一、晶圓代工技術流程
將電晶體、二極體、電阻器及電容器等電路元件，聚集在矽晶片上，形成完整的電 路，稱之為積體電路。晶圓代工技術流程，如圖 2-10。晶圓代工廠在取得客戶委託的 積體電路產品製造訂單後，將電子產品的設計圖透過光罩製作轉製在數層光罩上，再以 矽晶圓為基材，經過一連串重復的技術步驟，包括晶圓清洗、薄膜沉積技術、微影技術、
蝕刻技術、離子佈植技術等重複的技術，將每一層光罩上的設計圖案轉置在晶圓上，每 片晶圓在完成製造程序後，即可在晶圓上形成數百到數仟顆相同的積體電路小晶片。產 品設計公司將晶圓送至晶片包裝廠切割、封裝，再送經最終電性測試，即可銷售上市。
晶圓製造流程(晶圓代工)的範圍，也是整個產業價值鍊中產值最大的一塊。
圖2-10 晶圓代工製程流程圖 資料來源; 參考文獻 42
二、IC設計流程簡介
電的標準90奈米技術就需求約40個微影次數。另外我們也常以一個工廠的微影技術所能
染的可能性。一般說來封裝流程有晶圓固定、晶圓切割、紫外線照射、黏晶、導線架銲 接、銲線、封膠、電鍍、剪切/成型、檢測及印字等幾個步驟。
八、IC測試簡介
IC測試分為晶片測試(CP，chip probe)與最終測試(FT，final test)。晶片測試 (CP)包括了晶圓針測產品分類(主要目的是測試晶圓中每一顆晶粒的電器特性，線路的 連接，檢查其是否為不良品，若為不良品，則點上一點紅墨水作為識別之用)、雷射修 補(目的是修補那些尚可被修復的不良品，提高產品的良品率。當晶圓針測完成後，擁 有備份電路的產品會與其在晶圓針測時所產生的測試結果資料一同送往雷射修補機 中，這些資料包括不良品的位置，線路的配置等。雷射修補機的控制電腦可依這些資料，
嘗試將晶圓中的不良品修復)、加溫烘烤加溫(目的為將點在晶粒上的紅墨水烘乾、清理 晶圓表面)。最終測試(FT)相對於晶片測試(CP)為封裝後之測試。
九、CMOS簡介
MOS就是MOSFET的簡稱，而所謂MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 指的就是金氧半電晶體，其結構就如同字面上的意義，是由金屬、氧化層、
及半導體疊在一起所構成的電晶體。MOS依其傳導載子的不同可以分為PMOS及NMOS二種 MOS。若將這二種MOS合在一起使用則稱為互補式金氧半電晶體，即為Complementary MOS）。CMOS的優點為操作時比較省電，也因此一般積體電路設計就是以CMOS技術為主。
第三章、研究模式與架構
從文獻探討中發現技術研發績效的評估方式上，許多學者以投入-產出關係與過程 之觀點，來探討技術研究發展，以作為研發績效評估模式。本章就此觀點提出本研究之 研究架構，再介紹研究對象，最後是資料蒐集方法。