第二章 研究背景
2.2 非破壞檢測(Non-Destructive Testing,NDT)
2.2.1 非破壞檢測定義
檢測最重要的目的就是檢測出材料中的損害,損害(Damage)被定義為對物 質進行改變,導致其目前或未來的表現受到不利的影響 (沒有比較物質改變前後 的損害狀態是無意義的,假設物質初始的狀態為沒有受到損害的狀態)。對於結 構和機械的系統而言,損害為材料或幾何的改變以及包括邊界條件的改變和系 統連接導致其目前或未來的表現受到不利的影響。更進一步推論所有的損害來 自於材料性質,對於材料而言,損害稱為缺陷(Defect)或瑕疵(Flaw)。缺陷(Defect) 定義為材料由於原始生產、製造、加工、使用等過程所產生的不完美,會影響 材料使用性能者。在適當的負載情況下缺陷或瑕疵以不同的速度成長和聚集,
造成部分或系統損害。損害不意味著系統的功能完全喪失,而是系統不再以最 理想的方式運轉,隨著損害擴大達到某一程度將不被使用者接受則稱破壞 (Failure)。以時間的觀點來看,隨著時間增長損害會逐漸累積,例如:疲勞或腐 蝕的累積。相對地也會發生於一些短期的破壞事件,例如:人為災害、天然災 害等(陳永增&鄧惠源,2009)。
非破壞檢測(Non-Destructive Testing,NDT)就是利用物理或機械方法或技 術,在不破壞材料的情況下,檢測出材料是否產生缺陷。常見的非破壞檢測方 法利用包括光學特性、磁特性、導電性、輻射特性及超音波傳導特性等作為檢
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測原理。在缺陷檢測方面選用適當的非破壞檢測方法可以檢測出表面、近表面 或內部缺陷,並判斷缺陷位置與大小(嚴重性)。
2.2.2 非破壞檢測種類與簡介
非破壞檢測領域不斷研發新的檢測方法,其目的主要為配合更複雜的檢測 環境、以及更精確更有效率的檢測缺陷,其常用的非破壞檢測簡單分類如下:
(莊東漢,2007;陳永增&鄧惠源,2009) 1. 液滲檢測(PT):
(1) 基本原理:利用毛細作用將滲透液滲入材料表面缺陷中,再利用顯像劑 將滲透液吸出,形成可見的顯示。
(2) 材料限制:非多孔質材料。
(3) 使用器材:滲透劑、清洗劑、顯像劑、黑光燈。
(4) 最佳檢測方向:無方向性。
(5) 優點:操作研判簡便快速、廉價、不需特殊儀器及電源、適合多數材料、
可攜性高。
(6) 缺點:僅能檢測開口至表面的缺陷、檢測溫度受限制、必須注意通風、
永久紀錄較難。
2. 磁粒檢測(MT):
(1) 基本原理:利用磁化裝備將鐵磁性材料磁化,材料表面或近表面的缺陷 會在材料表面形成磁漏場,造成磁粒聚集而形成顯示。
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(2) 材料限制:鐵磁性材料。
(3) 使用器材:磁場產生設備、磁粒(乾式或濕式)、退磁設備、黑光燈。
(4) 最佳檢測方向:磁力線垂直缺陷。
(5) 優點:操作簡便、可攜性高、對於表面及近表面的缺陷顯示清晰。
(6) 缺點:僅適合鐵磁性材料、試件檢測後常需退磁、複雜形狀磁化較難、
永久紀錄較難。
3. 超音波檢測(UT):
(1) 基本原理:利用低能高頻電波轉換成超音波傳入材料內產生折射、反射、
衰減、共振等現象,再傳回探頭轉換成電波,利用形成的回波 偵測缺陷。
(2) 材料限制:粗糙、晶粒粗大試件檢測靈敏度低。
(3) 使用器材:超音波檢測儀、探頭、耦合劑、標準或比較規塊。
(4) 最佳檢測方向:超音波垂直缺陷。
(5) 優點:穿透力強、可檢測很厚的工具、對裂痕檢測靈敏度高、可用電池 電源,攜帶性高、可立即研判,並得知缺陷深度位置、可接紀錄 器。
(6) 缺點:不適合粗糙,晶粒粗大試件、薄件或小件以及表面缺陷檢測不佳、
需參考規塊與耦合劑、技術性較高。
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4. 射線檢測(RT):
(1) 基本原理:X 射線照相利用 X 光穿透材料,將材料吸收 X 光能量情形記 錄在底片上,再透過判片檢測出材料中之缺陷。γ射線照相利 用γ光穿透材料,將材料吸收γ光能量情形記錄在底片上,再 透過判片檢測出材料中之缺陷。
(2) 材料限制:材料吸收係數不宜太大或太小。
(3) 使用器材:X 光機、電源、底片、底片套、增感屏、沖洗裝置、判片燈 及防護裝備;γ射源及屏體、遙控設備、其餘器材同 X 光機。
(4) 最佳檢測方向:射線方向平行缺陷。
(5) 優點:可用於各種材質、可做全材料缺陷檢測、可做永久紀錄、易判別 缺陷種類、γ射線不需電源。
(6) 缺點:輻射危險需特別管制、儀器昂貴且笨重、γ射線會衰減、X 射線 需電源、不易得知缺陷深度位置。
5. 渦電流檢測(ET):
(1) 基本原理:利用通過交流電的線圈探頭接近導體試件,使試件產生渦電 流。當試件表面或近表面有缺陷或物理性質結構改變時,渦
電流改變振幅及相位,並改變拾取線圈磁場,利用儀器分析 拾取線圈磁場的檢測方法。
(2) 材料限制:導體(非鐵磁性較佳)。
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(3) 使用器材:渦電流檢測儀、檢測探頭(表面、外繞、內繞)、標準或比較 規塊。
(4) 最佳檢測方向:渦電流垂直缺陷。
(5) 優點:可測導電率、塗膜厚度與缺陷檢測、線圈探頭不需接觸試件、適 用於高溫高壓或輻射區、形狀不規則試件、結果可儲存列印保存。
(6) 缺點:僅能用於導電材料、內部缺陷無法檢測、需用參考規塊,判定訊 號不易、對於曲折表面易產生錯誤顯示或遮蓋適切顯示。
2.2.3 非破壞檢測標準
檢測標準會規定檢測的適用範圍、所需的設備、相關的技術、必須遵循的 程序和可接受的合格基準。其中又分成兩大類,第一類是針對檢測方法的一般 敘述(通則);第二類是針對特定產品的檢測程序說明。
目前對於非破壞檢測標準(使用規範)訂定大致分成兩種,一為國家訂定的標 準,另一為專業(產業)協會所訂定的標準。國內用於非破壞領域較著名且使用較 多的標準包括:中國國家標準(CNS)、美國材料試驗學會(ASTM)的標準、美國 機械工程師學會(ASME)、日本工業標準(JIS)及國際標準組織(ISO)等單位。
2.2.4 缺陷位置偵測的應用
一般缺陷產生的位置可分成表面、近表面與內部缺陷三種(陳永增&鄧惠 源,2009),不同非破壞檢測方法在檢測應用上也有所不同,以下簡單說明缺陷
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位置與非破壞檢測應用的限制:
1. 表面缺陷:
此類缺陷外露於材料表面,可以利用液滲、磁粒、渦電流、射線檢測法驗 出,利用超音波檢測表面缺陷時應注意探頭的不感應區。
2. 近表面缺陷:
(又稱次表面缺陷)是指缺陷位在材料表面下方,接近表面處,但缺陷未外露 於材料表面上。一般是指在材料表面下方6mm 以內之缺陷。此類缺陷除了目視 與液態檢測無法檢測外,可以利用磁粒、渦電流、射線與超音波檢測檢驗。
3. 內部缺陷:
是指缺陷完全埋在材料下面,且距離材料表面較遠者。此類缺陷一般使用 射線檢測與超音波檢測檢驗。