第四章 數位調變實驗結果
4.1 數位調變之實驗結果
在數位調變的實驗中我們個別產生四種不同的調變信號,分別是 1M 、2M、
5.5M、 11M bps (依序為 BPSK、DQPSK、OQPSK、QPSK),其 time domain 的波 形如下:圖 4.1、圖 4.2、圖 4.3、圖 4.4。
黃線及紅線分別代表 I+、I-,相位相差 180 度,藍線及綠線分別代表Q+、
Q-,相位相差 180 度,且單路的 I+或 I- 的 Voltage swing,即 Vpk-pk=530mV。
I+ I- Q+
Q-圖 4.1 1Mbps IQ Waveform
圖 4.2 2Mbps IQ Waveform
1M 、2M bps 本質上屬於 BPSK 調變,因此從 time domain 波形觀察,只有兩 種相位變化,且相差 180°。
圖 4.3 5.5Mbps IQ Waveform
圖 4.4 11Mbps IQ Waveform
而 5.5M、 11M bps 的相位包含(0°、90°、180°、270°),從波形上看來與 1M、2M bps 就有明顯的差異。
我們將 input power 範圍從-20dBm 升至 0dBm ,每 1dB 為一個 Step,在四 種不同的調變下經過 PA 後,利用 Power meter (Agilent E4416A)量測其 Output Power,且對 Input Power 及 Output Power 作圖,可以得到第二章所提到關於 P1dB Gain Compression 點的特性,觀察其非線性的曲線,量測兩片 Sample,
得到結果如下:圖 4.5、圖 4.6、圖 4.7、圖 4.8。
根據 P1dB 的定義:當實際 Output Power 跟理想 Output Power 相差 1dB 時,
這個 Input Power 為 P1dB 點,且從以下幾個圖的結果可看出,當 Pin=-11dBm 時,理想 Pout 與實際的 Pout 相差 1dB,因此 P1dB 點為-11dBm,當 Pin 大於 -11dBm 之後,PA 已呈現飽和的狀態,Input Power 再加大,Output Power 也 不再跟著變大,此時 PA 非線性現象愈明顯。
觀察四種不同的調變下得到的 P1dB 點,其結果均相同,落在 Pin=-11dBm 的地方,證明 PA 的 P1dB 與調變的方式無關。
Sample1 1Mbps P1dB
Sample1 2Mbps P1dB
0
Sample1 5.5Mbps P1dB
Sample1 11Mbps P1dB
0
相同的方式,將 Input Power 範圍設定在-20dBm ~ 0dBm,每 1dBm 為一個 step,將經過 PA 放大之後的信號送進向量信號分析儀加以降頻、解調,得到 我們需要的參數:EVM(rms)、Phase err、Magnitude err、Quadrature err、
IQ Gain Imbalance。
1M bps (BPSK) 2M bps (DQPSK)
5.5M bps (OQPSK) 11M bps (QPSK)
圖 4.9 802.11b EVM Constellation
如圖.4.9 表示出四種不同調變經由向量信號分析儀(Vector Signal
Analyzer)解調出來的 IQ constellation (星狀圖),在 PA 進入非線性區時的 EVM(rms)隨著數位調變的不同而有不同的結果,
分別是 EVM(rms) 1Mbps~2Mbps>11Mbps>5.5Mbps(1Mbps EVM performance 最 差,5.5Mbps 最好),由附圖直觀地說,紅點散得愈開,則 EVM performance 愈差,紅點聚得愈密,則 EVM performance 愈好,至於為什麼 1Mbps EVM 最差,
5.5Mbps 最好? 我們已在上一章做完分析探討。原因在於 zero-crossing 的 機率不同所導致。Zero-crossing 的機率高,則 EVM 較差,zero-crossing 的 機率低,則 EVM 較好。
一般來說,若是 data length 過長,或 VSA 抓取的 chip length 過多,那麼 zero-crossing 的比例較不易觀察出,因此在設定 VSA 時需要抓取中間適量的 Data 即可。圖 4.10 表示實際透過向量信號分析儀解出的 IQ constellation,
其中以 2M 及 5.5Mbps 最能看出其 zero-crossing 機率的變化。
1Mbps BPSK 2Mbps DQPSK
5.5Mbps OQPSK 11Mbps QPSK
圖 4.10 802.11b Chip Code TrajectoryInput Power= -20dBm~0dBm,EVMrms for 1M/2M/5.5M/11M bps 的比較結果 如圖 4.11 表示在 Sample 1 的結果,圖 4.12 表示在 Sample 2 的結果。
從圖 4.11 及圖 4.12 EVM(rms)結果可看出,隨著 Input Power 愈來愈大,
EVM(rms)愈來愈差,未過 P1dB 點時,已呈現 1Mbps 最差,5.5Mbps 最好的現 象,過了 P1dB 之後,隨著 PA 進入飽合區,Output Power 已經不再隨著 Input Power 的增加而增加,EVM(rms)的趨勢一樣維持在 1Mbps 最差,5.5Mbps 最好 的狀況,可以間接證明第三章所做的 zero-crossing 理論無誤。由於 EVM(Error Vector Magnitude)是由振幅誤差(Magnitude error)及相位誤差(Phase error) 所構成,我們嘗試分析 Magnitude error,可以得到結果,如圖 4.13、圖 4.14:
Sample1 EVM (rms) vs Pin
0
Sample2 EVMrms vs Pin
Magnitude error 愈來愈差,未過 P1dB 點時,呈現 1Mbps 最差,5.5Mbps 最好 的現象,此部分與 EVM(rms)的分布相同,過了 P1dB 之後,隨著 PA 進入飽合 區,Output Power 已經不再隨著 Input Power 的增加而增加,一直到 Pin=-7dBm 的地方,EVM(rms)的趨勢一樣維持在 1Mbps 最差,5.5Mbps 最好的狀況,且 Magnitude error 的曲線幾乎與 EVM(rms)一致,可以說在 Pin<-7dBm 的時候,
Magnitude error 是主要影響 EVM 的參數。
但過了 Pin=-7dBm 的位置後,1Mbps 與 2Mbps 的曲線漸漸靠近 11Mbps,
EVM(rms)的曲線與 Magnitude error 的曲線稍有不同,Magnitude error 在 1Mbps 及 2Mbps 下降, EVM(rms)沒有隨著下降,這部分的原因,我們可以接 著比較其他與 EVM 有關的參數。
Sample1 M ag err vs Pin
圖 4.13 Magnitude error vs. Pin on Sample 1
Sample2 Mag err vs Pin
0
圖 4.14 Magnitude error vs. Pin on Sample 2
在 Phase error 的比較中,圖 4.15 表示 Sample 1,圖 4.16 表示 Sample 2。
隨著 Input Power 愈來愈大,Phase error 最後的分布的確是 1Mbps 最差,
5.5Mbps 最好的現象,但仔細觀察,在 Pin<-7dBm 之前,1M/2M/5.5M/11Mbps 彼此間的差距並不大,最大的 phase error 差約 0.1deg,在 Pin>-7dBm 後,
1M/2M/5.5M/11Mbps 彼此間的差距才開始拉大,從此現象比較 Magnitude error 及 EVM(rms)的分布可以推論:
在 Pin<-7dBm 時,EVM(rms)主要由 Magnitude error 所影響,Pin>-7dBm 之 後,EVM(rms)主要由 Magnitude error 加上 Phase error 所影響,即在
Pin<-7dBm 時,Phase error 的影響不大,Pin>-7dBm 之後,Phase error 劣化 的影響才顯現出來。
圖 4.15 Phase Error vs. Pin on Sample 1
Sample2 Phase err vs Pin
圖 4.16 Phase Error vs. Pin on Sample 2
接著,我們再將 1M/2M/5.5M/11M bps 的 Quadrature error 來作比較,並 分析其結果,如圖 4.17 表示 Sample 1,圖 4.18 表示 Sample 2。
如圖所示,Quadratue error 在不同的數位調變之間的關係並不明顯,最大 的 Quadrature error 僅介於
±
0.05 mdeg 之間,誤差極小。對照 EVM(rms)的 曲線,看不出其中的關聯性,而在 Gain Imbalance 的參數分析上也是如此,如圖 4.19 表示 Sample 1,圖 4.20 表示 Sample 2,不同調變之間的 Gain Imbalance 皆小於 0.01dB,誤差極小。
在 Quadrature error 及 IQ Gain Imbalance 的分析中,我們可以推論這兩 項參數對於 EVM(rms)變差的貢獻不大。
Sample1 Quad err v s Pin
Quad err(mdeg) 1M
2M 5.5M 11M
圖 4.17 Quad Error vs. Pin on Sample 1
Sample2 Quad err vs Pin
-0.1
Quad err(mdeg) 1M
2M 5.5M 11M
圖 4.18 Quad Error vs. Pin on Sample 2
Sample 1 Gain Imbalance v s Pin
圖 4.19 Gain Imbalance vs. Pin on Sample 1
Sample2 Gain Imbalance vs Pin
-0.01
圖 4.20 Gain Imbalance vs. Pin on Sample 2
在以上影響 EVM(rms)的四項參數 Magnitude error、Phase error、
Quadrature error、Gain Imbalance 的分析中,對於 EVM(rms)變差的原因,
主要雖然是 Magnitude error,但造成這些 error 的原因,直觀來說當然是因 為 IQ unbalance 所造成,但造成 IQ unbalance 的原因可能是電路設計或 IC 製造的過程中無法做到百分之百的對稱,即電路 Mismatch 的情況無法避免,
因此會產生這些影響 EVM 的誤差。