1. 根據 STM 與 AFM 分析，我們發現鐵蛋白經氫氧化鈉處理的 FT 其寬度變寬、高度變低、並且中心會逐漸塌陷，而鐵蛋白經鹽酸溶液 處理前後其寬度變寬、高度變低，但中心無逐漸塌陷之傾向。
2. 我們由 FT 於液相 STM、氣相 STM 與 AFM 所得影像分析之，發 現FT 高度以液相 STM 最高，寬度則以 AFM 最寬。
第五章 未來展望
1. 以 Circular Dichroism(CD)探討鐵蛋白浸泡於 NaOH、HCl 溶液中隨 時間變化的二級結構變異分析。
2. 以 C-AFM 技術探討鐵蛋白浸泡於 NaOH、HCl 溶液中隨時間變化 的導電差異情形，分析鐵蛋白電子傳遞行為之影響情形。
3. 以 STM 技術探討
A. 鐵蛋白於其他環境的表面形貌結構變異分析。
B. 缺鐵鐵蛋白形貌與酸鹼環境中的表面形貌結構變異分析，並比較 鐵蛋白之分析結果。
C. 其他蛋白質形貌與酸鹼環境中的表面形貌結構變異分析。
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附錄
圖3-20 ITO 的 STM 影像。掃瞄範圍為 500 nm × 500 nm，掃瞄速度 512 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-21 氣相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為30 nm × 30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-22 氣相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為30 nm × 30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-23 氣相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為30 nm × 30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-24 氣相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為30 nm × 30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-25 液相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為20 nm × 20 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 5.6 nA。
(A) (B)
圖3-26 液相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為20 nm × 20 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 5.6 nA。
(A) (B)
圖3-27 液相下所得的 FT 剖面(A)寬度；(B)高度 STM 影像。掃瞄範 圍為20 nm × 20 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏壓 100 mV，穿隧電流 5.6 nA。
(A) (B)
圖3-28 FT 的 AFM 剖面(A)寬度；(B)高度影像。掃瞄範圍為 30 nm
× 30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-29 FT 的剖面(A)寬度；(B)高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm
× 30 nm，掃瞄範圍為 30 nm × 30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-30 FT 的剖面(A)寬度；(B)高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm
× 30 nm，掃瞄範圍為 30 nm × 30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-31 FT 的剖面(A)寬度；(B)高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm
× 30 nm，掃瞄範圍為 30 nm × 30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-32 FT 的剖面(A)寬度；(B)高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm
× 30 nm，掃瞄範圍為 30 nm × 30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-33 FT 浸泡於 1 M NaOH 中維持 15 min 所得之剖面(A)寬度；
(B)高度 STM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧 偏壓100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-34 FT 浸泡於 1 M NaOH 中維持 20 min 所得之剖面(A)寬度；
(B)高度 STM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧 偏壓100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-35 FT 浸泡於 1 M NaOH 中維持 5 min 所得之所得之剖面(A)寬 度；(B)高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-36 FT 浸泡於 1 M NaOH 中維持 15 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-37 FT 浸泡於 1 M NaOH 中維持 20 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-38 FT 浸泡於 1 M HCl 中維持 10 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度STM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏 壓100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-39 FT 浸泡於 1 M HCl 中維持 20 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度STM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 5 Hz，穿隧偏 壓100 mV，穿隧電流 2.7 nA。
(A) (B)
圖3-40 FT 浸泡於 1 M HCl 中維持 10 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。
(A) (B)
圖3-41 FT 浸泡於 1 M HCl 中維持 20 min 所得之剖面(A)寬度；(B) 高度 AFM 影像。掃瞄範圍為 30 nm×30 nm，掃瞄速度 0.5 Hz。