可觀察到 stacking fault等缺陷的產生。
4.另外我們在 HRTEM的觀察下可以發現高厚度的量子井成長的情況不如
5-2 未來研究工作
目前研究的樣品銦含量為15%，未來將針對較高銦成份的材料做進一 步的研究，希望能進一步探討富銦相類量子點結構形成的機制，來與本論 文做個結合比較。
量子井結構可適當的提高發光效率，但如果成長層數過多將使應力 變大而造成差排缺陷的形成，未來我們將試著成長不同層數的量子井來 研究它的光學特性以找出最適宜的參數。
基板間的晶格不匹配所造成的差排缺陷是造成發光效率不佳的主 因，而buffer層結構能有效的阻擋差排缺陷延伸至發光層，未來我們將試 著改變buffer層的成分及厚度來改善差排的形成。
由於InGaN材料本身存在著極化場而導致量子侷限史塔克效應的產 生，未來我們將研究非極化的InGaN材料來做交叉比較以了解它的光學特 性。
未來我們將進行電激發光(EL)的量測以和光激發光(PL)做連結比 較，來佐證他的光學特性。
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