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背接金屬共平面波導上洩漏波的介紹與抑制

第二章 洩漏波原理及特性

2.2 背接金屬共平面波導上洩漏波的介紹與抑制

圖2-5為背接金屬共平面波導,圖2-6為該架構的正規化傳播常數與表面波

波數的頻率響應(此圖由SDA分析求得,詳細論述留待第三章說明)。

圖2-5 CBCPW structure 圖2-6 CBCPW SDA 分析

由於表面波波數ks在任何頻率下皆大於相位常數β,使得表面波永遠存在。

我們可以宣稱此架構具有兩種主模:(1) CPW mode、(2) PPW mode,後者在低頻

時為TEM wave。兩種電場場形如圖2-7、2-8所示。

圖2-7 CPW mode 電場分佈 圖2-8 PPW mode 電場分佈

2.2.2 抑制背接金屬共平面波導上之洩漏波

在背接金屬共平面波導結構中,我們用來抑制洩漏波的方法為CBCPW with

via。使用方法如下所示:

共平面波導(CPW)的饋入為中間金屬火線,兩側金屬地線,如圖2-3。而

背接金屬共平面波導(CBCPW)則是在加上背面的金屬也為地線,如圖2-5。在

CBCPW的餽入端將兩側與背面的金屬接起來,可以確保三者等電位。但是電磁 波隨著行徑距離增加(朝Z方向),會發生上層金屬地與下層金屬地不等電位的 現象,使兩者之間產生垂直電場,如圖2-8。我們可以將這些垂直電場等效成水 平磁流,就如同我們熟知的貼片天線(patch antenna)是用前後兩端的等效磁流 輻射,這些水平磁流亦會向外側繼續延續,形成向兩側傳遞的洩漏表面波。

如果能讓三個金屬地的電位持續保持相等,理論上便可抑制基板內的表面

波,於是我們在上層金屬地與下層金屬地之間以銅柱(via)導通維持電位相等,

如圖2-9。在IC封裝裡也使用via結構隔絕電路間干擾,業界規格via以二十分 之ㄧ波長為間隔。

我們將使用全波模擬軟體(HFSS)來比較CBCPW在沒有via結構與有via

結構之間的差異。

此結構參數為:板材Rogers4003 ,ε =r 3.55 , size:50mm × 60mm , via間隔

=1.6mm , via直徑=0.4mm ,板材厚度h=1.524mm , 輸入端寬度s=0.8mm , g= 2.6mm , Z0=100Ω 。

圖2-9 CBCPW with via結構側視圖

我們模擬一個有via的CBCPW結構,如圖2-9。而沒有via的CBCPW結構,

我們為了減少波反彈的效應,我們將外圍加上吸收體的設定。因為需要使用在

12GHz的頻段上,所以波長的距離就比較小,因為考慮到實作via間隔的問題,

上層金屬(地)

下層金屬(地)

輸入端金屬

故只有把via間隔取約1/10的波長為1.6mm。圖2-10與2-11為沒有via結構與 有via結構的S11參數與S21比較:很明顯可以看出在0~14GHz裡面有via結構 的S11都比沒有via結構的S11還有低,而在S21的部分可以看到有加via結構 比沒有加via結構的好很多。

圖2-10 比較有無導通孔S11量測 圖2-11 比較有無導通孔S21量測

我們再看CBCPW表面電場的能量分佈情況,是否有via結構能夠去抑制向

兩側的洩漏波,來隔絕對兩側的干擾情形。圖2-12與 2-13為沒有via結構與有 via 結構的表面電場的能量分佈情況比較:我們可以發現有 via 結構的能夠去抑

制CBCPW向兩側的洩漏波,因此可以把via結構有效的應用來當作是隔絕外側

干擾的功用。

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