參考資料

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[3] Praveen Chaudhari, James A. Lacey, Shui-Chih Alan Lien, and James L. Speidell, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 37, L55, 1998.

[4] O. Yaroshchuk, L. G. Cada, M. Sonpatki, and L.-C. Chien, Appl. Phys.

Lett., Vol. 79, 30, 2001.

[5] O. Jessensky, F. Müller, and U. Gösele, Appl. Phys. Lett. 72, 1173 (1998).

[6] T. Maeda and K. Hiroshima, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1004 (2004).

[7] 郭 政 穎 ,Study on Liquid Crystal Alignment by Anodic Porous Alumina Substrates, 國立交通大學電子物理系碩士班畢業論文, 2007.

[11] T. J. Scheffer and J. Nehring, J. Appl. Phys. 48, 1783 (1977).

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[13] S. Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, and S. Todoroki, J. Electrochem. Soc.

149, B321 (2002).

[14] S. Z. Chu, K. Wada, S. Inoue, M. Isogai, Y. Katsuta, and A. Yasumori, J. Electrochem. Soc. 153, B384 (2006).

圖 1-1 T. Maeda et al.陽極氧化鋁薄膜 SEM 影像[6]，

(a)為正面影像，(b)為側面影像。

圖 1-2 T. Maeda et al.液晶傾角與陽極處理電壓關係圖[6]

圖 1-3 T. Maeda et al.陽極氧化鋁薄膜孔洞大小與電壓關係圖[6]

圖 2-1-1 電解電壓大小與陽極氧化鋁的孔徑關係圖[5]

圖 2-1-2 氧化鋁表面部分電場的過程[7]

圖 2-1-3 鋁在陽極氧化處理時擴張過程[6]

θ

α

圖 2-3-1 預傾角α與玻璃基板的關係

d

φ

φ

φ

_e

φ

_o

e-ray

α

o-ray

θ A

B B’

圖 2-3-2 光徑示意圖

-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmittance

ϕ (deg.)

-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50

64 66 68 70 72 74 76 78

Phase Retardation

ϕ (deg.)

圖 2-3-3 穿透率 I(ϕ）對ϕ作圖，圖中顯示穿透率對 稱點即為最大相位延遲的入射角。

Electrolyte:

Oxalic acid 3wt%

300rpm

15^oC Magnetic stirrer:

Cooling water:

Magnetic stirrer

Electrolyte

Source meter

Pt Al

Glass - +

Cooling water

Stirring Plates

圖 3-1-1 陽極氧化鋁裝置圖

Glass Al

Glass Al₂O₃

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

0.000 0.001 0.002 0.003

Current (A)

Time (sec)

One-step

Glass Glass

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

0.000 0.001 0.002 0.003

Current (A)

Time (sec)

Two-step

0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500

0.000 0.001 0.002 0.003Step 1

Current (A)

Time (sec)

t₁ t₁ t₂

PC

Optical fiber

Sample holder

Optical fiber Light source

sample

Spectrometer

圖 3-2-1 光譜儀量測系統示意圖

Spectrometer parameter Integral time (ms) 100

Average 10 Boxcar 5 Flash Delay 100

Conect for Electrial Dark

√

圖 3-2-2 光譜儀各項參數設定

LC cell

Polarizer Analyzer

Light Source Lens Screen

P A

45^o LC

x y

z x y

z

(CCD)

圖 3-3-1 Conoscopy 系統示意圖

He-Ne Laser Polarizer LC cell Analyzer Detecter

P A

LC 45°

圖 3-5-1 預傾角量測系統示意圖

0 250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000

Al 500nm

圖 4-1-1 一次陽極處理電流與時間關係圖[7]

20V 30V30V 40V40V

50V

50V 60V60V 70V

圖 4-1-2 一次陽極處理不同電壓下的氧化鋁表面結構[7]

20V 30V30V 40V40V

50V 60V 70V

圖 4-1-3 兩次陽極處理不同電壓下的氧化鋁表面結構[7]

20 30 40 50 60 70

10 20 30 40 50 60 70

80 The AAO film measured from the FESEM images 1-Step

2-Step

The diameter of hole (nm)

Anodization Voltage (V)

圖 4-1-4 陽極氧化鋁孔洞直徑與陽極處理電壓關係圖[7]

0 100 200 300 400 500

0 50 100 150 0.00

0.02 0.04 0.06 0.08 0.10

I (mA)

Time (s)

70V 70

I (A)

圖 4-1-7 70V 小圓孔一次陽極處理電流與時間關係圖(2400)

(6.25nm) (10nm)

(12.5nm) (16nm)

20V

40V

30V

50V

(36.6nm)

(25nm) (33nm)

(34nm)

60V

75V

70V

80V

圖 4-1-8 一次陽極處理不同電壓下的氧化鋁表面結構

(20nm)

(41.8nm) (52.7nm)

20V

40V 30V

(66.67nm)

(83.33nm) (75nm)

50V

60V 70V

圖 4-1-9 兩次陽極處理不同電壓下的氧化鋁表面結構

0 10 20 30 40 50 60 70 80

V (voltage) V (voltage)

The diameter of hole(nm)

圖 4-1-10 我和政穎學長的ㄧ次陽極處理不同電壓與孔徑之關係

V (voltage)V (voltage)

The diameter of hole(nm)

圖 4-1-11 我和政穎學長的二次陽極處理不同電壓與孔徑之關係

20 30 40 50 60 70 80

V (voltage) 1-step

2-step

V (voltage)

The diameter of hole(nm)

圖 4-1-12 一次陽極處理及二次陽極處理不同電壓與孔徑之關係

V (voltage)

The density of holes(number /μm2)

20 30 40 50 60 70

20 30 40 50 60 70 0

100 200 300 400 500

V (voltage)

The density of holes(number /μm2)

圖 4-1-14 不同電壓與二次陽極處理氧化鋁薄膜孔洞密度的關係

The density of holes(number /μm2)

1 / V²

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25

0 100 200 300 400

圖 4-1-15 電壓平方倒數與一次陽極處理氧化鋁孔洞密度的關係

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0

100 200 300 400 500

The density of holes(number /μm2)

1 / V²

圖 4-1-16 電壓平方倒數與二次陽極處理氧化鋁孔洞密度的關係

10µm 10µm

20µm 10µm

例：線寬10μm(1：1)

例：線寬10μm(1：2)

圖 4-2-1 氧化鋁溝槽寬度比例之定義

線寬：

溝槽寬度：

20μm

(1：1) 溝槽寬度：

15μm

(1：1)

45°

0°

圖 4-2-4 氧化鋁溝槽液晶樣品在正交偏光鏡中的結果

？

圖 4-2-5 氧化鋁溝槽表面對液晶分子排列之示意圖

(x 150)

(x 3K)

(x 30K)

100μm

1μm

100 nm 100 nm

圖 4-3-1 線寬 15µm(1：2)磨刷過陽極氧化鋁溝槽之結構

15-1 (324.2nm) 20-2 (328.6nm) 20-3 (384.6nm)

溝槽平均深度大約為：350nm ( ± 30nm)

圖 4-3-2 磨刷過陽極氧化鋁溝槽之平均深度

磨刷過 磨刷過未磨刷 未磨刷

(AAO) (AAO)

圖 4-3-3 磨刷過氧化鋁溝槽對液晶分子排列之示意圖

線寬

15μm (1：1)

蝕刻後

(已去光阻)

蝕刻前

(有光阻)

100μm 100μm

圖 4-3-4 15µm(1:1)蝕刻前有光組和蝕刻後已去光阻的基板用光學顯 微鏡拍照，並將液晶樣品置於兩個互為垂直的偏光鏡中

線寬

20μm (1：1)

在文檔中 陽極氧化鋁薄膜及溝槽對液晶分子的傾角調變之研究 (頁 44-69)