在上一節中已討論過在不同間隔層厚度下 Mark Size 跟 CNR 值 的關係，接著在本節中將討論 writing power 與 CNR 之間的關係。
圖3-6-1 spacer=10nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-1 可看出 spacer=10nm 時：
(1)當記錄點大於繞射極限時，隨著讀取功率的增加，CNR 隨寫入功 率上升而增加的趨勢越來越明顯。
(2)當記錄點小於繞射極限且讀取功率大於或等於 4mW 時，其 CNR 明顯的會隨寫入功率上升而增加，且越小之記錄點需要越大的寫入功 率其記錄點訊號才可被讀出。
圖3-6-2 spacer=20nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-2 可看出 spacer=20nm 時：
(1) 當記錄點大於繞射極限時，隨著讀取功率的增加，CNR 隨寫入功 率上升而增加的趨勢越來越明顯，此情況和 spacer=10nm 時相同。
(2) 當記錄點小於繞射極限時讀取功率要大於或等於 3mW 其記錄點 訊號才可被讀出，又當 Pr=3mW 時其 CNR 值並不會隨寫入功率的上 升而增加，且過大之寫入功率會造成 CNR 值下降，其原因主要是由 於過高雷射寫入功率之熱效應造成 GST 層的破壞使其和 ZnS-SiO2
形成沾黏所造成。又當 Pr=4mW or 5mW 時其 CNR 會隨寫入功率上 升而增加且 5mW 較 4mW 時更為明顯，且在較高讀取功率下，當寫 入功率較大時其 CNR 並不會有明顯的下降情形產生。
圖3-6-3 spacer=30nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-3 spacer=30nm，對小於繞射極限之記錄點當 Pr=3mW 時 CNR 較不會隨寫入功率增加而有上升的情況且過高之寫入功率會造 成 CNR 值下降；當讀取功率上升至 5mW 時，CNR 隨寫入功率上升 而增加的情形較為明顯且較大之寫入功率並不會造成 CNR 值下降。
圖3-6-4 spacer=40nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-4 可看出 spacer=40nm 時對小於繞射極限之記錄點而言當 Pr=3mW 時其 CNR 值並不會隨寫入功率的上升而增加且較大之寫入 功率產生的熱效應會造成 GST 層的破壞，因此 CNR 值會下降，又 當 Pr=4mW 或 5mW 時其 CNR 值會隨寫入功率上升而增加且在較大 之寫入功率下，CNR 值下降的情況並不像 Pr=3mW 時那麼嚴重。
圖3-6-5 spacer=50nm時writing powerr對CNR之關係圖
由圖 3-6-5 可看出 spacer=50nm 時對小於繞射極限之記錄點而言，
當 Pr=3mW 時其 CNR 並不會隨寫入功率上升而增加且過高之寫入功 率會造成 CNR 值的下降，又當 Pr=4mW 或 5mW 時 CNR 會隨寫入 功率的增加而上升且較高之寫入功率所造成 GST 層被破壞的情況較 Pr=3mW 時輕微。
圖3-6-6 spacer=60nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-6 可看出 spacer=60nm 時對小於繞射極限的記錄點而言當 Pr=4mW 或 5mW 時 CNR 會隨寫入功率的上升而一直增加但
Pr=3mW 時則不會有此現象。又在低讀取功率下(3mW)較高之寫入 功率會非常明顯的降低 CNR 值而高讀取功率下(4mW 或 5mW)此情 況則較為和緩。
圖3-6-7 spacer=70nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-7 可看出當 spacer=70nm 時:
(1)當讀取功率較小時(1mW 及 2mW)，其 CNR 隨寫入功率的變化趨 勢並不顯著。
(2)當 Pr=4mW or 5mW 時其 CNR 隨寫入功率上升而增加的趨勢較 Pr=3mW 時明顯，此點和間隔層厚度小於或等於 60nm 時情況相同。
(3)當間隔層厚度增加至 70nm 時在 Pr=3mW 且高寫入功率下(20mW 以上)其 CNR 的驟降情形會較間隔層小於及等於 60nm 時和緩很多, 故此現象可以 spacer=60nm 當作分水嶺。
圖3-6-8 spacer=80nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-8 可看出當 spacer=80nm 時:
(1)當間隔層厚度上升至 80nm 時，在 Pr=3mW 下其 CNR 值會隨寫 入功率上升而有所增加，此現象在間隔層小於或等於 70nm 時較不會 發生。
(2)Pr=4mW or 5mW 時，其 CNR 隨寫入功率上升而增加的趨勢較 Pr=3mW 明顯，此現象和間隔層厚度小於或等於 70nm 時情況相同。
(3)當 Pr=3mW 時在高寫入功率下(大於 20mW)其 CNR 值不會有明顯 的下降情況產生。
圖3-6-9 spacer=90nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-9 可看出當 spacer=90nm 時:
(1)當讀取功率較小時(1mW 及 2mW)，寫入功率上升至 23mW 或 25mW 時其 CNR 值會產生驟降，此情況和 spacer=80nm 時相同，
其原因是由於熱效應使 GST 層遭到破壞所致。
(2)當 Pr=3mW 時隨著寫入功率的上升，其 CNR 值會有些微的增加，
但其上升的趨勢並不如 Pr=4mW 或 5mW 時來的明顯。
(3)當 Pr=3mW 時在高寫入功率下其 CNR 值不會有明顯下降的情況。
圖3-6-10 spacer=100nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-10 可看出當 spacer=100nm 時:
(1)當讀取功率較小(1mW 及 2mW)且寫入功率上升至 23mW 或 25mW 時，其 CNR 值會發生驟降。
(2)當 Pr=3mW 時隨著寫入功率的上升，CNR 值會有些微的增加，但 其上升的趨勢並不如 Pr=4mW 或 5mW 時來的明顯。
(3)Pr=3mW 時在高寫入功率(大於 20mW)下，CNR 值不會有明顯下 降的情況發生，此現象和間隔層較薄時不同。
圖3-6-11 spacer=150nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-11 可看出當 spacer=150nm 時:
(1)讀取功率較小(1mW 及 2mW)的情況下，當寫入功率上升時，對大 於繞射極限之記錄點而言，其 CNR 值會略為增加但幅度並不大。
(2)對小於繞射極限之記錄點而言，當 Pr=4mW 或 5mW 時，其 CNR 值隨寫入功率上升而增加的趨勢會較 Pr=3mW 時明顯。
(3)當 Pr=3mW 時在高寫入功率下，其 CNR 值不會像間隔層較薄時 有明顯驟降的現象。
圖3-6-12 spacer=200nm時writing power對CNR之關係圖
由圖 3-6-12 可看出當 spacer=200nm 時:
(1)當讀取功率較低(1mW 及 2mW)，寫入功率過大時(大於或等於 23mW)，其 CNR 值會有明顯的下降現象產生，此情況和 spacer
=80nm、90nm、100nm 相同。
(2)對小於繞射極限之記錄點而言，當 Pr=4mW 或 5mW 時，其 CNR 值隨寫入功率上升而增加的趨勢會較 Pr=3mW 時明顯。
(3)當 Pr=3mW 時在高寫入功率下，其 CNR 值不會像間隔層較薄時 會有明顯驟降的現象。
在看完上述之實驗結果後，我們可以歸納出以下幾個現象：