X 射線光電子能譜儀 (XPS)

圖4.1.12(a) 150℃(Bi₁₂SiO₂₀) 、200℃(Bi₄Si₃O₁₂)、250℃(Bi₂SiO₅ )三種矽酸 鉍之XPS全譜圖

圖4.1.12(b) 150℃(Bi₁₂SiO₂₀) 、200℃(Bi₄Si₃O₁₂)、250℃(Bi₂SiO₅ )三種矽酸 鉍之C1s圖

圖4.1.12(c) 150℃(Bi₁₂SiO₂₀) 、200℃(Bi₄Si₃O₁₂)、250℃(Bi₂SiO₅ )三種矽酸 鉍之Bi 4f圖

圖4.1.12(d) 150℃(Bi₁₂SiO₂₀) 、200℃(Bi₄Si₃O₁₂)、250℃(Bi₂SiO₅ )三種矽酸

圖4.1.12(e) 150℃(Bi₁₂SiO₂₀) 、200℃(Bi₄Si₃O₁₂)、250℃(Bi₂SiO₅ )三種矽酸 鉍之O1s圖

4.1.2 同溫度下改變Bi

x

SiO

y

之pH值 4.1.2.1 X 射線繞射分析儀

圖 4.1.13(a) 為鉍矽比固定 1:1，反應溫度固定 150℃，pH 值依序為 pH1、

pH4、pH7、pH10 及 pH13，從圖中可看出在低 pH 值 pH1 和 pH4 時會形 成 Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃而不是矽酸鉍，在 pH7 時則是形成 Bi₂O₃和 SiO₂，只 有在高 pH 值，pH10 和 pH13 時才會形成矽酸鉍 Bi₁₂SiO₂₀，由此可知矽酸 鉍應要在高鹼性下才會成型。

圖4.1.13(a) pH1、pH4、pH7、pH10及pH13之矽酸鉍XRD圖譜(鉍矽比固定 1:1，反應溫度固定150℃)

圖 4.1.13(b) 為鉍矽比固定 1:1，反應溫度固定 200℃，pH 值依序為 pH1、

pH4、pH7、pH10 及 pH13，同 150℃之 XRD 圖譜，低 pH 值 pH1 和 pH4 時形成 Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃而不是矽酸鉍，在 pH7 時則是形成 Bi₂O₃和 SiO₂， 只有在高 pH 值，pH10 和 pH13 時才會形成矽酸鉍 Bi₄Si₃O₁₂。

圖4.1.13(b) pH1、pH4、pH7、pH10及pH13之矽酸鉍XRD圖譜(鉍矽比固定 1:1，反應溫度固定200℃)

圖 4.1.13(c) 為鉍矽比固定 1:1，反應溫度固定 250℃，pH 值依序為 pH1、

pH4、pH7、pH10 及 pH13，同 150℃及 200℃之 XRD 圖譜，低 pH 值 pH1 和 pH4 時形成 Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃而不是矽酸鉍，在 pH7 時則是形成 Bi₂O₃ 和 SiO₂，在高 pH 值，pH10 和 pH13 時會形成矽酸鉍 Bi₂SiO₅。

由上面三圖可得知 pH 值的高低只會影響矽酸鉍的成型與否，對於矽酸鉍 的晶型則無太大影響。

圖4.1.13(c) pH1、pH4、pH7、pH10及pH13之矽酸鉍XRD圖譜(鉍矽比固定

4.1.2.2 場發式掃描電子顯微鏡/ X 光能量分散光譜儀(FE-SEM-EDS)

由於 150℃、200℃、250℃在 pH1、pH4、pH7 時為同樣之產物，故以 150℃之 SEM 圖為代表。

圖 4.1.14(a)及 4.1.14(b)為放大 10000 倍 pH1、pH4 之樣品形貌，由圖 可看到 pH1、pH4 之樣品 Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃應為厚板狀，圖 4.1.14(c)為放 大 10000 倍 pH7 下之樣品形貌，可看出 pH7 時有明顯的兩種樣品 Bi₂O₃和

SiO₂互相混雜，由於 pH1、pH4、pH7 三種樣品皆非矽酸鉍故不放 EDS 圖 譜。150℃、200℃、250℃之高 pH 值樣品(pH10、pH13)請參閱圖 4.1.2 至 圖 4.1.4。

圖4.1.14(a) pH1樣品-Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃之SEM圖

圖4.1.14(b) pH4樣品-Bi₆O₆(OH)₃(NO₃)₃之SEM圖

圖4.1.14(c) pH7樣品-混雜Bi₂O₃和SiO₂之SEM圖

4.1.2.3 紫外光可見光漫反射光譜儀(UV-visible DRS)

圖4.1.15(a) 改變pH 值(溫度固定150℃、鉍矽比=1:1)之各樣品DRS圖譜

圖4.1.15(b) 各pH值樣品之外觀顏色

圖4.1.15(c) 各pH值之樣品能帶間隙圖譜

4.1.2.4

傅立葉紅外線轉換光譜儀(FT-IR) SiO₂、1030cm^-1為官能基Si-O【47】、1390cm^-1為官能基CO₃^2- 、1635cm^-1 為分子水molecular water、3300cm^-1為官能基OH^-，其中1390cm^-1處的碳酸

圖 4.1.16 各樣品改變 pH 值(鉍矽比=1:1)之 FT-IR 圖譜。吸收峰 430cm^-1 為官能基 Bi-O 、570cm^-1為官能基(SiO₄) ^4- 、860cm^-1為官能基 Si-O-Si 、 950cm^-1 為官能基 SiO₂、1030cm^-1為官能基 Si-O、1390cm^-1為官能基 CO₃^2- 、 1450cm^-1為官能基O-N-O2-、2360cm^-1為官能基 CO₂

4.1.3 改變Bi

x

SiO

y

鉍和矽之莫耳比

是以反應溫度為主，由此三張 XRD 圖譜和

表 4.1.3

中可看出在

150℃

時矽酸鉍主要是以 Bi₁₂SiO₂₀此晶相存在，並有少許矽酸鉍是 Bi₂SiO₅晶相，

到了 200℃時 Bi₁₂SiO₂₀晶相可能轉變為 Bi₄Si₃O₁₂晶相，並和 Bi₂SiO₅晶相 共同存在，等到溫度到了 250℃時則只剩 Bi₂SiO₅晶相。

圖4.1.17(a) 反應溫度固定150℃，pH值固定pH13，

鉍和矽之莫耳比依序

為1:1、1:2、1:3、2:1、2:3、3:1、3:2之各晶相矽酸鉍XRD圖譜。

圖4.1.17(b) 反應溫度固定200℃，pH值固定pH13，

鉍和矽之莫耳比依序

為1:1、1:2、1:3、2:1、2:3、3:1、3:2之各晶相矽酸鉍XRD圖譜。

圖4.1.17(c) 反應溫度固定250℃，pH值固定pH13，

鉍和矽之莫耳比依序

Bi

_x

Si

_y

O

_z

(250

^o

C)

4.1.3.2 場發式掃描電子顯微鏡/ X光能量分散光譜儀(FE-SEM-EDS)

圖 4.1.18(a)至 4.1.18(g)為 150℃、pH13 放大 10000 倍之矽酸鉍樣品形 貌，由圖可看到

鉍矽莫耳比為 1:1、1:2、3:1、3:2 時的矽酸鉍(

Bi₁₂SiO₂₀ 晶型)

是

顆粒偏大的板狀結構；

鉍矽莫耳比為 1:3、2:1、2:3 時的矽酸鉍

(

Bi₂SiO₅晶型)

是顆粒偏小的片狀及堆疊的球狀

結構。

圖4.1.18(a) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:1，

放大10000倍Bi₁₂SiO₂₀之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(b) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:2，

放大10000倍Bi₁₂SiO₂₀之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(c) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:3，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(d) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:1，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(e) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:3，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(f) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:1，

放大10000倍Bi₁₂SiO₂₀之SEM 圖及EDS

圖4.1.18(g) 150℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:2，

放大10000倍Bi₁₂SiO₂₀之SEM 圖及EDS

圖 4.1.19(a)至 4.1.19(g)為 200℃、pH13 放大 10000 倍之矽酸鉍樣品形 貌，由圖可看到

鉍矽莫耳比為 1:1、1:2、1:3 時的矽酸鉍(

Bi₄Si₃O₁₂晶型)

是

較厚的片狀結構；

鉍矽莫耳比為 2:1、2:3、3:1、3:2 時的矽酸鉍(

Bi₂SiO₅

晶型)

是較薄的片狀及堆疊的球狀

結構。

圖4.1.19(a) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:1，

放大10000倍Bi₄Si₃O₁₂之SEM 圖及EDS

圖4.1.19(b) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:2，

放大50000倍Bi₄Si₃O₁₂之SEM 圖及EDS

圖4.1.19(c) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:3，

放大50000倍Bi₄Si₃O₁₂之SEM

圖4.1.19(d) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:1，

放大50000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.19(e) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:3，

放大50000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.19(f) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:1，

放大50000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.19(g) 200℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:2，

放大50000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖 4.1.20(a)至 4.1.20(g)為 250℃、pH13 放大 10000 倍之矽酸鉍樣品形 貌，由圖可看到

鉍矽莫耳比為 1:1、1:2、1:3、2:3、3:2 時的矽酸鉍(

Bi₂SiO₅ 晶型)

是

片狀結構；

鉍矽莫耳比為 2:1、3:1 時的矽酸鉍是堆疊的球狀

結 構。

圖4.1.20(a) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:1，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.20(b) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:2，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.20(c) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=1:3，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.20(d) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:1，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.20(e) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=2:3，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

圖4.1.20(f) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:1，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM

圖4.1.20(g) 250℃、pH13、

鉍矽莫耳比=3:2，

放大10000倍Bi₂SiO₅之SEM 圖及EDS

4.1.3.3紫外光可見光漫反射光譜儀(UV-visible DRS)

矽酸鉍改變

鉍矽莫耳比

之樣品能帶間隙(energy gap)可藉由 UV-vis DRS 測得，圖 4.1.21(a)為改變

鉍矽莫耳比

(pH 值固定 13、溫度固定 150℃) 之各樣品 DRS 圖譜，圖 4.1.21(b)為各比例樣品之外觀顏色，可以看到 Bi₁₂SiO₂₀晶型的矽酸鉍(

鉍矽莫耳比

1:1、1:2、3:1、3:2)呈現淡黃色、Bi₂SiO₅ 晶型的矽酸鉍(

鉍矽莫耳比

1:3、2:1、2:3)為黃色。圖 4.1.21(c)為各

莫耳比

樣品之能帶間隙圖譜。

表 4.1.4 為不同

鉍矽莫耳比之

矽酸鉍能帶間隙總表，可用來對照圖 4.1.21(c)、圖 4.1.22(c)及圖 4.1.23(c)三張能帶間隙圖譜。

圖4.1.21(a) 改變

鉍矽莫耳比

(pH值固定13、溫度固定150℃)各樣品DRS圖

圖4.1.21(b) 150℃各莫耳比樣品之外觀顏色

圖4.1.21(c) 150℃各

莫耳比

樣品之能帶間隙圖譜

圖 4.1.22(a)為改變

鉍矽莫耳比

(pH 值固定 13、溫度固定 200℃)之各樣 品 DRS 圖譜，圖 4.1.22(b)為 200℃各比例樣品之外觀顏色， 由圖可觀察 到 200℃的矽酸鉍顏色較不規則，但不論是 Bi₄Si₃O₁₂晶型的矽酸鉍(

鉍矽 莫耳比

1:1、1:2、1:3)或是 Bi₂SiO₅晶型的矽酸鉍 (

鉍矽莫耳比

2:1、2:3、

3:1、3:2)都是偏向於黃色或淡黃色。圖 4.1.22(c)為各

莫耳比

樣品之能帶間 隙圖譜。

圖4.1.22(a) 改變

鉍矽莫耳比

(pH值固定13、溫度固定200℃)各樣品DRS圖

圖4.1.22(b) 200℃各莫耳比樣品之外觀顏色

圖4.1.22(c) 200℃各

莫耳比

樣品之能帶間隙圖譜

圖 4.1.23(a)為改變

鉍矽莫耳比

(pH 值固定 13、溫度固定 250℃)之各樣 品 DRS 圖譜，圖 4.1.23(b)為 250℃各比例樣品之外觀顏色， 由圖可觀察

到除了

鉍矽莫耳比為 1:1 之樣品偏白色外其他不同鉍矽莫耳比的

矽酸

鉍都是黃色。圖 4.1.23(c)為各

莫耳比

樣品之能帶間隙圖譜。

圖4.1.23(a) 改變

鉍矽莫耳比

(pH值固定13、溫度固定250℃)各樣品DRS圖

圖4.1.23(b) 250℃各莫耳比樣品之外觀顏色

圖4.1.23(c) 250℃各

莫耳比

樣品之能帶間隙圖譜

表4.1.5 不同

鉍矽莫耳比之

矽酸鉍能帶間隙總表(單位eV)

4.2 Bi

x

SiO

y

之光催化降解分析

dye)照射可見光的光催化實驗數據，圖 4.2.1(b)則是一級動力學(first order kinetics)方程式-ln(C/C₀)=kt，其中 C 和 C₀分別指結晶紫染料水溶液隨取樣 時間 t 之變化濃度和結晶紫染料水溶液的起始濃度(10 ppm)，k 為一級反應 速率常數【49】，表 4.2.1 為反應速率常數和 R²值總表。圖 4.2.1(b)可看出 150℃Bi₂SiO₅之降解率依鉍矽莫耳比 1:3、2:1、2:3 依序為 0.0101 h^-1、0.0257 h^-1、0.0152 h^-1，以上數據之相關因子 R²均大於 0.95 以上。

圖4.2.1(a) 150℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍照射可見光降解結晶紫染料水溶液 (crystal violet dye)之光催化速率

圖4.2.1(b) 150℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之反應速率常 數和R²值

圖4.2.1(c)為200℃Bi₂SiO₅光觸媒降解結晶紫染料水溶液照射可見光之 光催化實驗數據，圖4.2.1(d)為200℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水 溶液之反應速率常數和R²值，表4.2.1為反應速率常數和R²值總表，降解率 依鉍矽莫耳比2:1、2:3、3:1、3:2依序為0.0213 h^-1、0.0238 h^-1、0.0148 h^-1、 0.0163 h^-1，以上數據之相關因子R²均接近於0.95。

圖4.2.1(c) 200℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍照射可見光降解結晶紫染料水溶液 (crystal violet dye)之光催化速率

圖4.2.1(d) 200℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之反應速率常 數和R²值

圖4.2.1(e)為250℃Bi₂SiO₅光觸媒降解結晶紫染料水溶液照射可見光之 光催化實驗數據，圖4.2.1(f)為250℃Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水 溶液之反應速率常數和R²值，表4.2.1為反應速率常數和R²值總表，降解率 依鉍矽莫耳比1:1、1:2、1:3、2:1、2:3、3:1、3:2依序為0.0213 h^-1、0.0238 h^-1、 0.0148 h^-1、0.0163 h^-1、0.0163 h^-1、0.0163 h^-1、0.0163 h^-1，以上數據之相關 因子R²均接近於0.95。

圖4.2.1(f) 250℃Bi2SiO₅晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之反應速率常數 和R²值

4.2.2 Bi

₄

Si

₃

O

₁₂晶型矽酸鉍各反應條件下之降解速率

圖 4.2.2(a)為 Bi₄Si₃O₁₂光觸媒降解結晶紫染料水溶液照射可見光之光 催化實驗數據，圖 4.2.2(b)為 Bi₄Si₃O₁₂晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液 之反應速率常數和 R²值，表 4.2.1 為反應速率常數和 R²值總表，降解率依 鉍矽莫耳比 1:1、1:2、1:3 依序為 0.0076h^-1、0.0149 h^-1、0.0044 h^-1，樣品 相關因子 R²均接近於 0.95。

圖4.2.2(a) Bi₄Si₃O₁₂晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之光催化速率

圖4.2.2(b) Bi₄Si₃O₁₂晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之反應速率常數和 R²值

4.2.3 Bi

₁₂

SiO

₂₀晶型矽酸鉍各反應條件下之降解速率

圖 4.2.3(a)為 Bi₁₂SiO₂₀光觸媒照射可見光降解結晶紫染料水溶液之光 催化實驗數據，圖 4.2.3(b)為 Bi₁₂SiO₂₀晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液 之反應速率常數和 R²值，降解率依鉍矽莫耳比 1:1、1:2、3:1、3:2 依序為 0.0025h^-1、0.0051 h^-1、0.0077 h^-1、0.0075 h^-1，樣品相關因子 R²均接近於 0.95。

圖4.2.3(a) Bi₁₂SiO₂₀晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之光催化速率

圖4.2.3(b) Bi₁₂SiO₂₀晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水溶液之反應速率常數和 R²值

表4.2.1 反應速率常數和R²值總表

4.2.4 比較Bi

₂

SiO

₅、Bi₄

Si

₃

O

₁₂、Bi₁₂

SiO

₂₀三種晶型矽酸鉍降解速率

圖4.2.4(a)為Bi₂SiO₅、Bi₄Si₃O₁₂、Bi₁₂SiO₂₀三種晶型矽酸鉍最佳降解速 率之光催化實驗數據比較圖，圖4.2.3(b)為Bi₂SiO₅、Bi₄Si₃O₁₂、Bi₁₂SiO₂₀三 種晶型矽酸鉍最佳降解條件之反應速率常數和R²值，表4.2.2為三晶型矽酸 鉍最佳條件反應速率常數和R²值表，降解率依Bi₂SiO₅、Bi₄Si₃O₁₂、Bi₁₂SiO₂₀ 依序為0.0257h^-1、0.0076 h^-1、0.0075 h^-1，相關因子R²均大於0.95。從圖中 可看出Bi₂SiO₅晶型矽酸鉍擁有最佳降解速率。

圖4.2.4(a) Bi₂SiO₅、Bi₄Si₃O₁₂、Bi₁₂SiO₂₀三種晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水 溶液之光催化速率

圖4.2.4(b) Bi₂SiO₅、Bi₄Si₃O₁₂、Bi₁₂SiO₂₀三種晶型矽酸鉍降解結晶紫染料水 溶液之反應速率常數和R²值

表4.2.2 三晶型矽酸鉍最佳條件反應速率常數和R²值表

4.3 矽酸鉍複合石墨化氮化碳(Bi

2

SiO

5

/g-C

3

N

4

)

Bi₂SiO₅/g-C₃N₄是兩個結晶相的複合。

圖4.3.1 不同重量百分比Bi₂SiO₅/g-C₃N₄之圖譜

4.3.1.2場發式掃描電子顯微鏡/ X光能量分散光譜儀(FE-SEM-EDS)

圖 4.3.2(a)為單純的 Bi₂SiO₅ (鉍:矽=2:1，pH=13，合成溫度=150^oC) 樣 品形貌及 EDS 圖表，圖 4.3.2(b) 為單純的 g-C₃N₄樣品形貌及 EDS 圖表，

圖 4.3.2(c)至圖 4.3.2(h)依序為 1wt.% 、5wt.% 、7wt.% 、10wt.% 、20wt.%

及 50wt.%Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌和 EDS 圖表

，其中

1wt.% 、5wt.%

Bi₂SiO₅/g-C₃N 複合觸媒可能因 Bi₂SiO₅含量過少故 EDS 偵測不到其中 Bi₂SiO₅的成分。

由圖中可看到

g-C₃N₄為堆疊的片狀結構，Bi₂SiO₅為薄片堆成的球狀 結構，因 g-C₃N₄含量較多，兩者複合後也是以片狀結構為主，上面附著一 些小片狀的 Bi₂SiO₅。

圖4.3.2(a) 單純Bi₂SiO₅ (鉍:矽=2:1，pH=13，合成溫度=150^oC) 樣品形貌及 EDS

圖4.3.2(b) 單純g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(c) 1wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(d) 5wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(e) 7wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(f) 10wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(g) 20wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

圖4.3.2(h) 50wt.% Bi₂SiO₅/g-C₃N₄樣品形貌及EDS

4.3.1.3

各重量百分比之Bi₂

SiO

₅

/g-C

₃

N

₄複合光觸媒降解速率

圖 4.3.3(a)為各重量百分比之 Bi₂SiO₅/g-C₃N₄複合光觸媒照射可見光降 解結晶紫染料水溶液的光催化實驗數據，從圖中就可明顯看出低 wt.%

Bi₂SiO₅ 之 樣 品 降 解 速 率 遠 高 於 高 wt.% Bi₂SiO₅ 樣 品 ， 其 中 10wt.%

Bi₂SiO₅/g-C₃N₄的降解速率更是優於其他所有 Bi₂SiO₅/g-C₃N₄複合光觸媒，

圖 4.3.3(b)則是一級動力學方程式-ln(C/C₀)=kt，其中 C 和 C₀分別指結晶紫 染料水溶液隨取樣時間 t 之變化濃度和結晶紫染料水溶液的起始濃度(10 ppm)，k 為一級反應速率常數，表 4.3.1 為反應速率常數和 R²值總表。圖 4.3.3(b)可看到各重量百分比之 Bi₂SiO₅/g-C₃N₄降解速率依 1wt.%、5wt.% 、 7wt.% 、10wt.% 、20wt.% 、50wt.%依序為 0.0814 h^-1、0.0857 h^-1、0.1104 h^-1、0.1257 h^-1、0.0360 h^-1、0.0332 h^-1，以上數據之相關因子 R²均大於 0.95 以上。

圖4.3.3(a) 各重量百分比之Bi₂SiO₅/g-C₃N₄複合光觸媒照射可見光降解結

圖4.3.3(a) 各重量百分比之Bi₂SiO₅/g-C₃N₄複合光觸媒照射可見光降解結

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