應用軟體進行作業環境實際樣本粒徑大小評估分析

由繞射圖譜中繞射峰的位置與峰形半高寬(FWHM)，可以探討系 統中結晶材料原子排列的有序度，藉由計算有序度與半高寬間的關 係，便可由χ光繞射圖譜推算出粒徑大小^[69]。

第一項 布拉格繞射定律 (Bragg's Law)

1912 年勞厄首先於德國提出 χ 光進入晶體後會因干涉而產生繞

射現象，並於同年，布拉格以簡潔的數學式導出χ 光的繞射條件。布 拉格公式為：2 d(hkl)sinθ＝nλ，其中 n 為整數，假設晶面距離 d(hkl)，入 射光與晶面的夾角即稱為布拉格角，此角度為 θ。兩相鄰面反射光束 間會有一光程差2dsinθ ，若光程差等於入射光波長的整數倍時，會 產生干涉，如圖十二所示。

第二項 半高寬 (Full Width at Half Maximum, FWHM)

目前常用來進行χ 光繞射峰之峰寬的表示法為半高寬 (Full Width at Half Maximum, FWHM)，亦即在一半的尖峰高度之峰寬，此 尖峰高是指在扣除背景強度後之峰高，如圖十三所示。一般而言，當 一個峰的半高寬越小就代表結晶性越好；若半高寬越寬，則可能裡面 隱含的結晶面越多。

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第三項 施瑞爾關係式 (Scherr Equation)

根據布拉格繞射定律，當χ 光在連續兩晶面反射後所造成之行程 差為：Δl=2d(hkl)sinθ＝nλ。若晶面傾斜一小角度 ε ，因繞射僅僅只會 發生在ε 很小的時候，故公式會變為：Δl= nλ+2εd(hkl)cosθ，所造成晶

格的總相差為 ，最後帶入半高寬的參數後，而得到最

終的公式： ,其中 為小晶片沿[hkl]方向之厚度。

故本研究使用之軟體為應用綜合此三個原理與理論之研發出之 套裝軟體，進行實際樣本粒徑大小之分析^[68]。

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圖 十二、晶格繞射與布拉格方程式示意圖

圖 十三、繞射峰與半高寬之示意圖^[70]

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第六節 樣本分析之品質控制

為確保實驗室的分析數據品質，訂定嚴格而合宜的規範，確實執 行，並隨著新的分析技術不斷更新品管品保規範，以確保分析數據之 正確性及公信力，本研究依照環保署的品保目標規定，訂定包括精密 度、準確度、完整性、代表性、比較性、方法偵測極限等數據品質管 制表，本研究訂定之品保品管工作如：

(1) 檢量線（calibratin curve）：建製檢量線：建製至少 5 點不同

重量以上之結晶型游離二氧化矽標準品以進行檢量線之建 立，並且檢量線之相關係數（R²）需≥0.995。

(2) 試劑空白（reagent blank）：每批次或每 10 個樣品將執行一個 試劑空白分析，以檢查分析系統是否受污染或干擾。若空白 分析值超過方法偵測極限值的二倍，則伴隨此空白分析同時 檢驗分析的樣品，均需在找出污染源或干擾後，重新分析。

(3) 個人採樣泵穩定度 (personal pump stability)：以採樣前後採樣 泵流速變化值可超過 5%，以瞭解個人採樣泵之穩定度，若個 人採樣泵流速超過 5%此樣本則視為無效樣本。

(4) 準確度（Accuracy）：測值(Ci)或測值平均值(Ci)與真值(Co) 接近的程度。擬以 PAEs 標準參考品(standard reference

material, SRM)添加至適當基質中進行準確度之評估，其相對

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誤差百分比亦需落在 ±15%之內。

*註：^Ci：測值濃度，Co：真值濃度

(5) 精密度（precision）：一組重覆分析測值間相符的程度，擬建

製檢量線中間重量標準品進行三次重覆分析，以測值之相對 標準偏差表示之，CV 值需小於 15%。

(6) 查核樣品（quality check sample）：每批次或每 10 個樣品將執 行一個查核樣品，擬以檢量線中間重量之標準品（不同於建

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