第四章 結果與討論
4.5 PSVA RM 殘留
4.5.2 PSVA 液晶 RM Residue 分析
由 M 社協助提供 HPLC 分析來看，面板中心(C)平均 RM 殘留率約 18%，而 面板周邊(E)之平均 RM 殘留率約 14%，顯示面板周圍被 UV 光照射反應較多，對 比Century 製程來看，ODF Line UV Cure (sealant 固化製程)可能為主要影響因素，
但仍須再進行實驗證實，表8 為 PSVA HPLC 分析表。
表8. PSVA 液晶 Center & Edge of PHLC Analysis table.
4.6 PSVA 液晶面板點燈狀態
本次 PSVA 面板製作，於模組完成點亮後，發現液晶 Drop 點位 Mura 及 Panel 周 邊漏光(Around Light Leakage)，如圖 4-22 所示。
分析Mura 可能成因：
(1)PSVA 制程中電壓不穩定、UV 光源不均勻、照射時間過短…，造成畫素 內反應不完全。
(2) ODF Mura (LC pattern 14*10)，考量 PSVA 液晶擴散性，LC pattern 需重 新設定。
(3)周邊 Mura，框膠與 LC 交互作用，需考量 seal curing 時間、角度，UV mask 設計，另外可見光seal 亦可列入評估。
(4) Array 側 Line 與 space 曝光均勻度，差異大於 0.06um 暗態斜視角目視可 見。
圖4-22 PSVA 模組點燈狀態。
第五章 結論
產生污染，由實驗結果確認PSVA 液晶於 Line: Space=100um:50um 之條件下，1000mJ 影部硬化於遮蔽區 25um 處時,反應率呈現較大轉折，當曝光量設定為 3000mJ 時，於 Metal Line 25um 遮蔽區下之影部硬化率達到 70%；因此針對 PSVA 液晶面板Fun Out 區設定最小 25um 線寬遮蔽區為安全範圍條件，未遮蔽區可達 80%以上硬化率，與一般 TN 型液晶呈現相同結果；SUR-27 為 PSVA 用膠，於線 路metal 蔽下 50/100 線寬，其影部硬化能力最佳，SUR-22
& 22M4 於 3000mJ 時轉換率已達 85%以上,與 S-WB41 水準相當，本次實驗確認
5.4 PSVA 液晶熱性質特性
由 DSC 與 TGA 測試 M 社與 C 社提供 TN 形液晶與 M 社 PSVA 液晶之熱性 質果可知M 社之 PSVA 液晶相對於 TN Mode 液晶有較佳之相轉移溫度及耐熱性。
5.5 PSVA 液晶單體殘留
由 GC 分析結果，比對 LCT-09-2613 純液晶顯示，面板中心(C)與周圍(E)之 液晶高分子組成(A~J)，並無明顯之變化產生，因此可確認液晶與 Sealant 較不起 離子析出作用；由HPLC 分析面板中心(C)平均 RM 殘留率結果，單體殘留約 18%，而面板周邊(E)之平均 RM 殘留率約 14%，顯示面板周圍被 UV 光照射反應 較多，對比Century 製程來看，ODF Line UV Cure (sealant 固化製程)可能為主要 影響因素，但仍須再進行實驗證實。
5.6 PSVA 面板 Mura issue
由模組產出結果，確認面板周邊 mura 與 ODF drop mura，需再進行優化改善，
對於ODF drop mura 之改善，需要重新進行 PSVA 液晶黏度確認，重新調整液晶 滴入pattern，在進行點燈觀察 mura 狀態；而週邊 mura 較為複雜，需要考慮框膠 與LC 交互作用，Sealant curing 時間、角度，UV mask 設計，另外可見光 seal 亦 可列入評估。
第六章 參考文獻
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作者簡介
陳慶龍（Ching-Lung Chen）
高雄市三民區鼎泰街21 號 TEL：07-3101965
E-mail：[email protected] 學歷：
2010 義守大學材料碩士畢（畢業日期：2009.07）
2002 聯合技術學院陶瓷及材料學士畢（畢業日期：2002.06）
經歷：
劍度公司: G3.5 CF 製程工程師 瀚宇彩晶: G5 CF 製程整合工程師 錸寶科技: G2.5 OLED 黃光製程工程師
和鑫光電: G5 CF 產品高級工程師 深超光電: G5 Cell INT 技術副理