• 沒有找到結果。

30℃時球晶大小約 15-20μm。使用超薄切割出適當厚度,可在偏光 顯微鏡下觀測出明顯球晶的馬爾他十字的特徵。

(3) 熱壓成形時提高冷卻水溫,使材料在緩和速率下冷卻而有較多時間 摺疊分子鏈,會使核心層與中間層的球晶變大及數量變多。

(4) 熱壓成形時照射雷射光,核心層的球晶變化如下所述:冷卻水溫 50

℃時,保壓階段有雷射照射(34-48μm)<無雷射照射(50-62μm)

<熱壓階段有雷射照射(52-64μm)<全程有雷射照射(60-66μm); 冷卻水溫 30℃時,無雷射照射(15-20μm)<全程有雷射照射(22-27 μm)<保壓階段有雷射照射(30-48μm)<熱壓階段有雷射照射

(32-48μm)。雷射光所提供的能量亦可促進球晶的成核與成長,

而其效果與其施加的時機有關。

5.2 改進建議

在本實驗中仍有部分需要改進並且檢討的地方列舉如下:

(1) 在提高熱壓溫度時,會發現微結構部分容易產生全面崩塌現象,推 測是熱壓時黏彈性材料與微結構模仁緊密接觸,開始熱壓後使微結 構裡氣體造成倒塌狀況,建議做一個封閉式模具且安裝抽真空系統,

幫助排除微結構裡的雜質與氣體,對熱壓微成形品品質有所提升。

(2) 由於微結構部分散熱較快,以致於無法得到良好的深寬比且無法得 到高次結構,可以配合學長開發的可自發熱模仁在熱壓時加熱,使 微結構內部的熱量足夠讓分子鏈排列成片晶或球晶,且也有較佳的 微結構深寬比。

(3) 可以使用微熱差掃描卡計(Differential scanning calorimetry, DSC)

來計算明確結晶度差別,可對高次結構與材料本身相關做更佳的解 釋。

(4) 如果能妥善運用兩道或兩道以上雷射光的交集,將可發展出三維精 確定位的高次構造控制技術。

參考文獻

[1] Kensall D. Wise,“Integrated sensor, MEMS, and Microsystems:

Reflections on a fantastic voyage”, Sensors and Actuators A, Vol.136, pp.39-50, 2007.

[2] Riordan, M.,“The Lost History of the Transistor. Spectrum”, IEEE Spectrum, pp.44-49, 2004.

[3] Gregory T. A. Kovacs, Nadim I. Maluf, and Kurt E. Petersen,,“Bulk Micromachining of Silicon.”, Proceeding of the IEEE, Vol.86, N.8, pp.1536-1551, 1998.

[4] James M. Bustillo, Roger T. Howe, and Richard S. Muller.“Suface Micromachining for Microelectromechanical Systems.”, Proceeding of the IEEE, Vol.86, N.8, pp.1552-1574, 1998.

[5] Liu,Foundations of MEMS,高立圖書有限公司,民國 97 年 1 月。

[6] 陳仲宜,陳芙靜,精微成形技術之前瞻應用市場及發展趨勢分析,金 屬工業研究發展中心,民國 96 年 11 月。

[7] M. Heckele, W. Bacher, K.D. Muller,“Hot embossing – The molding technique for plastic microstructures”, Microsystem Technologies, Vol.4, pp.122-124, 1998.

[8] L. J. Heyderman, H. Schift, C. David, J. Gobrecht, T. Schweicer,“Flow begaviour of thin polymer films used for hot embossing lithography”, Microelectronic Engineering, Vol.54, pp.229-245, 2000.

[9] Patrick W. Leech,“Patten replication in polypropylene films by hot embossing”, Microelectronic Engineering, Vol.85, pp.181-186, 2008.

[10] F. O. Olsen, L. Alting,“Pulsed Laser Materials Processing, ND-YAG versus CO2, Lasers”, Annals of CIPP, Vol.44, pp.141-145. 1995.

[11] G. Casalino, E. Ghorbel,“Numerical model of CO2 laser welding of thermoplastic polymers”, Journal of Materials Processing Technology,

Vol.207, pp.63-71, 2008.

[12] 林寶三,雷射原理與應用,全華科技圖書股份有限公司,民國 76 年 2 月。

[13] T. Lippert, T. Nakamura, H. Niino, A. Yabe,“Laser induced chemical and physical modifications of polymer films: dependence on the irradiation wavelength”, Vol.109-110, pp.227-231, 1997.

[14] T. Lippert, T. Nakamura, H. Niino, A. Yabe,“Irradiation Wavelength Selective Surface Modification of a Triazeno Polymer”, Macromolecules, Vol.29, pp.6301-6309, 1996.

[15] W. Pfenging, A. Ludwig, K. Seemann, R. Preu, H. Mackel, S. W. Glunz,

“Laser micromachining for applications in thin film technology”, Applied Surface Science, Vol.154-155, pp633-639, 2000.

[16] C. Wochnowski, S. Metev, G. Sepold,“UV-laser-assisted modification of the optical properties of polymethylmethacrylate”, Vol.154-155,

pp.706-711. 2000.

[17] C. Wochnowski, M. A. Shams Eldin, S. Metev,“UV-laser-assisted degradation of poly(methyl methacrylate)”, Polymer Degradation and Stability, Vol.89, pp.252-264, 2005.

[18] 林建中,高分子材料科學,文京圖書有限公司,民國 78 年 4 月。

[19] 李育德,高分子導論,國興出版社,民國 72 年。

[20] Ulrich Eisele et al., Introduction to Polymer Physics, Translated by Stephen D. Pask, Springer-Verlag, New York, 1990.

[21] 胡德,高分子物理與機械性質(上、下),渤海堂文化公司,民國 79 年

的結晶特性的初步探討,國立交通大學碩士論文,民國 92 年。

[25] 劉安誠,微/次微米結構的射出成形特性暨可自發熱模仁的發展與應用,

國立交通大學博士論文,民國 96 年。

[26] 張維哲,聚丁二酸二乙酯、聚丁二酸二丙酯及其共聚酯之檢測分析、

結晶、熔融與結晶形態,國立中山大學碩士論文,民國 95 年。

[27] 范智翔,丙烯及聚甲基丙烯酸甲酯射出成形品的高次構造之初步觀察 與分析,國立交通大學碩士論文,民國 97 年。

相關文件