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品質因數量測方法

由上一章我們知道品質因數的定義,並依照其定義介紹了一個量 測方式。然而此法所考慮的情況太過單純,只使用集總電路(lump circuit)模型,與實際量測狀況有所差距,因此本章將介紹其它量 測方法。首先參考[3],將考慮的情況擴展至傳輸線電路,並據以建 立一簡單的量測方式。其後將參考[4]的方式,將耦合效應納入電路 模型中,並以移動參考平面的方式扣除耦合效應。最後由於某些量測 環境影響,無法直接將參考平面移動,因此嘗試在存有耦合效應的情 況下,進行品質因數量測[11]。

2-1 反射係數相位量測法

首先考慮一連接於傳輸線上的無損耗共振器,如圖 2.1.1 所示。

圖 2.1.1 接於傳輸線上之無損耗共振器。

若定義參考平面在負載與傳輸線的交接處,則反射係數為

故由(2.4a)減去(2.4b)可得

2

值得一提的是,由第一章中介紹的半功率頻寬顯示,如果共振器 輸入阻抗的虛部,亦即(1.23)的近似式

C BW L C

0

1

ω

ω ω 等於 R,則

BW Q1

0RC=

(2.7)

因此量測時須掌握住共振器輸入阻抗的虛部變化,就可以在品質因數 與頻寬之間建立適當關係。而(2.7)式中 R 的選擇,就決定了所計 算出來的 Q 值,是外部、內部、或是整體品質因數。以半功率頻寬法 為例,式中的 R 代表共振器內部損耗,因此計算的 Q 值為內部品質因 數。而在反射係數相位法中,以Z0取代(2.7)的 R,則可得到外部 品質因數。

至於反射係數相位法的原理,可以由圖 2.1.2 說明。該圖為複數 平面,其中左半部代表(2.1)的分子部分,右半部則代表分母。當 共振時兩者的虛部皆為零,但由於特徵阻抗不隨頻率變化,因此當頻 率離開共振頻率之後,反射係數將沿著圖中虛線移動。由圖顯示,當 輸入阻抗的虛部等同於特徵阻抗,亦即(1.23)等於±Z0時,反射係 數的相位恰為±90°,因此從Δf±90中便可得到外部品質因數的資訊。

圖 2.1.2 考慮無損耗共振器之反射係數相位變化。

圖 2.1.3 接於傳輸線上之帶有損耗的共振器。

圖 2.1.4 考慮共振器損耗之反射係數相位變化。

使用圖 2.1.2 除了可以說明反射係數相位法的原理之外,同時也 可以看出此法的缺點。圖 2.1.3 為一帶有損耗的共振器,其反射係數 為

( )

( )

+

+

+

=

L C j Z R

L C j Z R S

ω ω ω ω

1 1

0 0

11 (2.8)

依據反射係數相位法,圖 2.1.2 則成為如圖 2.1.4 所示。

由圖 2.1.4 顯示,由於對共振器的損耗不明,因此共振器輸入阻 抗的虛部不論等於 R、Z0或是 R+Z0,都無法得知其相對應的反射係數 相位。因此反射係數相位法只能使用在無損耗,或是相對於外部損耗

不過對於有內損的共振器,下述方法可以測得其整體品質因數。

2-2 傳輸量測法

(a)

(b)

圖 2.1.5 耦合於雙端之共振器(a)等效電路及(b)簡化電路。

使用半功率頻寬進行品質因數量測,在第一章及前節都有提及,

然而都是討論單埠網路。在某些量測中,如[8]中所使用的量測裝置 係雙埠網路,因此本節將介紹雙埠測試法,首先考慮如圖 2.1.5 電路

上圖(a)為描述雙端耦合於傳輸線之共振器,其中 L1及 L2為耦 合效應,M1M2為其互感值。若假設 RG、RL與特徵阻抗匹配,不考 慮耦合機制的損耗,且忽略 L1及 L2則上圖(a)可簡化為圖(b),

其中

( )

1 2 1 1

Z R ωM

=

( )

2 2 2 2

Z R ωM

= 。由圖(b)可求得整體品質因數為

( ) (

2

)

2

2 1

0

M R M

QL L

ω ω

ω + +

= (2.16)

若定義傳輸損耗(transmission loss)

的內部品質因數量測法,關鍵就在於是否有可靠的方法控制β1β2。 雖然傳輸測試法較下節敘述的阻抗測試法為準確,且即使耦合機 制存有損耗,也可以透過降低耦合強度,減少其對內部品質因數的影 響,這是阻抗測試法較難做到的。然而此法無法直接由量測的數據獲 得品質因數,因此一般較常使用下述阻抗量測法。

2-3 阻抗量測法

阻抗量測法係直接量測共振器的輸入阻抗,得到品質因數。由於 品質因數在共振頻率附近,可以其阻抗實部虛部的比值定義,因此由 量測共振器的輸入阻抗變化,可較快速求得品質因數。

然而實際上量得之輸入阻抗,都是經過耦合機制所得之阻抗值,

而非原本共振器的輸入阻抗。因此在正式說明阻抗量測法前,須先瞭 解如何避開耦合機制的影響。首先考慮一共振電路,如圖 2.3.1 所 示,則由 a 點之輸入阻抗為

( )

+

+

=

L C j R jX M Z

s aa

ω ω ω

1

2

1 (2.22)

圖 2.3.1 考慮耦合效應之共振器等效電路。

將(2.25)代回(2.24),可得

(

0

)

比較(2.26)與(2.23),顯示原本在觀察點 a 的耦合效應被移 除,然而代價是在 b 觀察點的共振頻率已經飄移,且共振器輸入阻抗 的強度也已改變,然而由δ0以及β表示式顯示,若代表耦合效應的X1

值不太顯著,則 a 及 b 觀察點的結果頗為接近。而在物理意義上,其 實就是先經由偏離共振點移除共振器效應,使得輸入阻抗主要包含耦 合效應。接著在傳輸線上移動參考平面,找出看不到耦合效應的觀察 點,則在該頻率附近都可視同耦合效應不存在。然而代價就是共振器 的輸入阻抗,會經過觀察點的移動而改變。如果耦合機制微弱,則觀 察點的移動距離就短,觀察到的輸入阻抗也就會相近。

另外,為避開耦合效應可選擇的觀察點並非唯一。例如在距離 b 點四分之一波長處亦可當作觀察點。唯此時觀察到的共振行為,將從 並聯轉成串聯,但都將不受耦合效應的影響。

2-3-1 使用史密斯圖

在阻抗量測法中,使用史密斯圖為最直觀的方式,因為其中並沒 有太複雜的運算。首先透過前述的方式找到觀察點 b,唯需注意的是,

將操作頻率偏離共振點時,若共振器的共振頻率是可以調整的,則以 調走共振器的中心頻率的作法較優,若無法做到才改調信號源的頻

率。主要是因為若調整信號源的頻率,則找到參考點 b 之後,將信號

圖 2.3.2 使用史密斯圖量測品質因數。

上圖所示即為使用史密斯圖計算品質因數的典型例子,。其中虛 線即為Zin r jr

= +1

Zin = r± j1

(

r+1

)

Zin = r±1 j 這三條參考線,而實線

則為

Z0

Zbb

的軌跡。

若選擇 c 點為觀察點,則為串聯共振,一樣可引用相同概念量得 品質因數。唯此時操作的平面可直接使用阻抗平面,而非史密斯圖,

阻抗軌跡為一垂直於實軸的直線,透過該直線與r =xx=1x= r+1

這三條參考線的交點,便可求得QQeQL

2-3-2 使用駐波比

因此在史密斯圖上,以Γ為半徑的圓與正實軸的交點所對應的阻抗為

比較圖 2.3.3 與圖 2.3.2,便能清楚發現δ1δ6的頻率點分別對 應出唯一的駐波比,因此在這裡觀察駐波比對頻率的變化,等效於直 接觀察史密斯圖上的阻抗軌跡。

在實際使用時,會先調整頻率以得到如圖 2.3.4 所示,亦即駐波 比對頻率的圖形。由圖 2.3.2 可以知道,其最低點即為共振點,而該 點的駐波比即為β。得到β後就可由(2.35)~(2.37),得知當阻 抗軌跡與參考線交會時所對應的駐波比。經由反查駐波比對頻率的圖 形,便可得知相對應的頻寬,從而求得三個品質因數。

圖 2.3.4 使用駐波比對頻率之變化量測品質因數。

在阻抗量測法中,除了上述兩法之外,還可使用相位求得品質因 數。然而此法與反射係數相位量測法,其限制與結論皆雷同,都是在 內部損耗遠小於外部損耗的前提下,獲得外部品質因數。唯其取得相 位的方式,是找出各頻率下電壓最小點的位置,然而其本質與反射係 數相位量測法相同。故整體而言是經過較複雜的演算過程,獲得與 2-1 相同的結論。

由 2-3-1 與 2-3-2 的方法顯示,雖然都可以求得三個品質因數,

然而在實務上,可以依據耦合的強烈與否,選擇較為準確的量測方 式。觀察圖 2.3.2,當耦合太微弱時,阻抗軌跡會向左收縮,此時各 個指標頻率會因為太過相近而不易分辨。反之若選用駐波比,由於繞 到與正實軸交接時,在短距離內就會有顯著的駐波比變化,因此鑑別 度相當好。而當耦合太強烈時,阻抗軌跡向右擴大,此時若使用 2-3-2 之方法,會因為駐波比分佈得太緊密,而難以讀得正確值。反觀 2-3-1 之方法,在此時便有較好的頻率鑑別性,至於相位法則是限制在β>>1 的情況,故欲使用阻抗量測法,可以依據實際的耦合情況,選用較適 合的方法。

2-4 考慮耦合效應之品質因數量測

圖 2.4.1 考慮耦合效應之簡化共振電路。

本章至此已經介紹了數種品質因數量測法,並在前節中首次考慮 耦合效應,並以移動參考平面的方式扣除該效應。然而電路多在各端 點即已有饋入電路,亦即參考平面不容易移動。因此本節將敘述當耦 合效應存在時的量測方法。

考慮一簡化後的等效共振電路,如圖 2.4.1 所示,其中假設耦合 效應Xe隨頻率有一次變動項,即

(

δ

) (

δ

)

ω + = +

= 0L 1 X1 1

Xe e (2.38)

其中δ的定義同(2.18),因此連同耦合效應的輸入阻抗可以寫成

( )

δ δ

Q j Q R

R X j

Zi C

2

2 1 1 0

1+ + +

= (2.39)

而傳輸線上的反射係數為

C i

C i

i Z R

R Z

+

=

Γ (2.40)

(2.39)中的前項,其對頻率的變率,相對於後項而言緩慢得多。因

此可把(2.40)重寫如下

由於在遠離共振頻率時,(2.42)趨近於零,因此(2.41)成為

S

將(2.41)與(2.44)相減即可得到

⎟⎟

(

L L

)

D i

Q k j

e

δ Γ

Γ

2 1 1

1 2

+

⎛ +

=

(2.50)

其輸入阻抗在史密斯圖上的變化,如圖 2.4.2 所示。

然而(2.50)在Q δL L >>1時會無法成立,因此最好限制量測頻率 範圍為Q δL L 1。因此此方法不能如 2-3-1 所敘述的方法,可偏離共 振頻率直到阻抗軌跡與某些參考線相交。然而由(2.50)與圖 2.4.2 顯示

L L

L Q δ

φ 2

tan = (2.51)

由(2.51)得知,若取得輸入阻抗軌跡之後,可以量出φL,並查得相 對應的頻寬之後,透過上式求得QL

圖 2.4.2 考慮耦合效應之共振器輸入阻抗軌跡。

本章介紹了各種品質因數量測法,包括使用反射係數相位、傳輸 量測法及阻抗量測法等等,並逐步考慮共振器損耗及耦合效應的影 響。此外也說明了如何按照實際耦合情況,選用適當的量測法以提升 準確度。而下一章將進行實物量測。針對耦合於微帶線之介質共振 器,首先建立其等效電路,並於推導出量測方法後,附上模擬與量測

本章介紹了各種品質因數量測法,包括使用反射係數相位、傳輸 量測法及阻抗量測法等等,並逐步考慮共振器損耗及耦合效應的影 響。此外也說明了如何按照實際耦合情況,選用適當的量測法以提升 準確度。而下一章將進行實物量測。針對耦合於微帶線之介質共振 器,首先建立其等效電路,並於推導出量測方法後,附上模擬與量測

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