核能物質、設施及設備
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0A 系統、設備及零件
0A001 〝核子反應器〞及其特別設計或製備之設備及零件如下：
a. 〝核子反應器〞；
b. 金屬槽或其工廠製造組裝之主要元件，包括反應器壓力槽之頂蓋，
其特別設計或製備為容納〝核子反應器〞之爐心者；
c. 操控設備，特別設計或製備用於〝核子反應器〞燃料之裝填或取 出；
d. 控制棒及其支撐或懸吊之結構、驅動裝置與導管，特別設計或製備 用於控制〝核子反應器〞中之核分裂過程；
e. 壓力管，特別設計或製備使用在裝有燃料元件與主要冷卻劑之〝核 子反應器〞內；
f. 鋯金屬管或鋯合金管(或管束組合)，特別設計或製備用於〝核子反 應器〞之內，及其數量超過 10 kg；
說明：鋯金屬壓力管參照 0A001.e.，壓力槽管參照 0A001.h.。
g. 冷卻劑泵或循環器，特別設計或製備用於〝核子反應器〞內主冷卻 劑之循環；
h. ‵核子反應器內部組件′，特別設計或製備用於〝核子反應器〞之 內，包括爐心支撐柱、燃料通道、壓力槽管、熱防護罩、擋板、爐 心柵格板與擴散器板；
技術註解：
在 0A001.h.中，‵核子反應器內部零件′係指在反應器槽中之任何 主要結構，具有 1 種或以上功能，例如支撐爐心、維持燃料調準、
引導主冷卻劑之流向、提供反應器槽輻射防護罩，與指引爐心內儀 錶等。
i. 熱交換器，如下：
1. 蒸汽產生器，特別設計或製備用於〝核子反應器〞主或中間冷卻 循環；
2. 其他熱交換器，特別設計或製備用於〝核子反應器〞主冷卻循 環；
註解：0A001.i.不管制反應器的支援系統之熱交換器，例如緊急冷卻 系統或衰變熱冷卻系統。
j. 為用於測定〝核子反應器〞爐心中之中子通量程度而特別設計或製 備之中子偵測儀器。
k. ‵外部熱防護罩′，特別設計或製備用於〝核子反應器〞之降低熱 損失且保護圍阻槽。
技術註解：
在 0A001.k.中，‵外部熱防護罩′係指放置在反應器壓力槽之主要結 構，其降低反應器熱損失及降低圍阻槽溫度。
0B 測試、檢驗及生產設備
0B001 工廠及特別設計或製備之設備及零件，用於分離〝天然鈾〞、 〝耗乏 鈾〞或〝特別可分裂物質〞內所含之同位素，如下列：
a. 特別設計用於分離〝天然鈾〞、〝耗乏鈾〞或〝特別可分裂物質〞
內所含之同位素之分離工廠，如下列：
1.氣體離心分離工廠；
2.氣體擴散分離工廠；
3.空氣動力分離工廠；
4.化學交換分離工廠；
5.離子交換分離工廠；
6.原子蒸氣〝雷射〞同位素分離工廠；
7.分子〝雷射〞同位素分離工廠；
8.電漿分離工廠；
9.電磁分離工廠；
b. 氣體離心機、組件及零件，特別設計或製備用於氣體離心分離製 程，如下列：
技術註解：
在 0B001.b.‵高強度-密度比材料′係指下列任一者：
1. 極限抗拉強度為 1.95GPa或以上之麻時效鋼；
2. 極限抗拉強度為 0.46GPa或以上之鋁合金；或
3. 〝纖維狀或絲狀材料〞其〝比模數〞大於 3.18 × 106 m及〝比抗 拉強度〞大於 7.62 × 104 m；
1. 氣體離心機；
2. 完整之轉子組件；
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3. 由‵高強度-密度比材料′製成之轉子圓柱管，其壁厚度為 12mm或以下，直徑介於 75 mm至 650 mm之間；
4. 由‵高強度-密度比材料′製成之環圈或風箱，設計用於支撐 轉子管或連結物件，其壁厚度為 3mm或以下，直徑介於 75 mm至 650 mm之間；
5. 由‵高強度-密度比材料′製成之檔板，直徑介於 75 mm至 650 mm之間，安裝於轉子管內部；
6. 由‵高強度-密度比材料′製成之頂蓋或底蓋，直徑在 75 mm 至 650 mm之間，適合轉子管之末端；
7. 磁浮軸承如下：
a. 軸承組合包括環狀磁鐵懸掛於由〝抗UF6腐蝕材料〞製造 或保護之機殼中，包含阻尼媒介，且具有適合轉子頂蓋之 磁耦合電極片或第二磁鐵；
b. 主動磁浮軸承，特別設計或製備用於氣體離心機用。
8. 特別製備之軸承，包含裝置於阻尼器上之樞軸杯組件；
9. 由圓柱體組成之分子泵，具有內部機械製成或擠壓成型之螺 旋溝槽及內部機械鑽成之孔洞；
10. 多相交流磁滯(或磁阻)馬達之環狀馬達定子，其在頻率 600 Hz或以上及功率範圍 40 VA或以上時之真空中同步操作；
11. 離心機之機殼/接納容器包含氣體離心機之轉子管組件，由堅 固圓筒構成，其壁厚度達 30 mm，彼此平行且與圓筒縱軸線 垂直在 0.05 度或以下；
12. 由特別設計或製備之管組成之杓斗，其透過皮托管作用，由 離心機轉子管內部抽取UF6氣體，及可被固定於中央抽氣系 統；
13. 特別設計或製備之頻率轉變器(轉換器或反向轉流器)，俾供 馬達定子進行同位素濃縮，具有下列特性及特別設計之零件：
a. 多相頻率輸出達 600 Hz或以上；及 b. 高穩定性(頻率控制優於 0.2 %)；
14. 關斷及控制閥，如下：
a. 關斷閥，特別設計或製備作用於進料、產品，或個別氣體 離心機之後端UF6氣流；
b. 風箱閥、關斷或控制閥，由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保 護，直徑介於 10 mm至 160 mm之間，特別設計或製備以用
於氣體離心濃化廠之主要或輔助系統；
c. 設備及零件，特別設計或製備用於氣體擴散分離製程，如下列：
1. 由多孔性金屬、聚合物或陶瓷等〝抗UF6腐蝕材料〞製造之氣體 擴散膜，其孔徑介於 10 至 100 nm之間，厚度為 5 mm或以下；
若為管狀者，其直徑為 25 mm或以下；
2. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之氣體擴散機殼；
3. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之壓縮機或氣體鼓風機，其 UF6之吸入容積為 1 m3/min或以上，排放壓力高達 500 kPa且壓 力比在 10：1 或以下；
4. 旋轉軸密封用於 0B001.c.3.所述之壓縮機或鼓風機，及設計用於 緩衝裝置，其氣體內漏率小於 1,000 cm3/min；
5. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之熱交換器，其在壓力差為 100 kPa情況下，其滲漏率使其壓力上升限制在每小時低於 10 Pa；
6. 手動或自動、關斷或控制之風箱密封閥，由〝抗UF6腐蝕材料〞
製造或保護者；
d. 設備及零件，特別設計或製備用於空氣動力分離製程，如下列：
1. 由裂縫狀彎曲通道構成之分離噴嘴，其通道曲率半徑小於 1 mm，
可抗UF6腐蝕，噴嘴內有刀緣式分隔，使通過噴嘴之氣體分離為 兩道氣流；
2. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之圓筒或圓錐管(渦流管)，並 有 1 個或以上之正切氣流入口；
3. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之壓縮機或氣體鼓風機，並具 旋轉軸密封；
4. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之熱交換器；
5. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製造或保護之分離單元機殼，包含渦流管 或分離噴嘴；
6. 手動或自動、關斷或控制之風箱密封閥，由〝抗UF6腐蝕材料〞
製造或保護者，其直徑 40 mm或以上者；
7. 由承載氣體(氫氣或氦氣)中分離UF6至含量小於 1 ppm之處理系 統，包括：
a. 低溫熱交換器與低溫分離器，溫度可至 153 K(-120 °C)或以下 者；
b. 低溫冷凍單元，其溫度可至 153 K(-120 °C)或以下者；
c. 用於由承載氣體中分離UF6之分離噴嘴或渦流管單元；
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d. UF6冷阱可凍結UF6者；
e. 設備與零件，特別設計或製備用於化學交換分離製程，如下列：
1. 快速液體-液體脈衝交換柱，其階段滯留時間為 30 秒或以下者，
並可抗濃鹽酸者(如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃製造 或保護者)；
2. 快速液體-液體脈衝離心接觸器；其階段滯留時間為 30 秒或以下 者，並可抗濃鹽酸者(如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃 製造或保護者)；
3. 抗濃鹽酸溶液之電化學還原電池，用於將鈾由一價狀態還原至 其它狀態；
4. 可自有機流中取得U+4之電化學還原電池進料設備，及與製程流 體接觸之零件，由適合之材料(如玻璃、氟碳聚合物、聚苯硫酸 酯、聚醚碸與浸潤樹脂石墨)製造或保護者；
5. 為生產高純度氯化鈾溶液之進料製備系統，包括溶解、溶劑萃 取，及/或用於純化離子交換設備；以及將鈾U+6或U+4還原成為 U+3之電解電池；
6. 將U+3氧化為U+4之鈾氧化系統；
f. 設備及零件，特別設計或製備用於離子交換分離之製程，如下 列：
1. 快速反應型離子交換樹脂、薄膜或多孔大網狀樹脂，其化學活 性交換群被限制在非活性多孔載體結構及其他合適之組合結構 之表面塗層，該結構包括顆粒或纖維，其直徑為 0.2 mm或以下，
可抗濃鹽酸，設計具有交換速率之半數時間小於 10 秒，並可於 373 K(100 °C)至 473 K(200 °C)之溫度下操作；
2. 離子交換柱(圓筒狀)其直徑大於 1,000 mm者，由抗濃鹽酸之材料 製造或保護(如鈦金屬或氟碳塑膠)，具有在 373 K(100 °C)至 473 K(200 °C)之溫度及 0.7 MPa以上之壓力下操作能力；
3. 離子交換回流系統(化學或電化學氧化或還原系統)，用於離子交 換濃縮串級組中之化學還原劑或氧化劑之再生；
g. 設備及零件，特別設計或製備用於雷射基礎之分離製程，其使用 原子蒸汽雷射同位素分離，如下：
1. 鈾金屬蒸氣化系統，其使用雷射濃縮，設計用於輸出 1 kW或以 上之傳輸功率至目標；
2. 液體或蒸汽鈾金屬處理系統，其使用雷射濃縮，特別設計或製 備用於處理熔融態鈾、熔融態鈾合金或鈾金屬蒸汽，及為其特 別設計之零件；
說明：參照 2A225。
3. 產品與後端收集系統組件，其用於鈾金屬在液體或固體狀態，由 抗鈾金屬蒸氣或液體之高熱與腐蝕的材料製作或保護，如氧化 釔包覆之石墨或鉭；
4. 為容納鈾金屬蒸氣來源、電子束槍與產品及後端收集器之分離 器模組機殼(圓柱形或長方形容器)；
5. 特別設計或製備為分離鈾同位素之長時間操作，且具有頻譜頻 率安定器之〝雷射〞或〝雷射〞系統；
說明：參照 6A005 及 6A205。
h. 設備與零件，特別設計或製備用於雷射基礎之分離製程，其使用分 子雷射同位素分離，如下：
1. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製成之超音波膨脹噴嘴，用於冷卻UF6混 合物及承載氣體至 150 K(-123 °C)或以下；
2. 產品或尾端收集系統組件或零件，其特別設計或製備用於收集 鈾材料或鈾後端材料跟隨雷射照射，由〝抗UF6腐蝕材料〞製 成；
3. 由〝抗UF6腐蝕材料〞製成或保護之壓縮機，及其旋轉軸密封；
4. 將UF5(固態)氟化成UF6(氣態)之設備；
5. 由承載氣體(如氮氣或氬氣或其他氣體)中分離UF6之處理系統，
包括：
a. 溫度可至 153 K(-120 °C)或以下之低溫熱交換器與低溫分離器；
b. 溫度可至 153 K(-120 °C)或以下之低溫冷凍單元；
c. UF6冷阱可凍結UF6者；
6. 特別設計或製備為分離鈾同位素之長時間操作，且具有頻譜頻 率安定器〝雷射〞或〝雷射〞系統；
說明：參照 6A005 及 6A205。
i. 設備及零件，特別設計或製備用於電漿分離之製程，如下列：
1. 為製造或加速離子之微波動力來源與天線，其輸出頻率大於 30 GHz，且平均輸出功率大於 50 kW；
2. 頻率大於 100 kHz，並可處理平均功率大於 40 kW之無線頻率離 子激發線圈；
3. 鈾電漿產生系統；
4. 刪除；