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天線陣列原理

第三章 微波電路之設計基礎理論

3.3 天線陣列原理

3.3.1 傳輸線模型

對於矩形的貼片天線(Patch Antenna)最簡單的分析方式是使用傳輸線理論,將貼 片天線視為兩條平行且具有輻射能力的槽孔。換言之,矩形的貼片天線是依靠兩邊的 漏電場輻射,如圖 3.6 ;而漏電場會影響貼片天線的長度,因此半波長的貼片天線長 度一般會略小於介質基板中的半波長。在傳輸線模型的分析中,可將矩形貼片天線視 為一段長度為半波長,且端點為開路的傳輸線。

W X

Z Y

L

h Patch

Substrate εr

Ground Plane

W

MS L Feed

Slot #1 Slot #2

E

Y

X Patch

Feed

Patch Z

θ

圖 3.6 矩形微帶貼片天線模型

利用傳輸線模型來分析貼片天線,其共振頻率如式(3.3-1)所示。在實際考量上,

漏電場的存在會讓貼片天線的長度比實際所見略長。式中的參數 q 在同樣的基板以及 頻率範圍下是一定值,而此值會影響計算之共振頻率的準確性。

r

r l

q c

f = 2 ε (3.3-1)

3.3.2 共振腔模型

雖然傳輸線模型用於分析貼片天線方便又容易,但還是有一些限制,傳輸線模型 忽略了饋入端的漏電場不連續,而這樣的缺點與限制在共振腔模型中將能得到解決。

在共振腔模型中,可將貼片天線視為一個由平行金屬面與磁牆組成的 TMz 模態共振 腔。當然,因為一些未輻射的能量與輸入阻抗,使得這只是一個近似的模型,若要精 確的計算,必須把正切損耗與完整的邊界條件都列入考慮。

3.3.3 微帶天線

(higher order mode)此時並未計及。因此定義了有效的介電常數εe(effective microstrip permittivity),其數學式子如下:

在前面已經討論了傳輸線在邊緣的效應,在另一方面電場在每隔半波長其方向將變 積變大的關係,所以天線頻寬變大,然而寬度W若太大將造成較高次模(higher order mode) 的產生,例如:使用同軸纜線在寬度的中心饋入,避免產生TM01模(W不滿足二分之一

微帶天線的頻寬、品質因數Q 與 VSWR 的關係如下: o

一般選擇較厚而且介電係數較低的基板,能夠有較好的輻射效率與較大的頻寬,

但若厚度過高將會激發表面波,使得輻射效率降低。

如前所提到的,無論在傳輸線模型或者是共振腔模型中,貼片天線等效為兩個平 行且具輻射能力的槽孔,圖 3.7 所示為貼片天線所形成的 E-plane 與 H-plane 的輻射 場型。

φ

Radiation due to slot2 Total radiation pattern

Radiation due to slot1

Y X

(a)E-plane 輻射場形

Z Total radiation pattern

θ X

(b) H-plane 輻射場形 圖 3.7 貼片天線輻射場型

在微帶天線的設計中,其饋入方式對於天線的特性有相當大的影響,其中較為常 見的幾種如圖 3.8 所示:

(a) probe feed

Δl

(b) Microstrip edge feed with quarter-wave transformer

(b) Aperture couple feed (c) Microstrip feed with inset

L

A 輻射能力之槽孔可等效成一個電導(Conductance) G 以及一個電納(Susceptance) B 並 聯,而傳輸線與微帶天線部份則視為寬度不同之傳輸線,因此兩傳輸線之間的不連續 效應已兩個電抗(Reactance)X1、X2 來等效,因此等效模型如圖 3.9 所示。

Z

line

Z

line

3.3.6 陣列因子

r r-dsinθ r-2dsinθ r-(N-1)dsinθ

0 1 2 N-1

V

0

V

1

V

2

V

N-1

皆為全向性天線(即G( θ ) =1),則陣列天線將包含三個主波束。如此功率會散往 三個方向,而無法集中所以在設計時,d<λ才不會兩個以上之主波束。

整個天線陣列可看成是一個天線,叫做“陣列天線"。此陣列天線的府輻射電場 大小可寫成

( )

0 G

( ) ( )

θ f0 ψ r

V r N

E = (3.3-26)

0

0 sin + =

= θ α

ψ k d (3.3-27)

因此理想上在天線的正上方是各個天線的增益相加,其場型的計算如下:

陣列天線的輻射場型=G

( ) ( )

θ F0 θ =單一天線的輻射場型(G(θ))×陣列因數

(

F0

( )

θ

)

3.3.7 錐線(Tapered line)能量分佈

我們知道饋入天線的能量不同時會使得旁束波程度(side-lobe level)和指向性

(Directivity)受到改變,例如使用二項式分佈,它的旁束波程度是最小,但是它的主 波束是最寬的,並且也指向性不好,要使用二項式分佈,功率分配是很大的考驗,功率 不易正確的分配。另外還有 Taylor 及 Tschebyscheff 等的分佈。

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