3. 文獻回顧
3.3. 奈米噴流
利用分子模擬進行液體噴流的研究方面,1993 年 Koplik 與 Banavar49 進行界面斷離(Rupture)的研究,圖 3-1 為他們研究液柱斷離形成液滴的 過程圖,系統由一開始的液柱逐漸斷離,然後慢慢調整,最後成為圓球;
他們改變不同的液柱半徑,並將液柱斷離的時間與線性理論做比較,得到 了不錯的結果。
圖 3-1 液柱斷離過程圖49
1998 年 Kawano50也進行了液柱在兩相斷離的研究,他加大了系統邊長 與液柱半徑的比值,所生成的液滴顆數並不像 Koplik 與 Banavar49 僅有單 顆,而下圖所生成的顆數較多,這是因為上圖的液柱半徑較大;而 Kawano 也將結果與 Rayleigh 的線性理論相比較,且得到相當不錯的結果。
圖 3-2 液柱斷離過程圖(Kawano)50
2000 年 Moseler 和 Landman10進行奈米噴流的研究,他們成功的模擬連 續噴流現象,進而討論整個液流的形成、穩定性及分離的現象,並且利用 連續力學的概念,將 LE(Lubrication Equation)加上一修正項項成為 SLE
(Stochastic Lubrication Equation),且由所得的 SLE 與分子模擬比較,得到 與分子模擬相當吻合的結果。圖 3-3 Landman 等人所模擬的奈米噴流情 形,這是考慮分子與噴嘴有潤溼(Wetting)現象,由圖中可看出液柱及液 滴皆出現非對稱情形,且伴隨著蒸發的分子;而在傳統連續力學模擬中,
一般常見的方式是將 Navier-Stokes 方程式簡化成一維軸對稱,因此在噴流 過程中有些現象無法忠實的呈現,雖然有人採用三維的模擬方式,可有效 的描述非對稱情況,但是當尺度小至奈米級時,對於分子間作用力所產生 的現象,仍然無法用巨觀的 Navier-Stokes 方程式來描述,圖 3-4 即為不同 方法所預測的情形,在液滴形成前,在液流頸部(Neck)MD 是呈現雙錐 形,利用連續力學的 LE 所得到的結果呈現細長的液流,SLE 模擬所得到的
圖 3-3 奈米噴流過程圖10
圖 3-4 液體噴流預測情形 10
2001 年 Goto51等人經由實驗與模擬進行研究,他們主要是利用雷射熔 射法(Laser Ablation),將一種有機分子注入另一種有機分子表面,如何成 功的將分子射出。
圖 3-5 雷射熔射法51
而在奈米噴流的實驗上,Voigt8, 9, 11, 52, 53
等人做了一系列的研究,他們 由製作的奈米噴嘴,進行不同條件的奈米級蝕刻研究,他們發現,當基板 與噴嘴的距離小於噴嘴的半徑時,蝕刻的寬度會趨近於噴嘴的直徑,亦即 可產生約 100 nm 的高解析度;而因為單一噴嘴蝕刻速度太慢,所以為了克 服這個問題,他們同時也發展了奈米噴嘴陣列,如圖 3-6 所示。
而奈米噴嘴製作的過程,利用聚焦式離子束(Focused Ion-Beam)在金 字塔型的矽後方鑽孔,而噴嘴的幾何主要受到離子束流動分佈(Profile)的 影響,因此經由適當的調整控制,可得到理想的噴嘴幾何。
方得華(Fung)等人於 2003 年13研究 Argon 的噴流塗佈情形,研究中觀 察不同噴嘴孔徑及移動基材對噴流塗佈的影響,並發現噴嘴內部能量隨時 間呈現波狀變化的情形。2004 年 14研究溫度及噴嘴孔徑對噴流的影響,發 現除了能量之外壓力也呈現波狀變化的情形,並指出當系統溫度較低時有 利於流體集中不至於產生噴濺的現像。同作者於 2006 年16考量傾斜角度之 噴嘴於基材的塗佈情形,此外也針對不同的噴嘴移動速競進行討論。
圖 3-7 Argon 於基材之噴流塗佈情形及傾斜噴嘴之塗佈情形
2005 年 Shin 等人15透過二維分佈圖 (2D contour) 發現噴嘴內部接近出 口處存在一分界點,當流體通過該界線後因為相變化 (Phase transition) 導 致包括軸向速度分佈、局部密度結構及能量等皆有明顯的變化。此外透過 不同收縮角度改變噴嘴模具的設計,然而並不會明顯的影響噴流的液柱及 液滴。此外提供一項重要的訊息,液柱的斷裂的情形主要由溫度來決定,
當溫度過低時需要較長的時間液滴才會發生斷裂;反之則會較快發生斷
裂,並且得到較短的斷裂長度。
圖 3-8 不同形狀之噴嘴示意圖 15