圖 3-1-1、脈衝頻率 1Hz，不同脈衝次數燒蝕聚醯亞胺表面
（a）50;（b）100;（c）150;（d）200
圖 3-1-2、脈衝頻率 10 Hz，不同脈衝次數燒蝕聚醯亞胺表面
圖 3-1-3、脈衝頻率 0.2 Hz，不同脈衝次數燒蝕聚醯亞胺表面
（a）50;（b）100;（c）150;（d）200
圖 3-1-4、脈衝頻率 0.1 Hz，不同脈衝次數燒蝕聚醯亞胺表面
3-2、掃描式電子顯微鏡與能量散佈光譜分析
積沒有變大，可能是脈衝頻率快，殘留的應力累加所造成；在燒蝕面
圖 3-2-1、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 50 次之 SEM 圖
圖 3-2-2、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 100 次之 SEM 圖
圖 3-2-3、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 150 次之 SEM 圖
圖 3-2-4、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 200 次之 SEM 圖
圖 3-2-5、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物之 SEM 圖
圖 3-2-6、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物之 EDS 圖
表 3-2-1、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物元素組成
圖 3-2-7、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 50 次之 SEM 圖
Element Weight(%) Atomic(%)
C 49.92 55.68
N 21.81 20.86
O 27.83 23.31
Ca 0.44 0.15
圖 3-2-8、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 100 次之 SEM 圖
圖 3-2-9、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 150 次之 SEM 圖
圖 3-2-10、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 200 次之 SEM 圖
圖 3-2-11、脈衝頻率 10Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物之 SEM 圖
圖 3-2-12、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物之 EDS 圖
表 3-2-2、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 200 次圓錐體凸起物元素組成
Element Weight(%) Atomic(%)
C 54.88 60.33
N 20.75 19.56
O 24.36 20.11
Ca 0.02 0
圖 3-2-13、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 50 次之 SEM 圖
圖 3-2-14、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 100 次之 SEM 圖
圖 3-2-15、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 150 次之 SEM 圖
圖 3-2-16、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 150 次之 EDS 圖
表 3-2-3、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 150 次之元素組成
圖 3-2-17、脈衝頻率 0.2 Hz，脈衝次數 200 次之 SEM 圖
Element Weight(%) Atomic(%)
C 52.44 58.04
N 20.56 19.51
O 27.02 22.45
Ca 0 0
圖 3-2-18、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 50 次之 SEM 圖
圖 3-2-19、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 100 次之 SEM 圖
圖 3-2-20、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 150 次之 SEM 圖
圖 3-2-21、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 150 次之 EDS 圖
表 3-2-4、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 150 次之元素組成
圖 3-2-22、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 200 次之 SEM 圖
綜合以上圖表論述，在不同脈衝頻率的實驗參數下，準分子雷射 照射聚醯亞胺薄膜產生的燒蝕結構也有不太相同，脈衝頻率的快慢，
也會造成照射材料的燒蝕結構不同。同時發現脈衝次數為 100 次的條
Element Weight(%) Atomic(%)
C 56.6 61.82
N 21.87 20.48
O 21.61 17.72
Ca 0 0
件下，低於脈衝次數 100 次，燒蝕後的結構排列較為凌亂，但高於脈
聚醯亞胺薄膜的類似石墨碳的結構的 XRD 圖，與 JCPDS card
#41-1487 石墨碳比較（2θ=26°），見附圖Ι，發現 2θ位置有偏移的 現象，可能在準分子雷射照射時，造成碳分子間重新排列，晶格排列 方式與石墨碳的晶相不完全相同，而在 1970 年，Nakamizo 等人33 提到在不同排列方式的碳結構拉曼光譜也有不同的訊號產生，見圖 3-3-7，屬於多晶石墨，所以晶相位置有所偏移。
圖 3-3-1、脈衝頻率 1 Hz，脈衝次數 200 次之拉曼光譜圖
1322 1578
圖 3-3-2 脈衝頻率 1 Hz，不同脈衝次數之 XRD 圖
頻率 脈衝次數 2θ(°) Intensity(a.u.)
1Hz 50 29.16 528
1Hz 100 29.16 640
1Hz 150 29.16 1006 1Hz 200 29.16 1358
圖 3-3-3、脈衝頻率 10 Hz，不同脈衝次數之 XRD 圖
頻率 脈衝次數 2θ(°) Intensity(a.u.)
10Hz 50 29.40 932
10Hz 100 29.40 832
10Hz 150 29.40 660
10Hz 200 29.40 572
圖 3-3-4、脈衝頻率 0.2 Hz，不同脈衝次數之 XRD 圖
頻率 脈衝次數 2θ(°) Intensity(a.u.)
0.2Hz 50 29.44 772
0.2Hz 100 29.44 846 0.2Hz 150 29.44 982 0.2Hz 200 29.44 1246
圖 3-3-5、脈衝頻率 0.1 Hz，不同脈衝次數之 XRD 圖
頻率 脈衝次數 2θ(°) Intensity(a.u.)
0.1Hz 50 29.24 448
0.1Hz 100 29.24 678 0.1Hz 150 29.24 734 0.1Hz 200 29.24 1062
表 3-3-5、不同脈衝頻率，脈衝次數為 200 次之晶體距離
片電阻率（sheet resistivity, ρ）在電阻上的某一點之電場與電流
λ(Å) 2θ(°) 晶體距離(Å )
0.1 Hz 1.54 29.24 3.05
0.2 Hz 1.54 29.44 3.03
1 Hz 1.54 29.16 3.06
10 Hz 1.54 29.40 3.03
片電阻的倒數為片導電率（式 3-3）
圖 3-4-2、脈衝頻率 10 Hz，脈衝次數 200 次之 I-V 曲線圖
圖 3-4-4、脈衝頻率 0.1 Hz，脈衝次數 200 次之 I-V 曲線圖
表 3-4-1、不同脈衝頻率為 1 Hz、10 Hz、0.2 Hz、0.1 Hz，脈衝次數 200 次之片導電率
由上述結果得知，準分子雷射照射聚醯亞胺薄膜後，在脈衝頻率 低於 1 Hz 情況下，聚醯亞胺薄膜的片導電率沒有相差太多，沒有因 為不同的脈衝頻率，而導電率也不同，如圖 3-4-5 所示。
電阻 片電阻率(ohm-cm) 片導電率(1/ohm-cm) 0.1 Hz 4.11E+07 2.57E+05 3.89E-06 0.2 Hz 5.56E+07 3.48E+05 2.88E-06
1 Hz 2.47E+07 1.54E+05 6.48E-06
10 Hz 3.02E+06 1.89E+04 5.30E-05