2. 1 各類功率放大器
為了區別眾多的功率放大器,我們可以分成線性與非線性兩種。線性放大 器:依據偏壓方式的不同,可得到不同位置的工作點,在標準弦波輸入時,得到 各種範圍但不為零的輸出訊號。另一種是非線性放大器,他操作在切換的模式 下,而功率電晶體只是當開關用。
2. 1. 1 線性功率放大器
A 類功率放大器[1],如圖 2-1(共汲組態)電晶體一直工作在線性區內,
工作點取在交流負載線的中央,當標準的弦波輸入時,輸出為全週期的波形,如 圖 2-2。
圖
2
-1. A
類放大器電路 圖2
-2. A
類的工作點假設輸出訊號為
V
Psin ( ω t )
,在負載上的平均功率P
L為
L
圖 2-5. AB 類放大器電路 圖 2-6. AB 類的工作點
2. 1. 2 非線性功率放大器
D 類功率放大器,是一種逐漸取代線性放大器的重要設計。在操作上,需 要一個參考電壓對輸入訊號做訊號的調變,而後再經過解調將訊號還原;一個基 本的架構方塊如圖 2-7。
圖 2-7. D 類放大器的基本架構
在功率效益方面,它有接近 100%的功率效益,這是線性放大器所不能比的,
其癥結出在D 類放大器輸出端的電晶體只需要開和關,也就是操作於線性區,
而線性放大器是操作在主動區,D 類放大器的 遠小於負載電阻 ,所以負載 可得最大的功率。由於輸出訊號不是直接由輸入取得,所以訊號準確度沒有線性 放大器好[2]。
R
onR
LE 類功率放大器(圖 2-8),在目前國際期刊所發表的論文中,於 CMOS 及 GaAs 製程方面多應用於輸出功率較高的手機頻段上,例如 0.25μ -CMOS 製程 應用在900MHz [3]。它的操作模式也是將電晶體視為一個開關,理想上,當開 關打開時,電阻為零;關閉時為無限大。此外,輸出端網路將時域上的電壓電流
m
波形完全錯開,因此消耗功率為零,整體上的功率效益可達100%,它與 D 類功 率放大器所得效益差不多,只是用途不同。至於失真問題,輸出端串聯網路讓所 有諧波項不能通過,以減少失真,輸出為載波頻率的弦波[4][5]。
圖 2-8. E 類功率放大器
此外,如 F 類功率放大器和 K 類功率放大器也都是屬於非線性的放大器,
F 類功率放大器在輸出網路使用了諧波共振器(Harmonic-resonator)來形成輸 出波形,電壓的波形包含了一次或是多次的單數諧波;在汲極為類似方波的波 形, 還原成弦波。F 類功率放大器的斜坡略高;功率效益也差不多 50%左右。
F 類功率放大器需要一個比其他功率放大器更複雜的輸出濾波器[6]。
V
outK 類功率放大器是改良的非線性放大器,它結合了類比(線性)放大器區塊,
和切換(非線性)放大器區塊。類比放大器的函數是一個與電壓源無關的放大器,
而切換放大器函數是電流控制電流源。K 類功率放大器最主要的優點是:1. 由 於結構中包含類比放大器的區塊,使得總諧波失真(Total-Harmonic Distortion)
降低,2. 切換放大器的區塊則有優良的功率效益表現。它改善了非線性放大器 失真過大的問題[7]。
圖 2-9. F 類功率放大器電路
圖 2-10. K 類功率放大器電路
2. 1. 3 各類功率放大器比較
綜合以上所做的討論,大致上可以歸納如表 2-1
種類 失真度 最大功率效益
A 類 最低(輸出完全從輸入取得) 最低(最差)
B 類 略高(由於交越失真導致) 線性最好
線性
AB 類 尚可(消除交越失真) <75%(約 50%)
D 類 最高(輸入訊號調變所致) 約100%
E 類 尚可(利用輸出端網路減少失真) 約100%
F 類 諧波略高 約50%左右
非線性
K 類 比D 類彽(結合線性所致) 比D 類彽 表 2-1. 各類功率放大器比較
功率放大器最重要的就是功率效益要高,非線性的放大器比線性放大器高許 多[8],所以近年來所討論的功率放大器大都是以非線性居多。但是,對於訊號 的失真問題卻是很頭痛,於是,為了改善這類問題,有人提出K 類放大器:結 合線性與非線性設計;也有人把線性放大器(如A 類)作為非線性放大器(如 D 類)的補償失真用。不論是K 類或是這種 AD 類放大器,都是在非線性放大器 的結構裡添加額外的電路對失真度做改善,一個很直觀的缺點是面積變大了 [9][10]。
2. 2 低功率 D 類音頻功率放大器
2. 2. 1 架構
D 類功率放大器的操作頻率在低頻,也就是音頻訊號,在依據輸出不同的瓦 數應用於不同的產品,從音響的喇叭到一般PDA 或是手機都有[11]。詳細架構如 圖 2-11 所示,音頻訊號與三角波輸入比較器內,使輸入的音頻訊號分離,變 成一種寬度不一的數位訊號,這種調變稱為脈衝寬度調變切換技術[12]。再將訊 號經過Gate-Driver 來驅動輸出級,輸出級再將 PWM 訊號以低阻抗加到低通濾 波器和負載上。
Gate-Driver 是用來推動輸出級這種功率元件,使輸出級電晶體可以正常開 關;這種輸出級稱為半橋式(Half-Bridge)輸出級。最後一部份分為低通濾波 級,它把高頻項給濾掉,這些高頻項是由於切換調變所產生出來的失真。
圖 2-11. 基本 D 類功率放大器
2. 2. 2 脈衝寬度調變切換技術(PWM Switching Scheme)
理想的 PWM 切換技術如圖 2-12[2] [12] 所示,由正弦波 與三角波 比較;當三角波大於輸入音頻訊號時,比較器輸出為low(-V);當三角波小 於輸入弦波時,比較器輸出切換至high(+V)。每一個脈波具有固定的振幅及可 改變的脈波時間寬度(時間區間),此寬度正比於調變訊號的瞬時振幅大小。當 輸入音頻訊號的振幅愈大,調變出脈波的寬度就愈寬;輸入音頻訊號的振幅愈 小,調變出脈波的寬度就愈窄。在一個音頻訊號的週期中,就會產生寬度不同的 脈波,這樣的調變方式稱為脈波寬度調變(Pulse-Width-Modulation),簡稱為 PWM 調變。
control
V
V
tri三角波(又稱為載波)之振幅為 ,頻率為 , 決定開關的切換頻率;
正弦波控制訊號 的基頻 決定輸出電壓頻率,其振幅決定輸出電壓大小。
定義振幅調制指數為正弦波振幅 與三角波振幅 的比值,
VT fs
VT
fs control
V f
1VC
T C
a V
M = V ;頻率
調制指數為三角波頻率與正弦波基頻 f1的比值,
f1
Mf = fs [13]。
圖 2-12. 脈衝寬度調變(PWM)
圖 2-13. PWM 輸出頻譜
D 類功率放大器的 PWM 調變中,三角波振幅必須大於弦波的振幅,也就是
,如此才可以利用載波把弦波的每一小段給數位化。對於此PWM 在設 計上需要注意的是 愈大愈好,因為PWM 所產生的諧波次項會是 的整數 倍,如上圖 2-13,當 很大時,就濾波器的觀點來看是越容易濾除的。
≤ 1 Ma
Mf Mf
Mf
2. 2. 3 全橋式輸出級(H-Bridged output stage)
圖 2-14 為全橋式輸出級,而圖 2-15 為圖 2-14 的輸出電路,在 M1 和M2 的 Gate 端輸入相同的 PWM 訊號,而 M3 和 M4 輸入的 PWM 訊號 High、
Low 與 M1、M2 相反。跨在喇叭上的訊號( 與 )就會是反相,
變為之前的兩倍,換句話說,利用全橋式的結構可增加輸出功 率,而不用增加電源供應電壓。通常設計上會把
1
VO VO2 )
( O1 O2
load V V
V −
= 0
V− ,因此就可以消除一項
電源供應電壓,同時,得到輸出會和圖 2-11 的結構一樣[2] [14]
圖 2-14. 全橋式輸出級
圖 2-15. 全橋式之輸入架構
2. 3 D 類功率放大器的功率效益
2. 3. 1 理論分析
圖 2-16 為 D 類功率放大器之輸出級的簡化表示圖,圖中的四個電阻皆代
表功率電晶體汲極到源極的阻抗,並假設電流的流向如箭頭所示。 :當電
晶體操作在線性區時的導通電阻,其值很小(約為歐姆級); :當電晶體 操作在截止區時的關閉電阻,其值很大(約MEGA 歐姆級)[15]。
) (on
RDS ) (off
RDS
功率效益
η
:η
大概可以在90%以上。以 Texas Instruments(德州儀器)的datasheet(TPA005D02)為例[8]:一般小喇叭的負載電阻約 8 , 約 0.3 ,故功率效益
圖 2-17. Gate Driver 之簡化等效電路
在低頻下,Driver MOSFET 的功率損耗很小,但是,當頻率增加,由閘極電 容的充電和放電所造成的功率損耗就變得重要了。閘極的電容需要被充電來提升 電壓值,當電壓達到某一程度,則使下一級的元件得以打開(turn on),在這充 電過程中,會有電流流過電阻而造成能量的損失;相對的,當閘極電容放電,在 這放電的過程中也會造成能量的損失。因此,結合元件開(ON)和關(OFF)
之週期能量損耗,可寫成下式:
Pg = VgsQg fS (2. 11)
其中Qg為提升閘極電壓Vgs所需的電荷。
用來切換 MOSFET 的 peak 電流與切換速度有關。RC 網路之時間常數決定
, 讓閘極電容可充電至 。一般而言,充電時間,也就是 ,需要四倍 時間常數
ton ton Vgs ton
τ
。因此,以一個閘極電容 、閘極電阻 和閘極驅動電路的電阻 可寫成下式:Cgs Rg Rd
Ton = 4τ = 4
(
Rd + Rg)
Cgs (2. 12)其中Cgs為
V
ds= 0
時的電容值,當V
ds= 0
時,對於閘極電阻和閘極驅動電路 的電阻有一組最差的阻抗值。Gate Driver 電路的 peak 電流值為:
g d
gs
gp R R
I V
= + (2. 13)
由這些式子將可以推出閘極驅動電路所要消耗的能量。
圖 2-18. 傳導損耗路徑圖
傳導損耗:如圖 2-18,利用全橋式輸出級和一個簡單的 LC 濾波器來分析:
假設M1、M4(ON)且 M2、M3(OFF)其傳導路徑為 經過功率電晶體(M1、
M4)和濾波器到地(GND)所造成的功率損耗。其中電流流過功率電晶體的電 阻( )損耗,在2. 3. 1 節以分析得知;其次為較不重要的濾波器損耗。
V
DD( )on
RDS
濾波器損耗 [17]:利用通過電感的 ripple 電流和濾波器上的阻抗及其他組成 可推出功率損耗。在第一個半切換週期,電感上的跨電壓是正電源供應器的電壓 值( );第二個半切換週期,電感上的跨壓是負電源供應器的電壓值
( ),電感電流改變的速度能用(2. 14)式計算:
V
DDVDD
−
dt L di
V = × (2. 14)
其中V 為跨在電感上的電壓,
dt
di電感上電流之切換速度。
在每半個週期的電感跨壓大小為一個常數,只有正負極的變化(± VDD)。
當電感為一個常數值時,
IC 的面積。圖 2-19 把三角波產生器以一個簡化等效電路表示,三角波的產生 是先設計一個固定的方波(方波產生器),其振幅為 ,頻率為 (亦為三角 波的頻率),在利用等效的RC 網路的充電和放電來產生指數載波;圖 2-20 即 為電容充電後的波形,它是將峰值 ,頻率 的方波積分得到。
V
cpf
SWV
cpf
SW
圖
2
-19.
三角波之等效電路 圖2
-20.
三角波操作時域由圖 2-19 的三角波產生器之等效電路可以推導出(2. 17)式,用此式子 也可以看出
V
tri的波形。
( )
⎥⎦
⎢ ⎤
⎣
⎡ −
=
1
−t0t
CP
tri
t V e
V
(2. 17)其中
t
0 =RC
,c
T
Ct
ω= π
<
<
2
0
。從圖 2-20 中可以看到改變電容值將得到不同的三角波振幅大小和三角波
從圖 2-20 中可以看到改變電容值將得到不同的三角波振幅大小和三角波