【11】證書號數：I726583
【45】公告日： 中華民國 110 (2021) 年 05 月 01 日
【51】Int. Cl.： G01J1/42 (2006.01) G08B21/18 (2006.01)
發明 全 5 頁
【54】名 稱：警示模組
【21】申請案號：109101495 【22】申請日： 中華民國 109 (2020) 年 01 月 16 日
【72】發 明 人： 葉秉慧 (TW) YEH, PING-HUI；邱煜傑 (TW) CHIU, YU-CHIEH；王子勛 (TW) WANG, TZU-HSUN；周子傑 (TW) CHOU, TZU-CHIEH
【71】申 請 人： 國立臺灣科技大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
臺北市大安區基隆路四段 43 號
【74】代 理 人： 葉璟宗；卓俊傑
【56】參考文獻：
TW I432707 CN 1864052A US 6603126B2
TW M444510 US 4241258 審查人員：張耕誌
【57】申請專利範圍
1. 一種警示模組，適於接收一第一光線並發出一第二光線，該警示模組包括：一基板；一 光感測元件，設置於該基板上，其中該光感測元件接收該第一光線以產生一電流訊號；
一訊號轉換電路，電性連接該光感測元件，且該訊號轉換電路用以將該電流訊號轉換成 一電壓訊號；至少一發光元件，電性連接該訊號轉換電路，其中該電壓訊號用以使該至 少一發光元件發出該第二光線，且該第二光線的波長範圍不同於該第一光線的波長範 圍；一第一型半導體層，具有一第一半導體圖案與一第二半導體圖案；一量子井層，設 置於該第一型半導體層上，且具有一第一量子井圖案與一第二量子井圖案；以及一第二 型半導體層，設置於該量子井層上，且具有一第三半導體圖案與一第四半導體圖案，其 中該光感測元件包括彼此重疊的該第一半導體圖案、該第一量子井圖案與該第三半導體 圖案，該發光元件包括彼此重疊的該第二半導體圖案、該第二量子井圖案與該第四半導 體圖案。
2. 如申請專利範圍第 1 項所述的警示模組，其中該第一光線的波長範圍介於 100 奈米至 405 奈米之間，且該第二光線的波長範圍介於 405 奈米至 700 奈米之間。
3. 如申請專利範圍第 1 項所述的警示模組，其中該光感測元件更包括一第一電極與一第二 電極，設置於該第一半導體圖案的同一側，且分別電性連接該第一半導體圖案與該第三 半導體圖案，該發光元件更包括一第三電極與一第四電極，設置於該第二半導體圖案的 同一側，且分別電性連接該第二半導體圖案與該第四半導體圖案。
4. 如申請專利範圍第 3 項所述的警示模組，更包括：一第三型半導體層，重疊設置於該光 感測元件，且不重疊於該發光元件，其中該第二型半導體層位於該第三型半導體層與該 第一型半導體層之間；以及一第五電極，設置於該第三型半導體層上，且電性連接該第 三型半導體層。
5. 如申請專利範圍第 1 項所述的警示模組，其中該發光元件更包括一波長轉換層，覆蓋該 發光元件的該第二半導體圖案、該第二量子井圖案與該第四半導體圖案。
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6. 如申請專利範圍第 1 項所述的警示模組，其中該訊號轉換電路包括一轉阻放大器，電性 連接於該光感測元件與該發光元件之間。
7. 如申請專利範圍第 6 項所述的警示模組，其中該訊號轉換電路更包括一非反相放大器，
電性連接於該轉阻放大器的一輸出端與該發光元件之間。
8. 如申請專利範圍第 6 項所述的警示模組，更包括一控制電路，電性連接於該訊號轉換電 路與該至少一發光元件之間，其中該至少一發光元件為多個發光元件，且該電壓訊號傳 遞至該控制電路並產生一驅動訊號，以致能至少部分該些發光元件。
9. 如申請專利範圍第 1 項所述的警示模組，其中該基板為一藍寶石基板。
圖式簡單說明
圖 1 是本發明的第一實施例的警示模組的示意圖。
圖 2 是圖 1 的警示模組的剖視示意圖。
圖 3 是本發明的第二實施例的警示模組的剖視示意圖。
圖 4 是本發明的第三實施例的警示模組的剖視示意圖。
圖 5 是本發明的第四實施例的警示模組的示意圖。
圖 6 是本發明的第五實施例的警示模組的示意圖。
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