管中;

3. 熱處理;

4. 濺鍍 200nm TiO2於陽極氧化鋁當做保護層;

5. 濺鍍銅當作電極;

6. 吸附染料;

7. 使用太陽光模擬器量測效率。

圖 4-45 陽極氧化鋁當做模板製備 NT-DSSC 示意圖 4.4.2.2 染料敏化電池陰極製作

電解液中的 I3

-陰極端須獲得電子形成 I-還原反應,故在 TCO(Transparent conductive oxide)上,需沉積一層觸媒層,幫助 I3

-陰極之電子取得。

一般而言,陰極觸媒層之製備方法有兩種:

1.使用物裡氣相沉積(Physical Vapor Deposition ,PVD),沉積所需之白 金觸媒層利用濺射(sputtering)方式,將白金靶材融熔,蒸鍍到導電玻 璃之導電面上。其在不同波長之透光度,如圖 4-44 濺鍍白金觸媒層,沉

圖 4-46 濺鍍白金觸媒層,沉積量與透光率之關係;故其濺鍍沉積最佳條件 為 10Watt 之功率 15sec 之沉積時間,其透光度及觸媒沉積量為最佳,效率 亦為最佳。

2.以旋轉塗佈法(Spin coating),將所需處煤層塗佈上去:

a.溶液配置:

使用氯鉑酸(H2PtCl6.6H2O),其配置濃度為:使用酒精(Ethanol)當作溶劑,

配置 0.5mg H2PtCl6.6H2O/1ml C2H5OH。

b.塗佈方式:

將 FTO(Fluorine doped tin oxide)玻璃,清潔乾淨後,導電面朝上置於旋 轉塗佈機上,首先啟動真空幫浦,將 FTO 玻璃固定吸住,使用兩段式速度 旋轉塗佈所配置的溶液:第一段為 600r.p.m 持續 10 秒、第二段為 1000r.p.m 持續兩杪鐘,注意落塵污染觸媒層,以 400℃15min 之條件燒結,使塗佈之

4.4.2.3 染料敏化電池電解液之製備

圖4-47 ATO 吸附染料之吸收及其所使用之電解液穿透度 4.4.2.4 元件組裝與量測

1.元件封裝流程圖:

2.結果:

以濺鍍銅當作陽極導電電極之 AAO 模板奈米管染料敏化太陽能電池,

其使用ㄧ個太陽光量測光電轉換效率為 0.33%。

圖 4-49 以銅當導電電極之 AAO 模板 NT-DSSC 效率 Jsc:1.353mA/cm2

Voc:0.6V FF:0.4 η:0.33

Active area:0.28cm2

五章 結論

1.在一系列不同電解液下,所進行的陽極氧化鋁實驗,可分別製得 18nm、

60nm 及 200nm 之規則奈米管;AAO 再經由擴孔處理,於管壁(pore wall) 厚度容許下,可擴孔成 25~500nm 各種不同尺寸、均一且規則氧化鋁奈米 管。

2.以陽極氧化鋁奈米管當做模板,使用氟化鈦(0.004[M]TiF4)水解沈積氧化 鈦(TiO2)奈米粒,以 200nm 孔徑之磷酸 AAO 當作模板,沉積 3 小時 40 分 鐘,可於管壁上沉積一約 70nm 之 TiO2中空奈米管;若以 60nm 孔徑之草 酸 AAO 當作模板沈積 30 分鐘,可於管壁上沉積一約 30nm 之 TiO2中空奈 米管,此奈米管緊貼於 AAO 之管壁上,形成ㄧ雙奈米結構。

3.陽極氧化鋁當作模板,沉積染料敏化太陽能電池陽極所需二氧化鈦,經 N3 Dye 3X10-4[M]染料 於常溫下吸附 6 小時,使用含透明白金觸媒層(濺 鍍;10W 15sec)之導電玻璃(FTO;比電阻:25Ω.cm),簡易封裝成元件,

經電解液(I-/I3-)注入,然後使用一個太陽光(AM 1.5 solar simulator),

量測其效率,其光電轉換效率為 0.33%。

參考資料:

[1]M.Grätzel, Paul Liska,

U.S. patent

: 5084365.

[2]M.Grätzel,

Nature

, 414, 338 (2001).

[3]Greg Smestad, Roberto Argazzi, S

olar Energy Materials and Solar Cells

,32 , 259 (1994).

[4]Maggie Paulose , Grimes,

Nanotecnology

17, 1446 (2006).

[5]Qingyun Cai, Grimes,

J.Mater.Res.

,Vol.20 ,No.1 (2005).

[6]Seigo Ito, M.Grätzel,

WILEY Inter Science

(2007).

[7]B.O'Mregan, M.Grätzel,

Nature

,335,737 (1991).

[8]A.Hagfeldt, M.Grätzel,

Chem.Rev.

95,49 (1995).

[9] Patrik Schmuki,

Electrochem.Commun.,

7,1133 (2005).

[10]Daiben Kuang, M.Grätzel,

ACS nano

,vol.2,No.6,1113 (2008).

[11]Gopal K.Mor, Grimes,

Adv. Funct.Mater.

, 15,1291 (2005).

[12] Gopal K.Mor, Grimes,

Nano Lett.

,vol.6,No.2,215 (2006).

[13]Sergiu P.Albu, Patrik Schmuki,

Nano Lett.

,vol.7,No.5,1286 (2007).

[14]Grimes,

J.Mater.Chem.

,17,1451 (2007).

[15]Alex B.F.Martinson, Michael J.Pellin,

Nano Lett.,

vol.7,No.8,2183 (2007).

[16]Andrew J.Leenheer, David S.Ginley,

J.Mater.Res.

,Vol.22,No.3

[20]O'Regan B., M.Grätzel,

Nature

353,737 (1991).

[21]Nazeeruddin M.K.,

J.Am.Chem.Soc.

127,16835 (2005).

[22]Wang P.,

Nature Mater.

,2,402 (2005).

[23]Nazeeruddin., Coord. ,

Chem. Rev.

, 248, 1317 (2005).

[24]Wang P. et al.

J.Am.Chem.Soc.

127, 808 (2005).

[25]Wang P.,

Appl.Phys.Lett.,

86, 123508 (2005).

[26]Holman K. T. et al. ,

Science,

294 , 1907 (2005).

[27]Wang P. et al. , Appl.Phys.Lett., 86, 123508 (2005).

[28]Said F. F.. et al. ,

Crystal Growth & Design

,6, 258 (2005).

[29]Wang P. et al. ,

J.Am.Chem.Soc.,

125, 1166 (2003).

[30]Wang P. et al.,

J.Am.Chem.Soc.

,126, 7164 (2004).

[31]Wang P. et al.

,J.Am.Chem.Soc.,

127, 6850 (2005).

[32]Margolis and Kammen,

Science

,285, 690 (1999).

[33]Hagfeldt A. and M.Grätzel,

Acc. Chem. Res.

,33,269-277 (2000).

[34]NazeeruddinM K, M.Grätzel,

J.Am.Chem.Soc.

, 115: 6382 (1993).

[35]Bach U ,Lupo D ,Comte P , M.Grätzel,

Nature

,395 :583 (1998).

[36]Hideki Masuda,Hidetaka Asoh,

Appl.Phys.Lett.

,71(19),10 November (1997).

[37]Dmitri Routkevitch,Jing Ming Xu,

J.Phys.Chem.

,100,14037 (1996).

[38]G.Sauer,S.Schneider,

J.Appl.Phys.

,Vol.91,No.5 (2002).

[39]Jin Seung Lee,Jung Sang Suh,

Chem.Mater.

,13,2387 (2001).

[40]A.P.Li,U.Gosele,

J.Appl.Phys.

,Vol.84,No.11 (1998).

[41]John J. Zimmerman,Thornburg,

U.S. patent

: 5747180

[44]Y.Li,L.D.Zhang,

Appl.Phys.Lett.

,Vol.76,No.15 (2000).

[45]Kornelius Nielsch,Ulrich Gosele,

Adv.Mater

.12,No.8 (2000).

[46]Kornelius Nielsch,Ulrich Gosele,

Nano Letters.

,vol.2,No.7 (2002).

[47]Feiyue Li,M.Metzger,

Chem.Mater.

,10,2470 (1998).

[48]Martin Steinhart,Joachim H.Wendorff,

Angew.Chem.

,43,1334 (2004).

[49]Y.C.Sui,J.M.Saniger,

J.Phys.Chem.B

,105,1523 (2001).

[50]Jung Sang Suh,Jin Seung Lee,

Appl.Phys.Lett.

,Vol.75,No.14 (1999).

[51]Kornelius Nielsch,Ulrich Gosele,

Nano Lett.

,Vol.2,No.7 (2002).

[52]Y.Lei, S.X.Wang,

Appl.Phys.Lett.

, Vol.78,No.8 (2001).

[53]K.Nielsch, U.Gosele,

Appl.Phys.Lett.

,Vol.79,No.9 (2001).

[54]G.Patermarakis, K.Moussoutzanis,

J.Electrochem.Soc.

, Vol.142, No.3 (1995).

[55]O.Jessensky, U.Gosele,

Appl.Phys.Lett.

,No.10 (1998).

[56]Christophe J. Barbe, M.Grätzel,

J.Am.Ceram. Soc.

vol.80,12,3157 (1997).

[57]Alex B.F. Martinson,Joseph T. Hupp,

Nano Lett.

,vol.xx,No.x, (2008).

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