計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系王興宗教授
會議時間地點 95 年 2 月 8 至 95 年 2 月 9 日 美國休士頓 會議名稱 U. S. Air force & Taiwan Nanoscience Workshop 發表論文題目
一、參加經過與感想
由國科會國家型奈米科技計劃辦公室與美國空軍科學研究辦公室合辦之 U. S. Air force &
Taiwan Nanoscience Workshop 研討會於 2 月 8 日至 9 日在休士頓(Houston,Texas)舉行。此次研討 會之目的在於建立雙方相關科技研究者之互動關係與交換研究心得，進而促進雙方之學術研 究交流，參加人員逾百位，發表數篇口頭報告論文，及壁報論文發表，筆者應邀發參加並擔 任 Session 2:Gan and InN Nanostructures 主席，亦發表一篇論文。
此次會議筆者對美國軍方在奈米科技上之研究與需求瞭解甚多，獲益不少。對國內在奈 米科技研究所投入之研究資源與研究成果能獲美國軍方之肯定，筆者認為甚為難得。筆者於 會後 2 月 10 日上午飛返國內。
二、帶回研究資料
筆者帶回此次研討會論文摘要一冊，可供索閱，另外大會將製作論文摘要及投影片 CD 彙 集, 應於近期內寄送至與會人員，將來亦可索閱。
出席國際學術會議心得報告
計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系王興宗教授及盧廷昌助理教授
會議時間地點 95 年 2 月 21 至 95 年 2 月 23 日 香港 會議名稱 Nano Technology and Japan Nano 2006 會議 發表論文題目
出國會議經過及心得:
Nano Technology and Japan Nano 2006 會議，於 95 年 2 月 21 至 95 年 2 月 23 日於日本東京舉 行。主要為日本所舉辦國際型的交流，內容含蓋廣泛，主要參加者仍以日本本國為主，其餘 來自美國、歐洲、韓國、台灣，值得ㄧ提的是台灣來參加的人還不少，但大都為壁報展示。
由於與會的人士中許多來自日本的電子業巨擘，例如 Fujitsu，Sony，Toshiba 等，因此有許多 的人詢問關於 RCLED 的特性以及應用的相關問題，討論非常熱烈﹗
同時也參與了其他 session 的討論。但由於 SSDM 的主題包含太過廣泛，我僅排了和光電相 關的會議 。其中另我印象較深的是 NTT 在 Photonic crystal defect laser 中所能達到的高 Q 值，
以及東京大學可製作中溫室連續操作的 PBC laser。另外 NTT 可在奈米線中製作量子點，並量 測其 Exciton 和 biexciton 的特性，東京大學荒川教授實驗室報告了改良型的單光子發射器，可 用於量子通訊的應用，也令人敬佩﹗此外，poster session 則有許多來自台灣的成果。
此行的所在地東京熱鬧非凡，只可惜我停留期間，陰雨綿綿，無法一覽城市美麗高樓的天 際線。最後，感謝國科會的經費資助，得以展現我們的研究成果，並有機會和國際交流﹗
出席國際學術會議心得報告
計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系王興宗教授
會議時間地點 95 年 3 月 25 至 95 年 3 月 29 日 美國洛杉磯 會議名稱 ＯFC/NFOEC2007 會議
發表論文題目
一、 參加會議經過與心得
ＯFC/NFOEC2007 會議於 3 月 25 日至 3 月 29 日在美國洛杉磯舉行。此會議為國際上所知名的 學術研討會。參加學者來自世界各地包括美國、日本、韓國、加拿大、歐洲等地的知名學者。
本次會議包含了數十個科技、科學領域，且有數十家廠商進駐會場發展新產品，故參與的人 員非常地多，會場討論氣氛熱絡，且互動情型良好。
此次會議筆者對國內在奈米科技研究所投入之研究與需求瞭解甚多，獲益不少，筆者認 為甚為難得。會議回程，筆者與博士研究生轉赴史丹福大學與合作研究之 Prof. Yoshi Yamamoto 商談研究合事宜，並提供本研究室之新氮化鎵奈米結構樣本於 Prof. Yamamoto 做實驗，筆者 亦與 Prof. Yamamoto 討論今後研究合作之課題與細節。
。
二、 帶回研究資料
筆者帶回此次研討會論文摘要一冊，可供索閱，另外大會將製作論文摘要及投影片 CD 彙 集, 應於近期內寄送至與會人員，將來亦可索閱。
出席國際學術會議心得報告
計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系盧廷昌助理教授
會議時間地點 95 年 9 月 13 至 95 年 9 月 15 日 日本橫濱
會議名稱 2006 International conference on Solid State Devices and Materials 發表論文題目
一、 參加會議經過與心得
2006 International conference on Solid State Devices and Materials 於 9/13-9/15 在日本橫濱舉行。此 會議主要為日本所舉辦國際型的交流，內容含蓋廣泛，主要參加者仍以日本本國為主，其餘 來自美國、歐洲、韓國、台灣，值得ㄧ提的是台灣來參加的人還不少，但大都為壁報展示。
我主要是再 9/13 下午發表一篇＂Strong Ultraviolet Emission from InGaN/AlGaN Multiple Quantum well Grown by Multi-step process＂，15 分鐘長的報告。該場的主持人為 Paul Drude Inst.的 Ploog 教授，他在 GaN 的領域相當有經驗，我們在該會議前也交換了一些關於 AlN/GaN DBR 的成長 與特性的資訊。另外，我在 9/14 的早上又發表一篇＂ High Performances of 650 nm Resonant Cavity Light Emitting Diodes for Plastic Optical Fiber Application＂ 。由於與會的人士中許多來自 日本的電子業巨擘，例如 Fujitsu，Sony，Toshiba 等，因此有許多的人詢問關於 RCLED 的特性 以及應用的相關問題，討論非常熱烈﹗
除了準備論文發表之外，我也參與了其他 session 的討論。但由於 SSDM 的主題包含太過廣 泛，我僅排了和光電相關的會議 。其中另我印象較深的是 NTT 在 Photonic crystal defect laser 中所能達到的高 Q 值，以及東京大學可製作中溫室連續操作的 PBC laser。另外 NTT 可在奈米 線中製作量子點，並量測其 Exciton 和 biexciton 的特性，東京大學荒川教授實驗室報告了改良 型的單光子發射器，可用於量子通訊的應用，也令人敬佩﹗此外，poster session 則有許多來自 台灣的成果，下圖即為我和成大奈微所的薛道紅博士(也是從交大光電所王興宗老師實驗室畢 業)的合影。
此行的所在地橫濱熱鬧非凡，只可惜我停留期間，陰雨綿綿，無法一覽城市美麗高樓的天 際線。但未來港 21 仍然展現了日本第一大港的旺盛活力。最後，感謝國科會的經費資助，得 以展現我們的研究成果，並有機會和國際交流﹗
出席國際學術會議心得報告
計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系王興宗教授及博士後研究員黃根生博士
會議時間地點 95 年 10 月 22 至 95 年 10 月 27 日 日本京都
會議名稱 International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 發表論文題目
一、會議經過及感想
筆者受日本應用物理學會之邀請參加由其主辦之 2006 年度氮化物半導體國際會議
（International Workshop on Nitride Semiconductors 2006），並在會期間與瑞士 Lausanne 大學 研究室之研究人員討論相關之課題與細節。
日本應用物理學會在日本舉辦的二年一度氮化物半導體國際會議，此次國際會議於 2006 年 10 月 22 日至 10 月 27 日在京都的國立國際會議中心內舉行。共有來自 20 多個國 家總計約有 700 位從事氮化物半導體研究的研究人員參加，主會場有兩天的特邀請演 講，包括 M. George Craford and R. GaKsa 都分別做了本領域的精彩演講。第三天和第四天 4 個分會場，筆者主要參加 Optical Devices, 共有 105 場邀請演講和口頭報告購及 160 篇 的壁報展覽。筆者穿插參加了 Optical Devices 的研究分會，和到與會人士互相交換了相關 研究的心得，在之後的研究上助益良多。
筆者在會議的 10 月 25 號下午在 Optical Devices 的分會發表一場口頭報告，報告筆者 對利用高反射率的氮化鋁/氮化鎵和氧化鉭/氧化矽布拉格反射鏡混合型共振腔，並回答他 們提出的問題。
此行除了在會發表之論文受國際重視外，並認識到相關研究的現況及方向，收穫頗 佳。對在執行中的奈米計畫將助益不淺。
二、攜回資料
筆者帶回本會之論文集，可供有興趣的研究專家索取。
出席國際學術會議心得報告
計畫編號 NSC94-2120-M009-007
計畫名稱 氮化鎵介觀尺度下量子侷限結構之光子輻射可控性研究(3/3)
出國人員姓名
服務機關及職稱 光電工程學系王興宗教授
會議時間地點 95 年 11 月 12 至 95 年 11 月 17 日 美國舊金山
會議名稱 2006 年第五十三屆美國真空協會(American Vacuum Society, AVS) 發表論文題目
一、 參加會議經過與心得
2006 年第五十三屆美國真空協會(American Vacuum Society, AVS)所舉辦的國際學術博覽會於 十一月十二日至十一月十七日在美國舊金山舉行。此會議每年舉辦一次，為國際上所知名的 學術研討會。此次參加學者多達一千多位來自世界各地包括美國、日本、韓國、加拿大、歐 洲等地的知名學者。筆者在會議的奈米科學範鑄中發表了一篇海報張貼論文，內容關於新化 合物氧化銦的奈米鏈製作及其光學特性研究。本次會議包含了十四個科技、科學領域，且有 多達四十家廠商進駐會場發展新產品，故參與的人員非常地多，會場討論氣氛熱絡，且互動 情型良好。
會議的第一天為註冊、報到及有少數演講廳舉辦學術研究發表，內容為生物材料之領域。
第二天、第三天則所有的演講廳均安排了講者演講，由於場次相當地多，且有些會在同一時 間舉行，故筆者則根據自己實驗室所要發展的方面作考量，結合自己未來規劃的研究方面來 選擇，其中對於美國聖地亞國家實驗室所發表的一篇關於利用 MOCVD 所成長三五族半導體 奈米線材料有很深刻的印象，該主題利用金奈米粒子作為觸媒的方式成功成長出 GaAs、GaN、
AlGaN 等三五族半導體之奈米線陣列，並製作電極利用奈米線連通後將電性量測出來，光性 上亦有相當不錯的表現，而 AlGaN 奈米線陣列在完成後發光波長可控制在 290 nm 至 300 nm
AlGaN 等三五族半導體之奈米線陣列，並製作電極利用奈米線連通後將電性量測出來，光性 上亦有相當不錯的表現，而 AlGaN 奈米線陣列在完成後發光波長可控制在 290 nm 至 300 nm