4-1 離子植入機臺移機除污完成後之擦拭採樣分析結果
本次分析一共29 個樣本，使用的採樣方法是以 37 mm 的混酸纖維素濾紙(MCE) 沾去離子水擦拭。當擦拭區域規則平整表面時，擦拭的面積為 10 cm × 10 cm 的範 圍，計14 個樣本; 不規則表面，則考慮擦拭的面積 100 cm2大小，計15 個樣本。
附表為所有砷的分析結果，分析的數據的結果包含兩種方式，以分析質量(μg)與 單位面積的分析質量( μg/cm2)來表示，其中單位面積的濃度是以擦拭 10 cm × 10 cm 的面積來計算。
在不規則表面的十五個採樣點，皆可以發現有無機砷的存在。濃度範圍從0.03 μg 到 96.73 μg，在這些樣本中以 Extraction Assy 的濃度最高，但不是以 10 cm × 10 cm 的擦拭面積來採樣，僅是這些元件表面的砷的污染量。除了 Extraction Assy 之外在 Beam stop assy 可以量測到 17.51 μg，其他 13 個採樣點的濃度則是低於 10 μg。
在規則表面的十四個採樣點，依次濃度最高為 Extraction Chamber 濃度為 0.27 μg/cm2，其他採樣點在10 cm × 10 cm 的擦拭區域，詳如分析濃度結果附錄二所示
。
表4-1 國內機臺移轉採樣結果
廠商(代號) 平均值(μg) 參考標準值(μg) 備註 T-1 u 13.877 < 100
T-2 a 11.374 < 100 T-2 b 7.076 < 100 T-2 c 1.627 < 100
M213 1.426 < 100
M422 4.095 < 100
表4-2 國外機臺移轉採樣結果
廠商(代號) 平均值(μg) 參考標準值(μg) 備註
Micron 4.428 < 100
DTI – M410 5.131 < 100 DTI – M413 5.979 < 100
1. Ion-Source Assy 離子源總成 2. Extraction Assy 吸引電極總成 3. Extraction chamber 吸引電極反應室
4. Process chamber interior bottom 製程反應室內壁下方 5. Process chamber interior top 製程反應室內壁
6. Wheel 飛輪
7. Beam line base frame 離子路徑之抽氣管路 8. Source isolation valve 離子源隔離閥門 4-2 除污清理廠商作業環境採樣
表4-4 除污廠採樣結果(2) 空氣中砷採
樣 mean RSD
%
換算濃度
(g/L) 換算重量(μg) 流量 (ml/min)
採樣 時間 (min)
採樣總 體積(L)
實際濃度 (μg/m3) (personal
葉XX) 0.061 2.92 1.42 0.0141 1649 80 131.92 1.07*10-1 (personal
范XX) 0.035 4.08 0.3524 0.0035 1689 68 114.852 3.07*10-2 噴沙室As
製程 0.012 0 N.D. N.D 1616 70 N.D. N.D.
噴沙作業室 0.007 14.24 N.D. N.D. 1725 66 113.85 N.D.
噴沙室的
As 製程 0.009 12.71 N.D. N.D. 1706 67 114.302 N.D.
噴沙作業室 0.008 13.18 N.D. N.D. 1943 63 122.409 N.D.
*濾紙樣本經消化後定量成 10ml
*氫化法原子吸收光譜儀(HG-AAS)之儀器偵測極限(IDL) 為 0.169 μg/L.
換算成空氣中砷濃度即為1.54*10-5 (μg/ m3)
*N.D.(Non-detectable)係指< 1.54*10-5 (μg/ m3)
4-3 國外作業環境取樣結果
Entry area to analyzing magnet 20-Sep-01 27 Door bar leading into fume hood
room(left)
21-Sep-01 4.2 Toxic vacuum 21-Sep-01 540 IPA bottle-pre PM 25-Mar-02 430 Floor wipe-between yellow tape
markings
25-Mar-02 410 Floor wipe-in front of analyzing
magnet work area
25-Mar-02 62 IPA bottle-post PM 25-Mar-02 92 Exterior of John Wilson’s respirator
after PM
25-Mar-02 Exterior of source cab-on top of
warning label(Pre-clean)
5-Feb-02 40 Top of trash can-center 10x10
starting at lip of lid
5-Feb-02 93 Bushing, lower portion 5-Feb-02 250 Glove (after cleaning) 5-Feb-02 650 Exterior of source cab-on top of
warning label (post cleaning)
5-Feb-02 112 Top of vacuum cleaner 5-Feb-02 56 Floor below source cabinet (interior
of tool)
5-Feb-02 130 Small toxic vacuum-on/off switch
and 1/2 of handle
5-Feb-02 26
4-4 研究限制
1. 除污廠商配合意願不佳:
半導體產業較其他產業製程有著較高的機密性，願意配合除污廠商不多，所以取 樣有所限制。雖然經過多次接洽，但是願意配合的廠商只有A 公司。該公司位於新竹 工業區內，接近新竹科學工業園區。
2. 離子植入機台移機次數較少
新竹與台南科學工業園區之離子植入機臺移機次數受限於廠商南北之間機臺對調 或對於國外移機之時段。因此配合移機臺之取樣次數並不如預期之次數，形成取樣之 分析機會較少。
3. 定期維護保養空檔時間縮短
基於產能，離子植入機臺上機時間及人事成本考量之壓力，半導體晶圓的製造 廠採用委外廠商進行定期維護保養之例行性工作。受限於半導體製程上機時間之目標 的達成率，要求設備供應廠商及除污廠商配合時段，逐次縮短定期維護保養停機時 間，採取先行清除污染之零件置廠。因此，日班時段可以取樣時段較少。
4. 離子植入機臺當機突發事件
除了定期維護保養之例行性工作外，僅僅一次能夠於離子植入機臺當機突發時 段取樣。因此，受限於次數，較難執行比較及分析。