圖片

圖 1-1.1 膽固醇苯酯之化學結構。

(a) (b) (c)

圖 1-1.2 三種液晶之圖示：(a)向列型液晶，(b)層狀型液晶，(c)膽固醇型 液晶。

Homogeneous

• Rubbing process

Homogenous

Homogenous

Homeotropic

• Coated with surfactant

Homeotropic

Homeotropic PI

(a) (b)

圖 1-1.3 液晶的表面配向。(a)水平配向，(b)垂直配向。

1D 2D 3D

圖 1-2.1 光子晶體示意圖。

圖 1-3.1 電磁波頻譜與其應用。兆赫波發展相對其他波段晚，因此在工 業應用上極具淺力。

圖 1-3.2 美國聯邦通訊協議所訂定出的電磁波通訊使用規範。

第二章 圖片

0° 45°

MDA-00-3461 (Merck)

P A

R P

A R

圖 2-1.1 MDA-00-3461 樣品在正交偏振片下旋轉 0 度與 45 度的亮暗變 化。

圖 2-2.1 排列出來的六角孔洞結構示意圖。

圖 2-2.2 將金屬針插入孔洞結構

示意圖 實際照片

9.3mm 9.3mm

20.5mm

6mm

圖 2-2.3 製作完成之金屬光子晶體

(a) (b)

圖 2-2.4 (a)側向拍攝位置示意圖，(b)在顯微鏡下拍攝到的圖。

1 mm

10 mm 10 mm

21 mm

圖 2-2.5 石英玻璃盒。

圖 2.2.6 包含液晶之金屬光子晶體樣品圖。

Femtosecond pulse

THz wave

Bias voltage V

G

L W

G = 5 m L = 20 m W = 10 m

圖 2-3.1 Grischkowsky 形式之光導偶極天線與兆赫波激發示意圖。

圖 2-3.2 低溫成長之砷化鎵能帶圖。

BS Detector

Emitter Delay Stage

Parabolic mirror

Parabolic mirror Function generator

Lock-in amplifier

Femtosecond laser λ: 820 nm Pulse width: 60 fs

圖 2-3.3 兆赫波系統圖。

Wave vector

價帶

導帶

0.3 eV 0.46 eV

L

Energy

Γ

1.43 eV

X

Wave vector

價帶

導帶

0.3 eV 0.46 eV

L

Energy

Γ

1.43 eV

X

0 10 20 30 40 50 60 70 80 -0.001

0.000 0.001 0.002 0.003

THz field (a.u.)

Delay time (ps)

air R.H. 50%

N₂ R.H. 3%

圖 2-3.4 兆赫波時域圖形，圖中黑色線與紅色線分別代表排除水氣前

（R.H. 50%）與排除水氣後（R.H. 3%）。

圖 2-3.5 兆赫波頻域圖形，圖中黑色線與紅色線分別代表排除水氣前

（R.H. 50%）與排除水氣後（R.H. 3%）。

0 2 4 6 8

10^-19 10^-18 10^-17 10^-16 10^-15 10^-14 10^-13 10^-12 10^-11 10^-10

Power (a.u.)

Frequency (THz)

air

N2 purged

THz wave

圖 2-4.1 放置磁鐵之壓克力架。

θ

Polarization

THz wave

y x

z

N S

N S

y

z

圖 2-4.2 磁控系統示意圖。

圖 2-5.1 電磁波在二維光子晶體的 TE 波與 TM 波之定義。

M K Γ

Normal incident: Γ – M Side incident: Γ - K

圖 2-5.2 二維六角晶格光子晶體之布里元區與對稱點的方向定義。

圖 2-5.3 電磁波在不同的入射方向與偏振方向下的量測。

THz field (a.u.)

Delay time (ps) reference signal

0 1 2 3 4 5 6

Power (a.u.)

Frequency (THz) FFT of reference signal

FFT

Reference signal

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Frequency (THz)

0 1 2 3 4 5 6

Power (a.u.)

Frequency (THz) FFT of sample signal

FFT

Sample signal

sample

THz field (a.u.)

Delay time (ps) sample signal

圖 2-5.4 穿透率訊號計算表示圖。

第三章 圖片

(b) Two substrates

(a) cell with two substrates

m=0

THz beam

n~A

THz beam

nA

圖 3-2.2 二維 Yee 晶格(a)TE 波，(b)TM 波。

10¹ 10² 10³ 10⁴

10⁰ 10¹ 10² 10³ 10⁴ 10⁵ 10⁶

-₁

-  and 2

Frequency,  (cm^-1)

₂

圖 3-3.1 鎳金屬在不同波段下的相對介電係數。

10¹ 10² 10³ 10⁴ 10⁰

10¹ 10² 10³

n and

Frequency,  (cm^-1)

 n

圖 3-3.2 鎳金屬在不同波段下的折射率。

(5300, -4700) z

x (x, z)

(5300, 5300)

(-4700, -4700) (-4700, 5300)

(321, 5000)

(321, -4300)

Normal incident

(-4400,278) Side incident

(5000,278)

Software:

Rsoft Photonics CAD Suite

in unit of μm

圖 3-3.3 模擬的結構圖。

10 20 30 40 50

THz field (a.u.)

Delay time (ps)

Exp

THz field (a.u.)

Delay time (ps)

Sim

Power (a.u.)

Frequency (THz)

FFT of Exp

Power (a.u.)

Frequency (THz)

FFT of Sim

(a) (b)

圖 3-3.5 兆赫波頻域訊號(a)實驗結果，(b)模擬結果。

第四章 圖片

0 10 20 30 40 50 60

-0.0004 -0.0002 0.0000 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.0010 0.0012

T H z f ie ld ( a .u .)

Delay time (ps)

N2 purged (reference) fused silica - 1 mm fused silica - 3 mm

圖 4-1.1 石英玻璃的兆赫波時域訊號。

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

-0.01 0.00 0.01 0.02



Frequency (THz)

1.90 1.92 1.94 1.96 1.98

2.000.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

fused silica - 1mm

n

圖 4-1.2 厚度為 1mm 之石英玻璃折射率分析結果。

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

-0.01 0.00 0.01 0.02



Frequency (THz)

1.90 1.92 1.94 1.96 1.98

2.000.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

fused silica - 3mm

n

圖 4-1.3 厚度為 3mm 之石英玻璃折射率分析結果。

Reference wave

O-wave  n

_o

(f )

E-wave  n

_e

(f )

t

_e

t

_o

reference cell

LC cell

LC cell

圖 4-1.4 液晶折射率量測示意圖。

10 20 30 40 50 60 -0.0004

-0.0002 0.0000 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.0010

T H z f ie ld ( a .u .)

Delay time (ps)

N₂ purged Reference cell MDA-00-3461 - n_e MDA-00-3461 - n

o

23 24 25 26 27 28 29 30

-0.0004 -0.0002 0.0000 0.0002 0.0004

0.0006 Reference cell

MDA-00-3461 - n_e MDA-00-3461 - n_o

THz field (a.u.)

Delay time (ps)

圖 4-1.5 液晶樣品與參考樣品的時域訊號。

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0

2 4 6 8 10

phase difference

Frequency (THz)

n

e

n

o

圖 4-1.6 液晶樣品在尋常光與非尋常光下與參考樣品的相位差。

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0.00

0.02 0.04 0.06 0.08



Frequency (THz)

1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9

2.00.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

e

o

no

n

MDA-00-3461 @ 24.5C ne

圖 4-1.7 向列型液晶 MDA-00-3461 實部與虛部折射率分析結果。

14 16 18 20 22

-0.0015 -0.0010 -0.0005 0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020 0.0025 0.0030 0.0035

T H z f ie ld ( a .u .)

delay time (ps)

Aperture - 9mm Aperture - 7mm Aperture - 5mm Aperture - 3mm Aperture - 1mm

圖 4-2.1 不同光圈大小下兆赫波時域圖形。

0 1 2 3 4 5 6 10^-20

10^-18 10^-16 10^-14 10^-12 10^-10

P o w e r

Frequency (THz)

Aperture - 9mm Aperture - 7mm Aperture - 5mm Aperture - 3mm Aperture - 1mm

圖 4-2.2 不同光圈大小下兆赫波頻域圖形。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

Normal incident TE mode

圖 4-2.3 實驗中金屬光子晶體在不同光圈大小下正向入射 TE 波之穿透 頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Normal incident TM mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.4 實驗中金屬光子晶體在不同光圈大小下正向入射 TM 波之穿透 頻譜圖。

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Side incident TE mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.5 實驗中金屬光子晶體在不同光圈大小下側向入射 TE 波之穿透 頻譜圖。

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Side incident TM mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.6 實驗中金屬光子晶體在不同光圈大小下側向入射 TM 波之穿透 頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.7 模擬中金屬光子晶體在不同光圈大小下正向入射 TE 波之穿透 頻譜圖。

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Normal incident TM mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.8 模擬中金屬光子晶體在不同光圈大小下正向入射 TM 波之穿透 頻譜圖。

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Side incident TE mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.9 模擬中金屬光子晶體在不同光圈大小下側向入射 TE 波之穿透

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Side incident TM mode

Transmittance

Frequency (THz)

Aperture - 1mm Aperture - 3mm Aperture - 5mm Aperture - 7mm Aperture - 9mm

圖 4-2.10 模擬中金屬光子晶體在不同光圈大小下側向入射 TM 波之穿透 頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode

Transmittance

Frequency (THz)

Experimrnt Simulation

圖 4-2.11 金屬光子晶體在光圈大小為 5 mm 下正向入射 TE 波實驗與模 擬比較。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Normal incident TM mode

Transmittance

Frequency (THz)

Experiment Simulation

圖 4-2.12 金屬光子晶體在光圈大小為 5 mm 下正向入射 TM 波實驗與模 擬比較。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Side incident TE mode

Transmittance

Frequency (THz)

Experiment Simulation

圖 4-2.13 金屬光子晶體在光圈大小為 5 mm 下側向入射 TE 波實驗與模

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Side incident TM mode

Transmission

Frequency (THz)

Experiment Simulation

圖 4-2.14 金屬光子晶體在光圈大小為 5 mm 下側向入射 TM 波實驗與模 擬比較。

(5300, -4700) z

x (x, z)

(-4700, -4700) (-4700, 5300)

(321, 5000)

A: (321, -4300) B_L: (0, -4300) BR: (642, -4300) C_L: (-642, -4300) CR: (1284, -4300)

A B_L B_R

C_L C_R

Software:

Rsoft Photonics CAD Suite

in unit of μm

(5300, 5300)

圖 4-2.15 改變兆赫波入射位置之模擬結構圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmission (a.u.)

Frequency (THz)

Position: A Position: B_L Position: B

R

Position: C_L Position: C

R

Normal incident TE mode - Aperture: 1mm

圖 4-2.16 光圈為 1 mm 下兆赫波於不同入射位置之穿透頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode - Aperture: 3mm

Transmission (a.u.)

Frequency (THz)

Position: A Position: B

L

Position: B_R Position: C_L Position: C

R

圖 4-2.17 光圈為 3 mm 下兆赫波於不同入射位置之穿透頻譜圖

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode - Aperture: 5mm

Transmission (a.u.)

Frequency (THz)

Position: A Position: B_L Position: B

R

Position: C_L Position: C

R

圖 4-2.18 光圈為 5 mm 下兆赫波於不同入射位置之穿透頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode - Aperture: 7mm

Transmission (a.u.)

Frequency (THz)

Position: A Position: B

L

Position: B_R Position: C_L Position: C

R

圖 4-2.19 光圈為 7 mm 下兆赫波於不同入射位置之穿透頻譜圖。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode - Aperture: 9mm

Transmission (a.u.)

Frequency (THz)

Position: A Position: B_L Position: B

R

圖 4-2.20 光圈為 9 mm 下兆赫波於不同入射位置之穿透頻譜圖。

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100110120130140 -0.0015

-0.0010 -0.0005 0.0000 0.0005 0.0010 0.0015 0.0020 0.0025

4 3

T H z f il e d ( a .u .)

2

Delay time (ps)

N₂ purged Reference

1

圖 4-3.1 石英玻璃盒與未放置樣品之兆赫波時域訊號。

0 1 2 3 4 5 6

Pow er (a. u. )

Frequency (THz)

N2 purged

Reference (no cut) Reference (cut)

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

Reference (no cut) Reference (cut)

Power (a.u.)

Frequency (THz)

圖 4-3.2 石英玻璃與未放置樣品之兆赫波頻域訊號，紅線代表時域訊號

Frequency (THz)

0 20 30 40 90

0.10 0.15 0.20 0.25 0.30

0.0

Frequency (THz)

Normal incident TE mode - experiment result

圖 4-3.3 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TE 波之穿透率頻譜圖實驗 結果。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Frequency (THz)

0 20 30 40 90

0.10 0.15 0.20 0.25 0.30

0.0

Normal incident TE mode - simulation result

0

Frequency (THz)

圖 4-3.4 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TE 波之穿透率頻譜圖模擬

Frequency (THz)

Exp Sim

0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.0

Frequency (THz)

圖 4-3.5 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TE 波在磁場角度為 0 度時

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmittance

Frequency (THz)

Exp Sim

0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Normal incident TE mode - 

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.6 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TE 波在磁場角度為 90 度時 實驗和模擬之比較。

1.52 1.56 1.60 1.64 1.68 1.72

0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19

0.20 Normal incident TE mode

Band gap position (THz)

effective index of LC

Exp (band gap left side) Sim (band gap left side) Exp (band gap right side) Sim (band gap right sidet)

圖 4-3.7 包含液晶之金屬光子晶體在正向入射 TE 波下所得之光子能隙 頻率位置與液晶折射率之關係。

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

1.0 Normal incident TE mode

0.1868 THz

Transmittance

Frequency (THz)

Without LC n_e

no

0.3442 THz

0.1904 THz

圖 4-3.8 金屬光子晶體在加液晶前後之穿透率頻譜圖之比較。

1.52 1.56 1.60 1.64 1.68 1.72

0.195 0.200 0.205 0.210 0.215 0.220 0.225 0.230 0.235 0.240

0.245 Normal incident TE mode

Gaussian peak position (THz)

effective index of LC

Exp Sim

圖 4-3.9 正向入射 TE 波，經由高斯分配函數擬合之訊號峰值位置與液 晶折射率之關係。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Frequency (THz)

0 20 30 40 90

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40

0.00

Normal incident TM mode - experiment result Normal incident TM mode - experiment result

0

Frequency (THz) peak 1

Frequency (THz)

0 20 30 40 90

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.0

Normal incident TM mode - simulation result

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.11 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TM 波之穿透率頻譜圖模擬 結果。

1.52 1.56 1.60 1.64 1.68 1.72 0.16

0.18 0.20 0.22 0.24 0.26 0.28 0.30 0.32 0.34

Normal incident TM mode

Gaussian peak position (THz)

effective index of LC

exp (peak 1) sim (peak 1) exp (peak 2) sim (peak 2)

圖 4-3.12 正向入射 TM 波，經由高斯分配函數擬合之訊號峰值位置與液 晶折射率之關係。

Simulation Experiment

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

Frequency (THz)

Transmittance

Frequency (THz)

0.00 0.05 0.10

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50

Normal incident TM mode



Transmittance

圖 4-3.13 包含液晶之金屬光子晶體正向入射 TM 波在磁場角度為 0 度時

Simulation

Experiment

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8

Frequency (THz)

Transmittance

Frequency (THz)

0.00 0.05 0.10

0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50

Normal incident TM mode



Frequency (THz)

0 20 40 90

0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50

0.00

Side incident TE mode - experiment result

0 20 40 90

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.15 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TE 波之穿透率頻譜圖實驗 結果。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Frequency (THz)

0 20 40 90

0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55

0.0

Side incident TE mode - simulation result

0 20 40 90

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.16 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TE 波之穿透率頻譜圖模擬 結果。

Simulation Experiment

0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60 0.0

Frequency (THz)

0.00 0.01 0.02 0.03

0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60

Side incident TE mode



Transmittance

圖 4-3.17 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TE 波在磁場角度為 0 度時 實驗和模擬之比較。

Simulation Experiment

0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8

Transmittance

Frequency (THz)

0.000 0.005 0.010

0.30 0.35 0.40 0.45 0.50 0.55 0.60

Side incident TE mode



Transmittance

圖 4-3.18 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TE 波在磁場角度為 90 度 時實驗和模擬之比較。

1.52 1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64 1.66 1.68 1.70 1.72 1.74 0.28

0.30 0.32 0.34 0.36 0.38 0.40 0.42 0.44 0.46 0.48

0.50 Side incident TE mode

Gaussian peak position (THz)

effective index of LC

exp (peak 1) sim (peak 1) exp (peak 2) sim (peak 2)

圖 4-3.19 側向入射 TE 波，經由高斯分配函數擬合之訊號峰值位置與液 晶折射率之關係。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

Frequency (THz)

0 20 40 90

0.15 0.20 0.25 0.30

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20

Side incident TM mode - experiment result

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.20 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TM 波之穿透率頻譜圖實驗

Frequency (THz)

0 20 40 90

0.15 0.20 0.25 0.30

0.00 0.05 0.10 0.15 0.20

Side incident TM mode - simulation result

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-3.21 包含液晶之金屬光子晶體側向入射 TM 波之穿透率頻譜圖模擬 結果。

圖 4-4.1 折射油樣品與參考樣品示意圖。

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

0.00 0.02 0.04 0.06



Frequency (THz)

1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

Cell 1 Cell 2 Cell 3 Cell 4

n

圖 4-4.2 四種折射油之兆赫波段下折射率與頻率之關係。

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 0.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmittance

Frequency (THz)

n = 1.689 n = 1.537

0.10 0.15 0.20 0.25 0.30

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Transmittance

Frequency (THz)

圖 4-4.3 正向入射 TE 波之金屬光子晶體浸潤於折射油之實驗結果。

1.52 1.56 1.60 1.64 1.68 1.72

0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 0.18 0.19 0.20

Band gap position (THz)

Refractive index

LC (band gap left side) LC (band gap right side) FDTD (band gap left side) FDTD (band gap right sidet) CRIL (band gap left side) CRIL (band gap right side)

圖 4-4.4 正向入射 TE 波之光子能隙位置與折射率之關係。

1.52 1.56 1.60 1.64 1.68 1.72 0.18

0.19 0.20 0.21 0.22 0.23 0.24

Gaussian peak position (THz)

Refractive index

LC RDTD CRIL

圖 4-4.5 正像入射 TE 波，經由高斯含數擬合所的之訊號峰值位置與折 射率之關係，圖為環境為液態晶體、折射油與模擬之比較。

在文檔中 包含液態晶體之磁控式可調制之金屬光子晶體於兆赫波段之研究 (頁 65-107)