第四章 實驗結果與討論
4.3 賽吩自組裝分子實驗結果
4.3.3 真空吸附的賽吩 NEXAFS 光譜結果
於 180 K 下吸附賽吩 1 L 並以 X 光入射角 20°、40°與 90°來進行 NEXAFS 的量測，得到圖 4-42。圖中可觀察到兩個明顯特徵峰，分 別位於能量 285.9 與 287.7 eV，根據文獻的報導34，兩特徵峰來自於 1s →π*與 1s →π*+σ*C-S。隨著角度的變化，所量測到的光譜曲線有 明顯的差異，但是三個角度的趨勢不太一致。以 285.9eV 特徵峰的相 對強度來對照不同傾角向量對 X 光入射角的強度關係圖後(圖 4-43)，
則推測賽吩分子是以與表面夾角約 30°的角度吸附於表面上。
4.3.4 溶液浸泡製備的賽吩分子 TPD 結果
背景訊號的量測於賽吩 TPD 實驗中已經完成，所以直接進行樣 品的測量。將浸泡 1 mM 賽吩溶液 4.5 小時的金(111)晶面送入超高真 空系統中進行程溫脫附，得到結果圖 4-44。圖中可觀察到質荷比 34 amu 於 450 至 700 K 之間出現一寬大的脫附峰，質荷比 39、41 與 84 amu 主要脫附峰則出現在 640 K，質荷比 51 amu 的主脫附峰出現在 750 K。
圖4-42：180 K下吸附賽吩1 L後樣品進行NEXAFS實驗所得到的PEY訊號，阻擋電壓為-150 V。
NEXAFS光譜結果的分子吸附傾角分析。圖中的三個黑點代表 20°、40°與90°下進行量測所得到的實驗數據。
300 400 500 600 700 800 900
x0.5
x0.25 x0.5
m/z=
34 amu
39 amu
41 amu
51 amu
84 amu
M u ltim ass T D S S ig n al ( co u n ts/s )
Temperatuer (K)
圖 4-44：浸泡 1 mM 賽吩溶液 4.5 小時的 TPD 圖譜。
件下浸泡單晶達 10 小時，則賽吩分子於表面的吸附量應該已達到飽
167 166 165 164 163 162 161 160 159
Binding Energy (eV)
圖 4-25(a)：以電子起飛角 30°進行量測所得的賽吩 S 2p XPS 能譜，
hν = 255 eV。
167 166 165 164 163 162 161 160 159
2000
Binding Energy (eV)
圖 4-25(b)：以電子起飛角 70°進行量測所得的賽吩 S 2p XPS 能譜，
hν = 255 eV。
1 mM賽吩溶液32小時後的樣品進行NEXAFS實驗得到的PEY訊號，阻擋電壓為-150 V。
到的光譜曲線有些微的差異。以 285.9eV 特徵峰的相對強度來對照不
溶液浸泡法製備賽吩樣品NEXAFS光譜結果的分子吸附傾角分析。圖中的三個黑點代表 20°、40°與90°下進行量測所得到的實驗數據。
的量測下，得知賽吩分子與表面分別以約 30°與 57°的角度吸附於表 面上。
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附圖
Binding Energy (eV)
附圖 1：金(111)浸泡 1 mM 芳杯溶液中 5 小時後所量測到的大範圍
289 288 287 286 285 284 283 282 281
Binding Energy (eV)
附圖 4：80 K 下吸附 1.3 L 二賽吩分子所得到的大範圍 XPS 能譜，hν
= 325 eV。
287 286 285 284 283 282
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 5：80 K 下真空吸附二賽吩 C 1s XPS 能譜，hν = 325 eV。
300 250 200 150 100 50 0
C Auger Au 4f
S 2p
S 2s C 1s
Intensity (a.u.)
287 286 285 284 283 282 281
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 7：80 K 下真空吸附二賽吩 C 1s XPS 能譜，hν = 325 eV。
86 85 84 83 82
525K 400K 270K 165K 80K
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 8：各加熱溫度下所得到的真空吸附二賽吩 Au 4f XPS 能譜變 化，hν = 325 eV。
286 285 284 283 282 281
525K 400K 270K 165K
80K
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 9：各加熱溫度下所得到的真空吸附二賽吩 C 1s XPS 能譜變化，
hν = 325eV。
Au 4f
S 2p Au Auger
C 1s
Intensity (a.u.)
290 289 288 287 286 285 284 283 282
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 11：二賽吩 C 1s XPS 能譜，hν = 325 eV。
86 85 84 83 82
900 K 560 K 500 K 300 K
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 12：各加熱溫度下所得到的二賽吩 Au 4f XPS 能譜變化，hν = 325 eV。
288 287 286 285 284 283 282
900 K
560 K 500 K
300 K
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 13：各加熱溫度下所得到的二賽吩 C 1s XPS 能譜變化，hν = 325 eV。
C Auger Au 4f
S 2p S 2s
Au Auger C 1s
Intensity (a.u.)
300 250 200 150 100 50 0
C Auger Au 4f
S 2p
S 2s Au Auger C 1s
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 15：80 K 下吸附 1.6 L 賽吩分子所得到的大範圍 XPS 能譜，hν = 325 eV。
287 286 285 284 283 282
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 16：80 K 下真空吸附賽吩 C 1s XPS 能譜，hν = 325 eV。
86 85 84 83 82
Binding Energy (eV)
附圖 17：各加熱溫度下所得到的真空吸附賽吩 Au 4f XPS 能譜變化，
300 250 200 150 100 50 0
Au 4f
S 2p Au Auger
C 1s
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 19：金(111)浸泡 1 mM 賽吩溶液中 32 小時後所量測到的大範圍 XPS 能譜，hν = 325 eV。
289 288 287 286 285 284 283 282 281
Intensity (a.u.)
Binding Energy (eV)
附圖 20：賽吩 C 1s XPS 能譜，hν = 325 eV。
簡歷 出生： 民國 69 年 3 月 13 日 籍貫： 台灣省台北市
學歷： 台北市立忠孝國民小學 台北市立懷生國民中學 台北市立建國高級中學 國立交通大學應用化學系 國立交通大學應用化學所碩士班