我們測量了幾组無序程度不同的 ITO 奈米線，在室溫電阻率約 200(cm) 的樣品 ITO_r 中，我們經由弱局域效應對磁電阻的擬合發現了很長的相位破壞長 度L，從 0.25K 到 40K 其值約為 520nm 到 180nm，由於它在各個溫區其值都大於 奈米線的直徑，所以我們得到很嚴謹的一維弱局域效應的結果。我們對得到的L 擬合後找出電子-電子散射時間和電子-聲子散射時間與溫度的關係，並且比較理 論計算的結果發現電子-電子散射強度接近一維金屬中的電子-電子散射理論。
而我們在另外較無序而其室溫電阻率比較大的樣品中(約 1000(cm))，
得到較短的相位破壞長度，在 0.25K 的值約為 200nm，隨著溫度增高L縮短後，
在較高溫的地方會出現一維弱局域效應過渡到三維的行為，比較我們一維弱局域 效應擬合出來的結果，得到較矛盾的結論，並且用三維弱局域效應擬合的結果不 太好。而我們去擬合樣品 ITO_f 12K 以下的L，這部分仍在一維的範圍，而我 們也比較了電子-電子散射時間其實驗值得到的結果也接近一維金屬中的電子-電子散射。
然而在我們的奈米線也測量另一種量子干涉現象：普適電導漲落，發現在較 有序的樣品 ITO_r 中，其隨時變的普適電導漲落對溫度有很明顯的關係，我們進 而從這個結果分析出L與溫度的關係，不過跟弱局域效應得到的結果差了約一 個數量級，這個問題可能需要更多的討論和研究。
附 錄
由於 ITO 奈米線在分析實驗結果時，很多參數必頇要用到一個很重要的物理 量：費米能量(Fermi Energy)，所以我們利用實驗室中量測 15nm 的 ITO 薄膜，
因為：
因為這個樣品的室溫電阻率為 149(cm)，很接近我們的樣品 ITO_r，
所以我們樣品 ITO_r 的費米能量即參考這邊的結果。同樣的我們也參考之前實驗 室學長的論文[35][38]，找出接近我們樣品 ITO_f 的費米能量約為 0.4eV。然後 我們的 Fermi velocity、diffusion constant …等常數皆可得到。
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