在本論文中共嘗試使用三種基板（LAO、MgO、NGO）來進行
YBCO 薄膜的製作。雷射鍍膜步驟如下：
1. 清洗基板：為確保薄膜成長的品質，在鍍製 YBCO 高溫超導薄膜 之前必須先將基板清洗乾淨。首先在清潔室內將基板置放於盛有 異丙酮溶液的燒杯中，以超音波振盪 5 分鐘，使用去離子水沖洗 乾淨後，再將基板置放於盛有去離子水的燒杯中，以超音波振盪5 分鐘，如此重覆異丙酮超音波振盪－去離子水清洗－去離子水超 音波振盪的步驟三次，共計約30 分鐘，最後以氮氣槍將洗淨之基 板在濾紙上吹乾，並放在光學顯微鏡下檢察基板表面是否已經清 潔，若否，則重覆前述之清洗步驟。
2. 研磨加熱基座：為避免前次鍍膜後殘留於加熱基座上的蒸鍍痕跡 影響鍍膜品質，於本次鍍膜之前先將加熱基座上的蒸鍍痕跡細細 磨去。研磨方式為以400、600、1000、2000 號砂紙依序研磨去加 熱基座的表層，研磨至可見新的加熱面為止，再以棉花棒沾取異 丙酮將研磨細屑擦拭乾淨。
3. 黏貼基板：洗淨的基板以高溫銀膠黏於研磨好的加熱基座上，銀 膠除了可使基板附著於加熱基座上外，亦因為良好的熱傳導體，
可將加熱基座上的溫度較均勻地傳導至基板上。將銀膠仔細地在 加熱基座上描繪出基板的形狀後，再將基板蓋上，以牙籤輕壓基 板四周，使加熱基座和基板間藏於銀膠內的空氣擠壓出，避免銀 膠內的氣泡影響熱傳播，最後再以氮氣槍吹去表面細塵並將黏貼 好的基板置於加熱器上加熱至100℃左右烘烤 3 小時（加熱溫度過 高將使銀膠內的殘存空氣過度膨脹而影響熱傳播，烘烤時間過短 則銀膠的黏著效果不佳，基板有於鍍膜過程中掉落），以除去銀膠 內的有機溶劑，避免在鍍膜過程中污染基板，並增加銀膠的黏著
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效果。
4. 置放加熱器與抽真空前置工作：將銀膠已處理好的加熱器放入真 空腔內，以螺絲固定，並將加熱線連接上控溫器，接著將熱電偶 插入加熱器內，打開控溫器，確定熱電偶正常工作，然後打開 Nd-YAG Laser 綠光校準光路，確定雷射光點能打在靶材上，並初 步檢查電射打在靶材上的位置是否可以使火焰對應到基板上，最 後調整氧氣噴嘴的位置，使氧氣在基板上方約 1~2cm 處略為傾斜 吹入，一切都確定好之後，再將真空腔封閉，準備進行抽真空的 工作。
5. 抽真空：先確定機械幫浦（rotary pump）及渦輪分子幫浦（turbo pump）間的氣動閥已關閉，打開機械幫浦閥門，以機械幫浦抽至 5×10-2 torr 以下，再關閉機械幫浦閥門並打開氣動閥，最後開啟渦 輪分子幫浦的電源並打開渦輪分子幫浦的閥門，將真空腔抽至 10-6torr 以下。
6. 加熱：分為二階段升溫，第一階段以 10℃/min 的速率升溫，直至 120℃後持溫約 1~2 分鐘，第二階段以 25℃/min 的速率升溫，直至 鍍膜溫度 Ts後持溫至鍍膜工作結束。分為二階段升溫的用意主要 為避免升溫過快，造成銀膠內的殘餘有機溶劑急速揮發而使基板 脫落。
7. 進氧氣：將渦輪分子幫浦閥門關至半轉，關閉高真空計，打開高 純氧閥門，通入0.3 torr 氧氣後，開啟靶材旋轉馬達。
8. 鍍膜：當加熱器溫度在鍍膜溫度 Ts 穩定，真空腔內氧氣壓力在 0.3torr 穩定後，開始進行雷射鍍膜工作，雷射輸出能量、重複率 及打擊次數於後列表之，在鍍膜過程中，需小心調整雷射入射位
置，使火焰能儘量涵蓋整個基板，再小心調整靶材旋轉馬達，使 靶材旋轉頻率、雷射輸出頻率及靶材傾斜角間能有較好的匹配，
讓雷射脈衝均勻地落在基板周圍，增加鍍膜均勻度。
9. 降溫：薄膜蒸膜完後，迅速將渦輪分子幫浦關閉，通入大量氧氣，
並迅速將加熱器關閉，以上動作儘量能在一瞬間完成，使薄膜能 達到淬冷（quench）的效果，待溫度降至接近室溫後，將加熱基座 取出，以刀片小心地將樣品卸下，即完成收取樣品的動作。
本論文共選取LAO、MgO 和 NGO 三種基板來鍍製 YBCO 高溫 超導薄膜，根據本實驗室以往鍍製 YBCO 高溫超導薄膜的經驗，於 表3-2 列出尋找三種基板的最佳鍍膜條件的溫度範圍、雷射輸出能量 及雷射重複率，並於表3-3 列出三種基板的最佳鍍膜條件。