5-1 總結
在本論文中，我們利用共焦顯微鏡與低溫系統研究兩種氮化鎵奈
米柱的光學特性。一為利用感應式耦合電漿蝕刻（ICP-RIE）技術蝕 刻出的含有多重量子井氮化鎵奈米柱，在 SEM 影像中可看出其直徑 約為 100nm；另一為利用聚集離子束（FIB），以高能離子蝕刻出含有 多重量子井的氮化鎵奈米柱，其直徑約為 500nm。這兩種差別，主要 是前者可以製作出奈米柱群，然而其奈米柱分佈的密度與奈米柱的尺 吋大小與 ICP-RIE 前鍍上的鎳層（Ni）厚度相關，鎳層愈厚，奈米柱 的尺吋可以做到愈小，然而奈米柱的分佈密度也會愈疏。這種連動關 係會使得在元件的應用及分析上受到限制。至於 FIB 法所製的奈米 柱，就不會有上述的情況，藉由無需光罩，直接寫的特性，可以讓我 們以較快速的方式，達到單根奈米柱的目標。
在光學特性的量測上，在微光激螢光光譜的分析上，均可看到兩 種樣本均有明顯的峰值藍移特性，而代入相關尺寸來研究後，我們認 為是因為蝕刻使鍵結斷裂，使得原先是壓縮的應力被釋放所得到的結 果。而其中，對於 FIB 奈米柱來說，因為尺寸較大，所以在外圍部份 可以釋放其壓縮應力，至於內側，則是保持原先的鍵結組態，因此，
在微光激螢光的分佈上，就會看到較大的半波寬分佈情形，這種情 況，就需要以曲線擬合（Fitting）的方式進行分析，藉由萃取出不同 高斯分佈的信號，在比較塊材與奈米柱的 Fitting 結果後，可以得到 應力釋放與原先無應力釋放的兩種分佈，這樣可以方便我們進行後續 的分析，也藉由這種方法，我們可以求得奈米柱在應力釋放上，壓電 場的釋放量約為 0.272MV/cm，這與 ICP-nanorod 的壓電場釋放量，
0.45MV/cm 比起來還來得小，這主要是因為奈米柱的尺寸不同有關，
尺寸愈小，壓電場的釋放量將會較大。
5-2 未來展望
對於 FIB 製造的奈米柱，對於其相關的操作及注意事項上，已經 有相當的經驗，不同尺寸的奈米柱，最小到 300nm 的奈米柱，也可 以製造出來。然而，當奈米柱的尺寸愈小，意謂著我們在 FIB 進行離 子束銑磨的時間需要更加精準的控制，否則 FIB 的高能離子束，容易 會傷害到元件，造成在後續光激螢光測試上，收光的困難。這是我們 在後續實驗上，應該要注意的一件事。
另外，對於我們的光激螢光分析，不同溫度下的光譜分析也是一 個應該完成的動作，藉由改變不同的溫度，可以推得出單根奈米柱的 應力釋放上，壓電場與溫度的關係，這會讓我們在量子效應的瞭解
上，可以與理論的值進行比對，以修正後續在量子分析上的各項參數。
無論如何，藉由聚集離子束的離子束銑磨，我們已經成功地製造 出 500nm 的奈米柱，相信日後隨著我們對機台與相關製造手法與限 制瞭解愈多，愈能在量子化的各項研究中，獲得令人振奮的結果！
參考文獻
1. Hung-Wen Huang,Chih-Chiang Kao, Tao-Hung Hsueh, Chang-Chin Yu, Chia-Feng Lin, Jung-Tang Chu, Hao-Chung Kuo, Shing-Chung Wang, Materials Science and Engineering B 113(2004) 125-129 2. M. Boroditsky, I. Gontijo, M. Jackson, R. Vrijen, E. Yablonovitch,
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol 87, No.7, April. 2000
3. Tetsuya Takeuchi, Shigetoshi Sota, Maki Katsuragawa, Miho Komori, Hideo Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki, Jpn.J. Appl. Phys.
Vol.36 (1997) pp. L382 – L385
4. Tao-Hung Hsueh, Hung-Wen Huang, Chih-Chiang Kao, Ya-Hsien Chang, Miao-Chia Ou-Yang, Hao-Chung Kuo and Shing-Chung Wang, Jpn.J. Appl. Phys. Vol.44, No.4B,2005, pp. 2661 – 2663
5. T H Hsueh, H W Huang, F I Lai, J K Sheu, Y H Chang, H C Kuo and S C Wang , Nanotechnology 16 (2005) 448 – 450
6. G. Pozina, J. P. Bergman, and B Monemar , Journal of Applied Physics, Vol.88, No.5 , 1 September 2000
7. K. Domen, R. Soejima, A. Kuramate, K. Horino, S. Kubota and T.
Tanahashi, Applied Physics Letters, Vol.73, No.19, 9 November 1998 8. H. C. Yang, P. F. Kuo, T. Y. Lin and Y. F. Chen, Applied Physics
Letters, Vol.76, No.25, 19 June 2000
9. Su-Huai Wei, NCPV and Solar Program Review Meeting , Page 712 10. M. Ferhat and F. Bechstedt, Physical Review B, Vol.65 2002
11. S. F. Chichibu, T.Sota, K.Wada, S.P. DenBaars, S. Nakamura, MRS Internal J. Nitride Semicond.Res. 451, G 2,7 (1999)
12. A.J.Steckl,I.Chyr,Page 362~365,J.Vac.Sci.Technol.B 17(2), Mar/Apr 1999
13. xP DualBeam Workstation User’s Guide, FEI Company
14. S.O.Kucheyev and J.S.Williams , Applied Physics Letters, Vol 77, No.22 , 27 November 2000
15. I.Chyr , A.J.Steckl , Page 2547~2550, J.Vac.Sci.Technol.B 19(6),
16. 馬振基，奈米材料科技原理與應用初版，全華發行，民國 92 年