在本節中我們將討論不同間隔層厚度下讀取功率對 CNR 的關係。
圖3-7-1 spacer=10nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-1 可看出 spacer=10nm 時對小於繞射極限的記錄點而言，
當寫入功率上升，若要得到較高之 CNR 值則讀取功率也應跟著上升。
圖3-7-2 spacer=20nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-2 可知 spacer=20nm 時對小於繞射極限之記錄點而言，在 較低之寫入功率(19mW 及其以下)下，高讀取功率會對記錄點產生擦 拭(erase)效果造成 CNR 下降，而在高寫入功率(21mW 及其以上)情 況下，高讀取功率較不會對記錄點造成擦拭效應，因此 CNR 值不降 反升。
圖3-7-3 spacer=30nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-3 可知 spacer=30nm 時：
(1)對大於繞射極限之記錄點，當讀取功率較大時，其記錄點被擦拭的情況以低 寫入功率較高寫入功率明顯。
(2)對小於繞射極限之記錄點較小寫入功率 (7mW 或9mW)其最佳讀取功率為 3mW 而較大寫入功率(25,23, 21mW)其最佳讀取功率為4mW 或5mW。
圖3-7-4 spacer=40nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-4 可知 spacer=40nm 時對小於繞射極限的記錄點，當記錄 點尺寸較大時(200nm~160nm)若要得到較佳之 CNR，高寫入功率較 適合高功率讀取，而低寫入功率較適合低功率讀取。
圖3-7-5 spacer=50nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-5 可知 spacer=50nm 時
(1)對大於繞射極限之記錄點而言，拉高讀取功率只會對 CNR 值產生 負面的影響，並不會有助於 CNR 的提升。
(2)對小於繞射極限之記錄點而言其最佳讀取功率為 4mW 或 5mW。
圖3-7-6 spacer=60nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-6 可知 spacer=60nm 時：
(1) 對大於繞射極限之記錄點而言，在高功率讀取的狀況下，高寫入 功率之記錄點較低寫入功率之記錄點抗擦拭的能力強。
(2) 對小於繞射極限之記錄點，其最佳讀取功率應為 4mW 或 5mW。
圖3-7-7 spacer=70nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-7 可知當 spacer=70nm 時：
(1)對低寫入功率(9mW~13mW)之參數而言在讀取功率從 4mW 上升 至 5mW 的情況下隨著記錄點的縮小，其 CNR 值會從下降轉為上升。
(2)小於繞射極限之記錄點，其最大之 CNR 值皆發生在高讀取功率下。
圖3-7-8 spacer=80nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-8 可知當 spacer=80nm 時：
(1) 對大於繞射極限之記錄點，在高功率讀取下，低寫入功率其 CNR 值會下降而高寫入功率較不會有此現象。
(2)最佳讀取狀況來說 CNR 值的下降主要發生在 Mark =140~100nm。
圖3-7-9 spacer=90nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-9 可知當 spacer=90nm 時：對小於繞射極限之記錄點，當 記錄點大小在 200nm 到 140nm 時，對高寫入功率(20mW 以上)而言 只要低讀取功率(3mW)就可激發出其近場效果，但當記錄點縮小至 120nm 及 100nm 時則高寫入功率較適合搭配高讀取功率。
圖3-7-10 spacer=100nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-10 可知當 spacer=100nm 時：在低寫入功率(7mW~11mW) 下當讀取功率從 4mW 上升至 5mW 時：
(1) 記錄點為 200nm 及 180nm 時，部分寫入參數上升部份下降。
(2) 記錄點為 160nm 到 100nm 時，全部寫入參數之 CNR 值都會下降。
圖3-7-11 spacer=150nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-11 可知 spacer=150nm 時，當記錄點大小為：
(1)對大於繞射極限的記錄點，當讀取功率上升至 4mW 或 5mW 時對 低寫入參數而言其 CNR 值會下降但高寫入參數並不會有此現象。
(2)對小於繞射極限的記錄點，在固定記錄點大小下，高寫入功率會 有較佳之表現且較適合搭配高讀取功率(4mW 或 5mW)。
圖3-7-12 spacer=200nm時read power對CNR之關係圖
由圖 3-7-12 可知當 spacer=200nm 時，對小於繞射極限之記錄點且 在 25mW 的寫入條件下，當記錄點大小為 200nm 及 180nm 時需採 用較高之讀取功率(4mW 或 5mW)，但當記錄點大小下降時(160nm 及其以下) 則對高低讀取功率的差異較不敏感。
在看完上述的實驗後，我們可歸納出以下幾個現象：