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探討以LPSCF 作為SOFC 之陰極材料時,陰極端的LPSCF/8YSZ間的極化電阻(Rp)是用電 解 質 支 撐 的LPSCF/8YSZ/Pt 半 電 池 試 片 , 以 交 流 阻 抗 分 析 儀 量 測 。 圖 4-22 為 (La1-zPrz)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ 於不同Pr 含量下ASR隨溫度的變化,可以看出其ASR 值是隨 著溫度的增加而減少,這是因為離子導電率及催化性會隨著溫度的增加而增加,使整體的 極化電阻減少,故ASR 值會隨著操作溫度的增加而減少。圖4-23 所示,以摻雜量Pr = 0 與 0.3 時可以獲得在650oC~800oC最佳的ASR 值,如表4-3 所示,由文獻[13]可知,LSCF 之

離子導優於PSCF,故PSCF 的O相越多則推斷其離子導會隨著降低,故Pr 含量從0 到達0.1 時ASR 會增加的原因為離子導降低所導致的因素,離子導持續降低但是PSCF 相的催化性 的效應並沒有明顯的發生,故Pr 含量從0 到達0.1 之間ASR 會增加的原因,但隨著PSCF 相的增加整體的催化性效應開始發酵,到達0.3 時達到最佳的催化性與離子導的匹配,但 隨著PSCF 相的增加導致離子導持續降低,催化性的增加無法補償離子導的減少,故Pr 超 過0.3 後會持續的增加ASR值。鐠元素添加到0.3 時為最佳的極化阻抗值,與LSCF 比較

之,發現在700oC、750oC的極化阻抗優於LSCF,在其他的操作溫度下極化阻抗值相近,這 符合當初的評估,在降低過電壓與TEC 值時,並沒有嚴重降低原本材料性能。

圖4-22 (La1-zPrz)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ 不同Pr 含量下極化電阻ASR值隨溫度的變化

圖4-23 不同Pr元素含量下操作溫度為600oC~800oC之陰極極化電阻ASR值

表4-3 (La1-zPrz)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ (z = 0,0.3) 在不同操作溫度下之極化電阻ASR值

圖4-24 為(La0.7Pr0.3)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ 在操作溫度600oC~800oC下之交流阻抗圖譜,圖中 阻抗圓弧,根據文獻[29]可知與陰極電化學反應相關,故假設等效電路做交流阻抗圖譜模 擬,區分出高頻與低頻係數,由一個高頻區域半徑較小的半圓弧與低頻區域半徑較大的半 圓弧所組成,這說明了在整個陰極反應過程中,至少含有兩個主要的反應程序,根據Ven Heuveln、Bouwmeesterm[7]與Leng[54]等人的研究指出,高頻區域所感應的半圓弧來自於吸 附氧原子電荷轉移所造成的極化阻抗,而低頻區域所感應的半圓弧則來自於電極表面氧分 子的吸附與氧離子擴散所造成的極化阻抗。

基於此論點,所有的交流阻抗圖譜可以圖4-25 之等效電路圖分析之,由塊電阻R1(Bulk resistance)及R2 與C1 並聯、R3 與CPE1 並聯,這三個部分串聯而成,其中R1 表示所量 測迴路中所有的歐姆阻抗(包含:電極的歐姆電阻、電解質的歐姆電阻、電極與電解質介面間 的接觸電阻和電極與電流收集層(Current collector)的接觸電阻));R2 與C1 則分別為電荷轉

移(Charge-transfer)過程中所形成的電雙層(Double-layer)之電容與電阻;R3 與CPE1 則為電 極表面氧分子的吸附/脫附及氧離子擴散過程所貢獻[7],模擬結果繪於圖4-26。分析交流阻 抗圖譜,可以發現在陰極反應過程中電極表面氧分子的吸附/脫附與氧離子擴散所形成的極 化阻抗溫度 成份與極化阻抗值遠大於電荷轉移所形成的極化阻抗。

圖4-24 (La0.7Pr0.3)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ/8YSZ/Pt 三極式半電池之交流阻抗圖 (a)600oC (b) 650

oC (c) 700 oC (d)750 oC (e) 800 oC。

圖4-25 等效電路模擬圖

(a) (b)

(c) (d)

(e)

由圖4-24 中600oC~800oC的交流阻抗分析圖形中可以看出由最少兩個圓弧所組成,在 600oC時低頻區的圓弧會大於高頻區的圓弧,這是因為低頻區的圓弧代表著氧分子、氧原子 的吸附與脫附及氧離子的阻抗值,高頻區代表著電荷轉移過程的阻抗值,本實驗所研究的 材料為在600oC~800oC時其導電率會隨著溫度增加而下降,但離子導與催化性是隨著溫度 的增加而增加,故在600oC時高頻的圓弧會小於低頻的圓弧,但隨著溫度的增加低頻圓弧會 大量的減小,而高頻圓弧縮減的幅度遠小於低頻圓弧,故在高溫時高頻與低頻的圓弧大小 差異度會減少。

圖4-26 (La0.7Pr0.3)0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ/8YSZ/Pt 三極式半電池之等效電路模擬交流阻抗圖 (a) 600oC (b) 650oC (c) 700oC (d)750oC (e) 800oC,方型黑點為實驗數據,直線為模擬曲線。

(a) (b)

(c) (d)

(e)

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