根據前一章所發展的法則，輔以巨集開發之基本工具，以及必要之教育訓練，於 九月中開始導入至案例生產現場。改善前後結果之比較與效益分析如下。
4.1 結果比較與分析
4.1.1 案例薄膜電晶體陣列廠達交率趨勢分析
收集案例薄膜電晶體陣列廠 Q3 ~ Q4 之主生產排程達交率 CLIP 資料加以分析趨 勢，細節請另參見附錄附表 B1- 1 ~ 附表 B1- 6 ，彙整如圖 4- 1 所示，以改善前
(W227~W237) 、改善後 (W238~W252) 分組來比較，對於主生產排程目標之平均週 ( 當月累計目標 ) 達交率，案例薄膜電晶體陣列廠實際績效由 64.2% 成長到 86.4% ， 提升了 22.2 個百分比 ( 代表10支產品中比過去平均增加 2.2 支產品，平均有 8.64 支產 品可達成生產目標 ) 。
圖 4- 1 案例薄膜電晶體陣列廠Q3~Q4排程達交率 CLIP 趨勢圖
4.1.2 達交率改善顯著性統計檢定分析
進一步以基本統計工具加以檢定前述之改善結果與改善前是否有顯著差異，參考 附錄附圖 C1- 1 Hypothesis Testing Roadmap 【38】，以下列檢定程序逐步確認：
1. 常態測試—群組資料 (W227~237) & 群組資料 (W238~W252) ：
首先對改善前後兩組達交率數據檢定其分別是否為常態以利後續檢定方式判斷。
圖 4- 2 TFT Array 排程達交率常態檢定 (Minitab): 導入改善前
圖 4- 3 TFT Array 排程達交率常態檢定 (Minitab): 導入 DBR 現場排程後 如圖 4- 2 、 4- 3 所示兩者檢定結果p-value分別為 0.853 與 0.096 均大於 0.05 ，無 法拒絕資料為常態，可以 2-sample t 檢定平均數是否顯著差異 (須先確認變異數 ) 。
2. 二元變異數檢定—群組資料 (W227~237) & 群組資料 (W238~W252) ：
如圖 4- 4 所示，在檢定確實有顯著改善前，須先確認兩者變異程度是否一致。
圖 4- 4 TFT Array 排程達交率變異數檢定 (Minitab): 導入前後 CLIP 比較
檢定結果 F-Test p-value為 0.033 小於 0.05 ，拒絕 H0 故兩者變異數有顯著差異。
3. 2-sample t 檢定—群組資料 (W227~237) & 群組資料 (W238~W252) ：
經過上述必要之前置統計資料檢定後，則針對改善前後之平均達交率進行檢定。
圖 4- 5 TFT Array 排程達交率 2-sample t 檢定 (Minitab): 導入前後 CLIP
如圖 4- 5 所示，檢定結果p-value為 0.003 小於 0.05 ，拒絕 H0 故表示兩者平均數 有顯著差異。
因此除了觀察其 DBR 現場排程導入後案例 TFT-LCD Array 的出貨達交率有提升 且穩定的趨勢外，同時依據檢定結果也進一步證實，達交率較過去確實有顯著改善。
4.2 案例薄膜電晶體陣列廠總產出趨勢分析
案例薄膜電晶體陣列廠應用 DBR 為基礎發展的現場排程後，根據TOC的管理核 心，由於目標在於使產能受限資源依照驅導節奏發揮最大的效能，因此本研究可以推 論，除了上述的個別產品達交率外，在系統的總產出應該也會因瓶頸資源效能發揮到 最大，在導入後比改善前有一定之成長與提升。同樣細節參見附錄附表 B1- 1 ~ 附表 B1- 6 之產出資料，透過彙整如圖 4- 6 所示，以改善前(7~9月 ) 、改善後(10~12月 ) 分組來比較，對於月總產出數量 ( 已均平準化為30天基準 ) ，案例薄膜電晶體陣列廠 實際績效由平均 118,390 大片成長到平均 124,528 大片，提升了 5.2 個百分點，以歷 史產能提升經驗來看，亦頗具成效 ( 過去每年目標挑戰10個百分點，而本次現場排程 改善至此約 3 個月餘即達 5.2 個百分點 ) 。
圖 4- 6 案例薄膜電晶體陣列廠 Q3~Q4 Output 趨勢圖
第五章 結論與未來研究方向