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存在二能級系統的相關討論

第四章 實驗結果與分析

4.4 存在二能級系統的相關討論

本實驗室黃旭明學長曾對Cu93Ge4Au3薄膜系統,做相位相干時間

τ

ϕ隨溫度

T 變化來分析研究,而結果發現相位維持時間

τ

ϕ對溫度 T 的關係有一平台出現,

直到溫度0.4 K 以下即開始往上劇烈增加。此相關研究指出,Cu93Ge4Au3薄膜很 有可能存在二能級系統。為此,本篇論文實驗結果有諸多難以理解的部分,有可 能為二能級系統存在所造成。

首先,第一個無法解釋的地方是從

α

T

( B = T 0 ) = 1 . 26 ± 0 . 05

開始,4.2.1 節有 充分討論

α

T

= 1

的合理性,因此我們懷疑尚存在除了弱局域效應和電子—電子交 互作用以外的機制,對低溫電阻造成影響。又有外加磁場所求得的

05 . 0 13 . 1 ) 4

( B = T = ±

α

T ,雖然

α

T值較沒有加磁場來的小,但仍舊大於1。因此 我們可以往兩方面思考︰第一方面是此系統存在兩種機制,受外加磁場影響的機 制和不受外加磁場影響的機制,而不受外加磁場影響又對二維低溫電阻有

T b a

R∝ − log 影響的機制,此機制就有可能為樣品中存在二能級系統所造成;

第二方面為系統中僅存在受外加磁場影響的機制,

α

T

( B = 4 T )

仍舊大於1 的原 因可能為外加磁場還不夠大,而受外加磁場影響又對二維低溫電阻有

T b a

R∝ − log 影響的機制,此機制就有可能為樣品中存在磁性雜質,造成近藤 效應(Kondo effect)。

厚度為1500 Å 和 3000 Å 的 Cu93Ge4Au3薄膜,其有無磁場的電阻對溫度的 關係中,於溫度10 K 到溫度約為 2 K 之間,電阻和溫度的關係為RablogT; 而溫度2 K 以下,電阻開始接近飽和,3000 Å 的 Cu93Ge4Au3薄膜其電阻對溫度 甚至可以分析擬合出一段

ρ

ab T 的關係。電阻隨著溫度下降先有對數溫度 的關係再有開根號溫度的關係,則此機制十分近似於第二章圖2-24 所討論,屬 於存在二能級系統對電阻造成的影響。將1500 Å 的 Cu93Ge4Au3薄膜加熱退火,

則電阻對溫度在低溫有開根號的關係不見,重新落回對數關係。若加熱退火對系 統是真實的,那麼加熱退火很有可能影響系統中能量差∆ 和近藤溫度

T

K之間的 關係,以至於加熱退火後只能測量到對數關係的那一段。而二能級系統是容易受 到加熱退火所影響,那麼存在二能級系統對電阻造成影響,又再度被列入考慮。

於測量電阻和磁場的關係中,150 Å 的 Cu93Ge4Au3薄膜所呈現的磁電阻,非 弱局域效應中存在自旋軌道散射導致磁電阻所能解釋,此部分還需要好好的研 究。而系統中若存在二能級系統,對磁電阻所造成的影響,還沒有一致且明確的 結果。因此,這部分還值得繼續研究。

第五章 結論

我們利用物理性薄膜沉積濺鍍法來製作Cu93Ge4Au3薄膜,且對一系列相同 厚度(150 Å)不同無序程度、和一系列不同厚度的樣品,進行低溫電性量測。

於溫度10 K 的電阻分析

k

F

l

值,歸結出此系統落在弱無序的範圍

(

k

F

≈ 5 ~ 55

)。電阻對溫度的關係於波茲曼傳輸理論預測應為殘餘電阻的部份,

溫度約為10 K 始展現電阻隨溫度下降而增加的非古典情形。厚度為 150 Å 的二 維Cu93Ge4Au3薄膜,其低溫下電阻隨溫度下降而增加的關係為RablogT, 對應到著名的弱局域理論和電子—電子交互作用對二維弱無序系統的預測。然 而,我們卻得到

α

T

≈ 1 . 3 > 1

的結果,非上述二理論所期望的值。因此,可能還存 在另一對低溫電阻修正且為RablogT的機制。和

α

T

( B = 0 T )

>

α

T

( B = 4 T )

相 呼應的磁電阻隨溫度的變化,意味著溫度越低、電阻受磁場的變化越小;溫度增 高、電阻受磁場的變化越大。此現象與弱局域效應中存在自旋—軌道散射導致磁 電阻的變化不同,而存在哪種物理機制引起此現象,還有待討論。

厚度為1500 Å 和 3000 Å 的 Cu93Ge4Au3薄膜,其低溫電阻對溫度的變化不 再只有對數關係,而是在較低溫部份脫離對數關係向下呈現飽和,由線性擬合分 析傾向此部份的關係為

Rab T

,且此關係會因為加熱退火而消失。是由於 電子—電子交互作用造成還是存在二能級系統的因素,目前尚無定論。從厚度 500 Å 以上的 Cu93Ge4Au3薄膜,其磁電阻變化量就不再隨著溫度改變,和厚度 150 Å 的樣品明顯不同。

樣品的無序程度和量子效應對電導修正的多寡相關。由實驗數據歸結出,當 Cu93Ge4Au3薄膜的

k

F

l ≥ 50

,則量子效應對低溫電導的修正小於萬分之二,幾乎 可以忽略。

本實驗室的黃旭明學長,曾對Cu93Ge4Au3薄膜作過電子波函數相位維持時 間

τ

ϕ對溫度 T 變化的研究,此相關研究結果提出此系列樣品存在二能級系統。

因此,本論文中存在眾多尚無法解釋的物理現象,和存在二能級系統是否有相 關,是很值得繼續研究的課題。

附錄

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