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1834年,帕兒帖(Peltier) 發現不同的介質會合處,電流方向的不同會導致 產生冷或熱的效果,其產生冷熱的大小由電流大小而定。其原理是由X及Y兩種 收或釋放的過程性質是靠電流方向。之後,William Thomson (later Lord Kelvin) 綜合西貝克效應和帕兒帖效應,介紹這兩種效應之間的相互關係,此外藉由熱力 學推導後,發表第三個熱電效應,我們稱之為湯木生效應(Thomson effect)。湯 木生效應產生的熱量吸收或當電流通過材料具有一定的溫度梯度,電流和溫度梯 度的熱量是成正比,這些發現引發了一個全新的發展工程領域與熱動力工程,研 究過程的熱能轉換成電力(西貝克效應)和熱電加熱與冷卻(即帕兒帖效應)。

1958年,由Stil’ban和Fedorovich [1],他們推導出(Thermoelectric cooling,

TEC)的冷凍速率與熱電元件厚度成反比,亦提出當TEC的輸入是步級(step-on)電

1964年,英國研究單位的J.E.Parrott 和A.W.Penn發表一篇TEC的設計相關 論文,他們更提出接觸電阻對於每單位體積下所能冷卻的最大熱量,是一重要關 鍵。

1970年,Bywaters [4]提出ESM (Equivalent Stage Method)的理論,藉著ESM 可將Gray 的數學模型中的統御方程式進行簡化,Bywaters利用簡化後的結果配合 數值方法去估測多層TEC 的動態行為。

1999年,C. L. Duang [5]架構ㄧ module,其中加入了熱源及散熱片之影響,

且邊界條件為時間之函數,但其並未對(Coefficient of Performance,COP)作出定義。

2000年,C. L. Duang[6]再利用數位輸出控制其溫差,並引用熱電阻之觀 念,探討熱電阻對效率之引響,其發現熱電阻越低則COP越高,其更發現電流上 升將造成COP的下降。

2001年,C. Lertsatitthanakorn [7]利用實驗設備量測其各點的溫度,並探討 空氣流率對致冷器所造成之影響。

1-2 熱電效應原理

致冷晶片是由半導體所組成的一種冷卻裝置,依據冷卻機制的不同,一般 可分為熱電冷卻(Thermoelectric,TE)以及熱激發(Thermionic,TI)兩種。依

3

絕對西貝克效應(Absolute Seebeck Effect,ASE),是Thermoelectric Power Generator 的基本應用原理,

Metal A

Metal B

COLD HOT

current T2 THE SEEBECK EFFECT

Metal A

Metal B

COLD HOT

T1 T2 MEASUREMENT OF

SEEBECK VOLTAGE V

current T 1

V

形成一平衡態,此時導體兩端的電位差即西貝克電壓(Seebeck voltage) V。可對應 出一絕對西貝克係數(absolute Seebeck Coefficient,ASC)α。定義為:

5

Material Seebeck Coefficien

α,(μV/K) Material Seebeck Coefficient α,(μV/K)

這是因為電荷載子(electrical charge carrier)流過界面時,電荷載子的熵 (entropy)改變所造成的結果。帕兒帖係數則定義為當單位電流在單位時間內流經

表1-1 半導體材料與金屬材料之熱電 Seebeck 係數

Metal A

Metal B COLD

(HEAT ABSORBED) HOT

(HEAT RELEASED)

T 1 T2 THE PELTIER EFFECT

圖1-2 帕兒帖效應示意圖。

dQ

1

Material X

Material Y Material Y

V

in

在P-Type矽基材之半導體中,如圖1-5所示,外加一相同之電壓,電流由左

1 效應之間的關係,Kelvin relations,分別是式(1-11)和式(1-12)。

(1-9)

0T T

湯木生稱他為“電流的比熱"(specific heat of electricity),它顯示出導體內 部電荷載子流動方向與溫度梯度方向間的關係,當載子流動方向與溫度梯度相同

1. 均勻線路定律(law of homogeneous circuit):

在單一均勻質之金屬線上,若僅改變此金屬線兩端之溫度,並不能維持一定

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生的emf。

3. 中間溫度定律(law of intermediate temperature):

任何均勻金屬所組成之熱電偶,若其兩端之溫度為T1 及T3,則其發出之emf,

熱電材料的應用還無法普遍。因此,藉以搭配先進的製程技術,有關於致冷晶片

5

1-5 本文架構

本文共分為五章,其概要內容為下:

第一章:簡述文獻回顧,並介紹本文研究背景與動機,及實驗得流程與本文架構。

第二章:介紹熱電致冷器的原理、參數介紹與其應用的範圍、優缺點。

第三章:介紹實驗設備、實驗步驟、實驗結果分析。

第四章:結果與討論。

第五章:結論與未來的展望。

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