一、Al2O3(11_00)/V/NiFe的部份
1. 在本研究中，我們成功的製備了Al2O3( 0 )/V/NiFe的樣品，並且經由釩為種 子層，並改變最上層成長鎳鐵的溫度，發現到鎳鐵的晶粒大小會隨著溫度的 提高而呈現出增大的現象。
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2. 從 XRD 量測中發現在 2θ 角度為 77.10°時確實出現了 V 為 bcc(211)的繞射峰，
並且鎳鐵並不會產生其他的晶相。
3. 由 MOKE 量測結果，當外加磁場方向與磁易軸方向平行時，其磁滯曲線的方 正度高；當外加磁場方向與磁難軸方向平行時，其磁滯曲線的方正度最差，
所以單軸磁異向性應是來自於磁晶異向性的結果。
4. 在 VSM 的量測中，隨著成長溫度的增加，飽合磁化量亦會隨之增加，但於 400℃以上後，下層的釩會擴散至鎳鐵膜中而使得飽合磁化量降低。
5. 經由 MFM 量測可知在殘餘磁化量 Mr 時，除了水平方向的磁矩之外，會有部 分垂直於膜面的磁矩存在。
二、AAO/NiFe 的部份
1. 我們製備了 AAO(20,200)/NiFe 的樣品，並於 SEM 看出鎳鐵於 AAO200 上的 成長機制為一開始在corner region 處成核成長，進而向上先形成三角錐狀，
接著核團持續成長為近似奈米顆粒狀的結構，再持續向上成長而成為柱狀結 構；而隨著不斷的堆積下，會構成連續的網狀結構。
2. 由 XRD 中發現此鎳鐵膜成長的方式下，所得到的是為一多晶結構。
3. AAO20/NiFe 於濺鍍秒數較長時的磁異軸為垂直膜面，磁難軸為平行膜面。
但在AAO200 上的 NiFe 隨不同秒數，於 VSM 上可清楚觀察到磁易軸由垂直
膜面轉換至平行膜面，其轉換厚度約在沈積秒數為360sec 處。推測造成這些 差異的原因或許與基板表面的薄膜的奈米柱狀結構連結密度有關。並且此兩 種的矯頑場均會隨著濺鍍秒數增加而呈現上升的趨勢。
4. 經由 MFM 量測可知在濺鍍秒數少時，於殘餘磁化量 Mr 時的訊號均不顯著，
在秒數增加時可以發現除了水平方向的磁矩之外，會有部分垂直於膜面的磁 矩存在。
5. 在於濺鍍 60 秒之前，其外加磁場垂直或平行膜面所出現的共振峰只有一根，
但濺鍍秒數持續增加後便會呈現出兩個以上的共振峰，此現象或許與薄膜為 多晶的結構有關。
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