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道次 電流梯度(A) 電鑄時間(min) 電流密度(ASD) 鑄層累積之平均厚度 (µm)

3.3 子計畫二 微加工製程的整合化技術研發

3.3.1 放電與電化學製程之複合化加工應用

3.3.1.2 結果與討論

3.3.1.2.1 火花反應的觀察與氣泡行為探討

電極的沒入深度不同,各深度量測的平均電流與換算所得的單位面積電流密度也呈 現變化。圖 50 為平均電流密度與電極沒入深度的變化。當電極端面剛接觸液面時,此 時的電流密度是最大的,主要的反應區域為電極端面。當電極逐漸下降時,反應面積除 了電極底面也包括電極側面而逐漸加大,由於而平均電流上升的幅度卻遠不及反應面積 加大的幅度,所以平均電流密度呈現明顯陡降的趨勢。此種現象可以說明,沒入電解液 的直立電極,電極端面是主要的火花釋放區域,電極的側面產生火花釋放的頻率遠低於 電極底面。電極端面由於與氣泡上升方向垂直,其形成的氣泡層容易轉變為穩定的氣膜 包覆,而薄層的氣膜結構有利於電離作用,當瞬間導通時導致較強的火花作用。

圖 50 平均電流密度與電極沒入深度的關係

放電機制必須伴隨電解氣泡的不斷發生才有持續火花放電的效果。隨著電壓上升會 使氣泡層結構也會發生變化。臨界電壓之下,氣泡的移動主要靠浮力與電極表面依附的 張力;臨界電壓之上,轉折電壓之下,火花均勻發生於微小氣泡之間,氣泡的移除與縫 隙縫合時間較短,在 0.1ms 上下。電壓略高於轉折電壓時,火花為點狀分佈,電壓加 大時,火花出現掃動現象,來自於一群氣泡結構的連動破壞。轉折電壓之上,氣泡的移 除主要靠瞬間電解加熱與電弧放電擴散,造成氣泡吹散的驅動力,氣泡薄膜結構破壞之 後縫合的速度較慢,因此可以明顯觀察到電弧放電火光呈現擴散樣,如圖 51 所示,火 光的閃動週期約在 0.5ms 與 2.5ms 之間。當電壓大於轉折電壓 10%左右時,此穩定的 火花放電機制已經形成,氣泡層的結構僅有一部份的氣泡層形成薄膜氣牆,氣泡接觸周 遭空氣後在液體表面的行進方向為輻射擴散,液體則在氣泡下層往電極反應區,進行滲 透、對流等作用。當電壓大於轉折電壓 20%左右,氣泡生成速率較快,氣泡層會沿電極 上升超過液面,配合電極旋轉會形成具有穩定厚度與高度的上湧攀附氣泡層,如圖 51(中)所示,此時氣泡層的結構有大部分都是薄膜氣牆,形成電極與電解液之間持續穩 定電離作用的介面。此薄膜氣牆在接觸周圍大氣之後,未即時脫離至空氣中的部分,形 成上湧攀附的氣泡層。當電壓大於轉折電壓 30%左右,上湧氣泡層的輪廓形成自然的啤 酒桶狀,這是表面張力、離心力、浮力平衡下的結果。

圖 51 氣泡層沿電極表面攀附 圖 52 氣泡與電極表面接觸側之反應 量測到火花發生的頻率在 0.5kHz~2KHz 左右,若完全靠氣泡的游移(浮力),是無 法提供此脈衝電流發生的比率。因此真正的反應驅動力(driving force)應該來自陰陽 兩極的電場。氣泡吹大之後(薄膜厚度、直徑),增加電阻,使氣泡加熱,特別是氣泡與 陰極接觸的一側,因為該處電阻最大,溫度上升最快,因此氣泡受電流加熱而擊破瞬間,

引出火花,如圖 52 所示。當氣泡破壞後,內部包覆的導電蒸汽或少許液體以及氣泡周 圍的電解液會與電極重新接觸,形成新的反應循環。氣泡生成、移除、迸出火花的因果 關係可以用下列連串過程說明:氣泡堆積→氣泡受壓→電阻上升、加熱→形成薄膜→迸 出火花→氣泡吹除→生成新氣泡,週而復始。

3.3.1.2.2 電流釋放波形觀察與探討

除了直接對火花與氣泡的局部觀察,尚可透過電壓與電流釋放波形的觀察,瞭解 ECDM 反應的能量密度與脈衝電源參數調變的關連性。當氣泡包覆時,則電壓施加的瞬

間,如圖 53 所示,釋放的脈衝電流若無法引起明顯的過衝(overshoot)性質,表示電壓 休止時間不足,無法導致部分微小氣泡移除,或是微小氣泡增長為過於穩定的較大氣泡 而阻礙電壓作用瞬間過衝電流的釋放。脈衝電流釋放的高度與寬度影響了平均能量密 度,以玻璃材料而言,脈衝電流大小需 0.8A 以上才有明顯的蝕刻效果。若脈衝電流作 用較多,則整體蝕刻效率會提升。頻率與衝擊因子決定了電壓作用時間與電壓休止時 間,由高速攝影的影像變化中,可以看出 5M 濃度的電解液,其火花出現的平均間隔時 間為 0.1~2ms,為了達到有效的氣泡包覆反應,並且在單一脈衝電壓中能夠出現兩次以 上脈衝電流釋放,電流作用時間最少應以 2ms 的兩倍為基準,故理想電源的頻率約為 166Hz 至 200Hz 左右,如果電壓作用時間與電壓休止時間設定值與電極的反應面積及電 解液濃度等條件不能搭配好,則可能出現如圖 54 所示的電流波形,脈衝電流出現間歇 性的停頓現象,並且出現極高的瞬間脈衝電流值。

圖 53 脈衝電流釋放的型態變化 圖 54 間歇性停頓的電流釋放 3.3.1.2.3 電極尺寸的影響

由圖 50 所使用三種不同尺寸的電極可看出電極尺寸越大,平均電流越大但平均電 流密度相對較低。以不同電極尺寸而言,電極越大,相同沒入反應深度下,反應面積較 大,平均電流增加的幅度不如面積增加的幅度,平均電流密度相對地下降。不同尺寸的 電極除了對電流密度有影響外,對臨界電壓、轉折電壓的影響,如圖 55 所示沒入一定 深度下,尺寸越大,臨界電壓與轉折電壓都隨電極尺寸加大而有上升的趨勢。

圖 55 臨界電壓與轉折電壓隨電極尺寸加大而上升 圖 56 電極消耗型態

(a) (b)

(c) (d)

3.3.1.2.4 電極消耗的探討

耗較多,不會產生曲線的消耗輪廓,而孔加工因受往上排除的玻璃細渣的剝蝕,故側面 的材料為 0.88mm,電源設定為電壓 60V,頻率 250Hz,衝擊因子 0.7,電極轉速為 400RPM,

依進給速率的變化,換算不同加工深度可達到的材料蝕刻速率,如圖 11 所示。加工一

3.3.1.2.6 Pyrex 玻璃基板之孔加工

經過上述電源參數與進給控制策略的搭配,使用直徑 1.9mm 的中空紅銅管電極,

在厚度 0.6mm 的 Pyrex7740 玻璃基板上,進行總孔數為 36 的微孔洞連續加工測試。結 果如圖 60 所示,孔洞的入口端與出口端直徑相差在 0.17mm 以內,入口端部分有略微的 圓弧導角,較垂直的孔壁部分其表面粗糙度在 0.6μm 左右。孔徑變化方面,以單支電 極加工一塊基板,因為電極會在側面消耗,所以孔徑會逐漸變小,最終孔的內孔為 1.92,與最初孔的內孔為 2.07,相差為 0.15mm。出口端孔徑與標準孔徑誤差為 3%以內,

入出口端的孔徑相差為 9%以下,孔壁的表面粗糙度 Ra 為 0.7μm。

本研究驗證了在已經製作好微流道的 Pyrex wafer 上,利用 ECDM 製程可以成功製 作出符合注樣要求的孔洞,並利於後續黏合的製程,為重複使用式生物晶片提供了一個 經濟且可靠的加工方法。

3.3.1.3 結論

本研究藉由高速攝影觀察氣泡的動態反應與分佈,透過示波器記錄釋放電流波形 的特徵,對 ECDM 機制提出更詳細的辨析;並探討電極尺寸大小及電極材質對電流密 度、電壓變化、電極消耗等等造成的影響。最後配合能量密度的變化,制定出隨加工深 度而調整進給速率之進給控制策略,以減少孔的入口端與出口端的微裂發生,提高加工 的品質。就本研究結果與分析討論可得以下幾點結論:

1. 電流密度會受電極的沒入深度影響,最大的電流密度發生在電極端面剛接觸液面 時。此現象說明,電極的側面產生火花釋放的頻率遠低於電極底面,電極端面是主 要的火花釋放區域,且電極端面形成的氣泡層容易轉變為穩定的氣膜包覆,當瞬間 導通時導致較強的火花作用。

2. 電極尺寸越大,雖然反應面積較大使平均電流增大,但平均電流增加的幅度不如面 積增加的幅度,平均電流密度相對地下降。因為臨界電壓與轉折電壓都隨電極尺寸 加大而有上升的趨勢,瞬間火花釋放的門檻相對變高。

3. 氣泡穩定度受電壓影響,臨界電壓之上,轉折電壓之下,火花均勻發生於微小氣泡

Micro fluidic channel O.D. = 2.12mm

I.D. =1.95mm

圖 60 Pyrex 基板加工結果

之間,氣泡的移除與縫合時間較短,放電火光的閃動週期在 0.1ms 上下;電壓略 層,因為放電火花衝擊,佈滿了放電坑 (Crater)與微裂痕 (Microcrack),而影響使用品 質。故放電加工後表面還要再經過拋光處理,拋光的種類很多,主要分為游離磨粒拋光、

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