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量子點的電子結構與光學異相性

     

   

Polarization I I

I I

   

在數值計算時,使用較為精準的六能帶模型,但由於 split off 對輕重電洞的影響較小,

1/ 2 1

Pol 12

3 c

 

2 2 2

Pol 1 1

2

y

h

b

 

(3.1.19)

由此可了解到,

lh越小,輕電洞成分越多,則偏振越強。式子(3.1.19)可了解偏振與量 子點高度,大小與不對稱性的定性關係。在下個章節各種量子點的分析,由簡單模型得 到可幫助我們了解數值計算的結果。

3.2、應變效應對輕重電洞能量的影響

 

 

圖 3.2.2、塊材外加雙軸應變的示意圖。(a)XY 方向壓縮。(b)XY 方向膨脹

(a) (b)

(c)

圖 3.2.3、InAs 的塊材在四能帶模型外加雙軸應變,電子與輕重電洞在

點的能量變化。(a)電子能量。(b) 考慮 Z 方向變化的輕重電洞能量。(c)忽略 Z 方向變化的輕重電洞能量。

本論文中所計算的量子點均使用 k.p 六能帶模型,塊材中六能帶模型輕電洞與應變的關 係為:

k.p 4 band model

    9  

2

則輕重電洞能量均下降。

multiphysics® 計算量子點內外的應變。由圖(3.2.7(b))可知,量子點內 Z 方向膨脹,XY

方向壓縮,而量子點外 XY 方向膨脹,Z 方向壓縮。量子盒形狀的量子點的應變類似於 雙軸應變效應,量子點內類似雙軸壓縮效應,量子點外類似雙軸拉伸效應。由塊材的四 能帶模型可知,雙軸壓縮與拉伸的效應對輕重電洞能量造成相反的趨勢,所以如圖 (3.2.7(a))量子點內部重電洞能量上升,輕電洞能量下降,量子點外部則與內部相反。若 考慮六能帶模型,由塊材理論可知(圖 3.2.4(a)),輕電洞能量在雙軸壓縮應變效應較大時,

將會由下降的趨勢轉為上升,所以在量子點內類似雙軸壓縮效應時,六能帶模型的輕電 洞能量將會比四能帶模型高(圖 3.2.8)。

(a) (b)

圖 3.2.7、bx20(nm),by18(nm),h5(nm)的量子盒形狀量子點。(a)輕重電洞位能。(b)使用 Comsol multiphysics® 所計算的應變。

圖 3.2.8、bx20(nm),by18(nm),h5(nm)的量子盒形狀量子點的輕重電洞位能。(a)六能帶模型。(b) 四能帶模型。

真實的量子點形狀較接近於截角金字塔,由簡單的量子盒得到一些應變與位能的概 念後,以下開始討論較真實的截角金字塔形狀量子點。由圖(3.2.9)可知,電子受到類似

k.p 6 band model k.p 4 band model

雙軸壓縮應變的效應能量上升,與塊材理論趨勢相同(圖 3.2.3(a))。

圖 3.2.9、高 h5nm,長bx 20nm,寬

by 18nm 截角金字塔形狀量子點考慮應變效應對電子與輕重電洞 位能的變化。

量子盒與截角金字塔由於形狀的不同,所以應變也有所差異。由圖(3.2.10)的形變示意圖 可知,截角金字塔由於邊界為斜邊的影響使得 Z 方向膨脹量縮小,此效應在量子點頂端 最為明顯,所以

zz在量子點底部最大,量子點頂端最小(如圖 3.2.11(a))。量子點的應變 類似於雙軸效應,所以 Z 方向膨脹量縮小連帶使得 XY 方向壓縮量減少。而量子點交界 面內外不同的材料為了維持相同的晶格長度,內部的 InAs 的 XY 方向壓縮量減少,這 將會使得外部的 GaAs 的 XY 膨脹量增大。所以量子點外 Z 方向的壓縮量變得更大。由 圖(3.2.4(a))塊材的六能帶模型可知,當

較大時,輕電洞能量上升,重電洞能量下降。

所以圖(3.2.11(c)(d))量子點外能量變化趨勢與塊材理論相同。

圖 3.2.10、截角金字塔與量子盒形狀量子點的形變示意圖

(a) (b)

(c) (d)

圖 3.2.11、bx20(nm),by18(nm),h5(nm)的量子點應變。(a)截角金字塔。(b)量子盒。量子點輕重 電洞的位能。(c)截角金字塔。(d)量子盒。

截角金字塔與量子盒的應變差異在於截角金字塔量子點頂端的 Z 方向膨脹量較小,當量 子點逐漸變高時,量子點斜邊的效應越來越大,頂端 Z 方向的膨脹量將會越來越小,到 達一定高度時 Z 方向將會轉為壓縮的效應(圖 3.2.12)。所以量子點底部的應變類似雙軸 壓縮應變,越往頂端雙軸壓縮效應越來越弱,體應變的效應則越來越強。如圖(3.2.13(a)),

量子點底部類似雙軸壓縮效應,而頂端則變成 X、Y 與 Z 三個方向均為壓縮。所以量子 點底部的位能變化可由圖(3.2.13(c))的六能帶模型雙軸效應的塊材理論分析能量變化,A 點到 B 點可看出輕重電洞能量均下降,圖(3.2.13(b))也得知 A 點到 B 點的輕重電洞位能 均下降。而 B 點到 C 點的雙軸效應較弱,體應變效應較強,所以由圖(3.2.13(d))得知,

輕重電洞能量均上升,但量子點頂端仍然有較弱的雙軸效應,所以由圖(3.2.13(b))可看 出 B 點到 C 點的能量變化趨勢介於雙軸效應與體應變效應兩者之間,能量下降較為平 緩,C 點之後則有微微上升的趨勢。

圖 3.2.12、截角金字塔形狀量子點高度變高的形變示意圖

(a) (c)

(b) (d)

圖 3.2.13、bx20(nm),by18(nm),h7(nm)的量子點。(a)應變分布。(b)輕重電洞位能。InAs 的塊材 六能帶模型的

點能量變化。(c)考慮雙軸應變效應的整體能量變化。(d)忽略雙軸效應,只剩下體應變效 應的能量變化。

A B

C

A B

C

3.3、輕重電洞耦合與光學異向性

由以上可得知位能的變化之後,接著討論電子與輕重電洞的電子結構與波函數。使 用單能帶模型計算電子,六能帶模型計算輕重電洞,而計算輕重電洞時分兩部分討論:

不考慮輕重電洞耦合,討論能階與波函數的變化;考慮輕重電洞耦合,了解真實情況量 子點內的能階與波函數。

圖 3.3.1、高h5nm,長bx20nm,寬by 18nm 截角金字塔形狀量子點的電子位能與能階。

(a) (b)

圖 3.3.2、高h5nm,長bx 20nm,寬by 18nm 截角金字塔形狀量子點的電子基態波函數。(a)

z  0

(nm) 的 XY 平面。(b)y = 0(nm)的 XZ 平面。

ground state energy

ground state energy ground state energy

由圖(3.3.2)可得知電子的基態波函數在量子點中為球對稱的形式。輕重電洞的部分先討

由此可知,X、Y 方向重電洞的等校質量為

1/ (  

1

2

)

、輕電洞等效質量為

1/ (  

1

2

)

, 而 Z 方向重電洞的等效質量為

1/ ( 

1

 2 ) 

2 、輕電洞等效質量為

1/ ( 

1

 2 ) 

2 。將此結果整 理成下表,

表 3.3.1、輕重電洞在各方向的等效質量

X 方向 Y 方向 Z 方向

重電洞(heavy hole)等效質量

1 2 輕電洞(light hole)等效質量

1 2

111 111

HH potential

LH potential

R=S=0

ene rgy lev el

表 3.3.2、h=5nm,bx= 20nm,by=18nm 截角金字塔形狀量子點不考慮輕重電洞耦合時,各能態所對

(a)

不考慮輕重電洞耦合的波函數在基態(ground state)的情況下,重電洞為 100%。因此若不

圖 3.3.8、高h5nm,長bx20nm,寬by 18nm 截角金字塔形狀量子點考慮輕重電洞耦合的輕重電洞位 能與能階。

(a)

h=5nm 20nm

18nm

x y

b b

z=0

ground state

ground state

(b)

圖 3.3.9、高h5nm,長bx20nm,寬by 18nm 截角金字塔形狀量子點考慮輕重電洞耦合的基態波函數。

基態波函數均為重電洞為主要成分,並混了少量的輕電洞。(a)z = 0(nm)的 XY 平面波函數。(b)y= 0 (nm) 的 XZ 平面波函數。

h=5nm 20nm

18nm

x

y

b b

y=0

ground state

(a) (b)

差有關。當輕重電洞能量差越大,則基態波函數的輕電洞成分越少(圖 3.3.10(a)(b)),而

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