2-1-1 雷射消融法(Laser Ablation Method)
雷射消融法是利用高能量的脈衝雷射，轟擊放置於石英爐管內的
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2-1-2 水熱法(Hydrothermal Method)
水熱法為一種簡易製備奈米線的方式；將基板放置於適當濃度的
2-1-3 碳還原法(Carbothermal Reduction)
碳還原法是利用碳將氧化物還原形成金屬元素或是次氧化物
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2-1-4 熱蒸鍍法(Thermal Evaporation)
熱蒸鍍法通常是利用高溫爐管加熱製造出溫度梯度，高溫分解反 應物後，再藉由化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)或是 化學氣相傳遞(Chemical Vapor Transport, CVT)方式，使反應物蒸氣與 腔體氣體或是基板反應，合成出一維奈米結構。熱蒸鍍法有別於其他 (ohmic contacts)、蕭基能障接觸(Schottky barrier contacts)、閘極電極 (gate electrodes)或是內連線(interconnects)等微電子元件上的應用[22,23]，
9 8 V/µm 和 5.4 V/µm；也有很大的增強因子(enhancement factor)，大約 為 500[24]和 800[25]。TaSi2和矽化鎳奈米線一樣具有良好的場發特性
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foil)反應能夠生成 Ni31Si12的奈米線[28]；若在鎳薄片前端，放置 NiCl2
做為前驅物，則能改變生成的相，得到 NiSi2奈米線[27]。以 Ni2Si 粉 末作為反應物，碘做為傳遞劑(transport reagent)，能在矽基板上生成 Ni2Si 奈米線[29]。而 NiSi 相的奈米線可以利用 MIG(Metal- induced growth)的方式合成[30]，此外，亦可利用固相反應(solid reaction)方式 生成，將矽奈米線和鎳奈米線利用退火，使鎳原子擴散進入矽奈米線
分別為Co3Si、Co2Si、CoSi和CoSi2，從表2-1可以得知它們的晶體結 構，為Hexagonal、Orthorhombic和Cubic結構，觀察Co-Si二元相圖(圖
11 團聚(agglomeration)，故可以降低接觸電阻[37]。根據摩爾定律(Moore's law)，元件尺寸將隨時間呈現倍數的減少，當矽化鈷縮小至奈米尺度 時，其特性將不同於塊狀材料。以一維的矽化鈷奈米結構為例，可以 利用Co(SiCl3)(CO)4[38]或CoCl2[39,40]作為單一前驅物，皆可以在矽基板 上得到CoSi奈米線，對矽基板與前驅物生成反應式中，CoSi為反應熱 力學中最穩定相(thermodynamically stable phase)[39]，若在矽基板上放 sapphire作為基板，控制鈷蒸氣濃度，除了CoSi奈米線外，還可以得 到不同相之Co2Si和Co3Si奈米線。矽化鈷奈米線與矽化鐵奈米線有相 同的晶體結構，由電性量測的I-V曲線得知，CoSi奈米線其電阻率會 隨溫度增加而漸漸提高，屬於類金屬(metallic)性的奈米線[38] 。此外，
CoSi奈米線還具有很好的場發特性[40]，起始電壓低(約為1.42 V/µm)，
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容易克服功函數，發生穿隧效應，而增強因子可以用來判斷材料場發 優劣的依據，對CoSi奈米線而言，ß值可高達1000左右，所以為一很 好的場發材料，且具化學穩定性佳的優點，因此未來有機會可以應用 在場發射平面顯示器(FED)，作為場發射電子源。除此之外，CoSi奈 米線不同於塊狀材料時的反鐵磁性[41]，表面未成對的鈷原子會使 CoSi奈米線具有鐵磁性，且具有一負的磁阻變化率[41]，此種塊狀與 奈米材料上的變化，也由Seo等人所探討。 因此，矽化鈷奈米線具有 多元的特性，值得被廣泛研究討論。
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圖 2-1 雷射消融法示意圖[7]
圖 2-2 利用雷射消融法生長奈米線的機制[7]
圖 2-3 以碳還原法合成 ZnO 奈米線[16]
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表 2-1 Ti、Co、Ni矽化物的物理性質[34]
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圖 2-4 Co-Si二元相圖[34]
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表 2-2 不同矽化物的特性[36]
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