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S

LC f,d

FP 代表在液晶層中的多次反射項(Fabry-Perot coefficient),可寫 成:

統中空氣的複折射率n~A= 1,從(3-10)式可以得到 2 個方程式以及 2 個 未知數ns、S。但是每個方程式裡面又有n~SnSi

S 這個未知數,

所以沒有辦法藉由這兩個方程式直接求出ns、S。但我們可以假設滿足 這 2 個方程式的ns、S只有一組,因此可以利用疊代法的方式將ns、S逼 近一個數值。

一開始先給定一組初始值帶入(3-10)式,就會得到另ㄧ組nS、S, 將得到的nS、S再帶入(3-10)式求一次nS、S,重覆此動作 20 次,

就可以得到在特定頻率下一組精確的折射率。用同樣的方法,便可以把 整個頻率波段下的折射率計算出來。

若假設液晶樣品的玻璃基版與參考樣品的玻璃基版厚度一樣,液晶 層的厚度與空氣層的厚度一樣,可由相位延遲公式:nkd知道,

兆赫波通過液晶樣品與參考樣品所造成的相位差為:

kd n nS A

LC (  )

 (3-11)

由(3-11)式可得

 

1

1 2  

fd

c nS kdLC LC

 (3-12)

(3-12)式即為一開始假設給定的初始值nS

因為電磁波通過液晶會因為被液晶吸收而強度下降,所以可以得到 下列關係式:

kd LC

e S

T (3-13)

由(3-13)式可得

(Faraday’s Law)與安培定律(Ampere’s Law)的形式:

t

Bx By Bz

B  , ,

,則(3-15a)式與(3-15b)式可改寫成只含純量之方程式:

z

   

   

     

x  y  zct  t



1

2 2

2 , (3-24)

因此,為了降低誤差,在空間的解析點必頇夠細,相對的時間的切割點 距也頇隨著變小以配合空間的解析點;但過細的切割間距也會造成計算 時間的拉長,因此必頇在計算的時間與精確度做一個平衡考量。

3-3 模擬結構與參數

在本實驗中用來模擬的軟體是由 Rsoft Design Group, Inc.公司所開 發出來的模擬設計套件,名為 FullWAVE,是一高度整合之複雜光子元 件模擬設計分析軟體。FullWAVE 使用的即是時域有限差分法做為模擬 分析方法,藉以分析結構較複雜之光子元件,例如光子晶體、環狀共振 器(ring resonators)等結構。

3-3-1 金屬材料折射率計算

在做模擬分析之前,頇知道材料的折射率才能做正確的分析,本實 驗中使用鎳金屬針做為光子晶體的針柱,使用 Drude dispersion model 根 據 M. A. Ordal 等人[43]所得到的參數,成功的計算出在兆赫波段下鎳的 折射率。

一般在紅外線波段,頻率所使用的單位常為 cm-1,因此在這之後的

relative dielectric constant)與複折射率的關係為:

1 21



  , (3-31)

將已知的(ε1, ε2)在特定頻率下的值代入,即可得到,然後p可由下 式得到:

) )(

( 1 2 2

2

p   。 (3-32)

在 M. A. Ordal 發表 的 期刊 上 [43], 作者 從實 驗中 得 到頻 率在 180-50000 cm-1的(ε1, ε2),利用試誤法(trial and error)從最低頻率開 始擬合 與p ,找出與實驗最接近的值與斜率,因此得到鎳金屬的

352 1

cm

與p 39400cm1

將上述的與p的值代入(3-27)式與(3-28)式,可以得到不同 頻率與相對介電常數值的關係圖,如圖 3-3.1。接下來,利用(3-25)式,

可以轉換成n、和1、2的關係式:

2

2 2 2 1

1  

  

n , (3-33)

2

2 2 2 1

1  

  , (3-34)

將得到的1與2代入(3-33)式與(3-34)式作圖,得到圖 3-3.2。最後,

在本論文的模擬中使用於 0.3 THz(10 cm-1)下 n = 463 的折射率值做計 算。

3-3-2 模擬計算參數

由於本論文所使用的樣品只在二維方向有週期性結構,因此使用二 維的時域有限差分法做計算以節省模擬所需的時間。模擬的電腦設備是 Intel Core2 Due E7400 2.8GHz、記憶體為 4G、作業系統為 Windows XP 32bit。

在模擬結構中建構出與實際樣品相同的結構,由圓型的針柱排列成 六角晶格的光子晶體,晶格常數為 642 μm,針柱的半徑為 143 μm,背 景折射率為空氣 n = 1,有液晶摻雜時則代入液晶的 neff的值。軟體中的 平面為 x、z 平面,長度單位為 μm,由圖 3-3.3 可知,在 z 方向上有 10 層的針柱列陣,每一層又有 8 個針柱,而針柱折射率的設定是由 3-3-1 節所得到的 n = 463 代入。另外實驗中提到的正向入射則是在位於(x, z)

=(321, -4300)往+z 軸方向上發射兆赫波,位於(321, 5000)放置偵測 器接收兆赫波;而側向入射則是在位於(5000, 278)的位置上,往-x 軸 方向上發射兆赫波,位於(-4400, 278)放置偵測器接收兆赫波。邊界計 算的設定總範圍大小為10000 μm10000 μm,切割格點為 10 μm10 μm,

時間切割為 0.016 ps 小於(3-24)式所計算出來的穩定切割時間(0.047 ps)。

入射的兆赫波以脈衝波(Pulse)做模擬,其數學表示式為:

 



 





 

 

 

2

2 2

sin exp

)

( t t t ct

t

g d

 , (3-35)

模擬中設定 λ = 500 μm 使中心波長落在 0.6 THz 附近; 為脈衝時間,決 定脈衝波訊號衰減的時間長度,間接影響頻域訊號的寬度,在這個參數 上設定為 167(此軟體所使用的時間單位為 c0T [μm], c0為光速);td為脈 衝訊號開始衰減的時間,因不影響模擬結果,所以使用軟體預設值

667

td (單位為 c0T)c為線性調頻(chirp coefficient),指頻率隨著時 間而改變的值,設定為 0。當同時比較模擬和實驗的兆赫波時域訊號(圖 3-3.4)和頻域訊號(圖 3-3.5),可以發現最大訊號皆位於 0.6 THz 左右,

且頻寬皆在 3 THz 左右,在訊噪比方面模擬訊號表現較好,但也預測了 模擬所得到的結果應會比實驗來的可信。

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