5-1 結構分析
首先會先用XRD與SEM對氧化鋅奈米柱進行結構分析，利用XRD分析氧化鋅奈 米柱沉積在基板上的晶格方向，最後在使用TEM觀察鈷在氧化鋅奈米柱表面的 附著情形。
5-1.1 XRD 分析
圖5.1 ITO基板、氧化鋅種子層和氧化鋅奈米柱陣列的XRD繞射圖。
圖5.2 鈷覆蓋10分鐘、20分鐘和30分鐘的XRD繞射圖[20]。
由圖5.1的XRD繞射圖可以看出，氧化鋅奈米柱有成功的沉積在ITO基板上，以氧 化鋅(002)晶格方向的繞射峰強度來看，其生長方向是垂直於基板表面，也就是 說氧化鋅奈米柱是直立於基板上，而圖5.2的XRD繞射圖則可以看到，隨著鈷的 厚度增加，氧化鋅(002)晶格方向的繞射峰強度稍微減少，但整體的晶格方向還 是維持在(002)方向，而在圖5.2的XRD繞射圖氧化鋅(002)峰值的底部中，疑似有 其他的晶向的繞射峰，推測應該是氧化鋅種子層的晶格繞射訊號與氧化鋅奈米柱 的晶格繞射訊號疊加所致。
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5-1.2 TEM 分析
(a) 鈷覆蓋10分鐘的氧化鋅奈米柱
圖5.3由此圖可明顯看到氧化鋅奈米柱在基板上的沉積方向。
圖5.4氧化鋅奈米柱表面鈷覆蓋的厚度[20]。
圖5.5氧化鋅奈米柱表面鈷的放大圖，明顯可以看到鈷顆粒的形狀，而不是連續 的膜面。
(b) 鈷覆蓋30分鐘的氧化鋅奈米柱
圖5.6鈷覆蓋30分鐘的氧化鋅奈米柱TEM影像[20]。
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圖5.7氧化鋅奈米柱表面鈷的放大圖，由此圖可看出氧化鋅奈米柱頂端的鈷厚度，
明顯大於鈷覆蓋10分鐘的樣品[20]。
由TEM的影像可以看出鈷覆蓋10分鐘與30分鐘的差別，鈷覆蓋10分鐘的樣品，
氧化鋅奈米柱上的鈷是以顆粒狀的方式附著，且氧化鋅奈米柱頂端的鈷厚度約只 有8nm，而鈷覆蓋30分鐘的樣品，其氧化鋅奈米柱上的鈷則明顯是以連續膜狀包 覆，頂端的厚度為17nm，約為鈷覆蓋10分鐘樣品的2倍厚，而在側邊覆蓋率的部 分，30分鐘樣品的覆蓋率明顯大於10分鐘的樣品。
5-2 磁光特性量測
本節主要是利用MCD分別量測，純氧化鋅奈米柱、鈷覆蓋10分鐘、20分鐘以及 30分鐘的樣品，利用MCD的磁光訊號，比較不同條件的鈷覆蓋，對氧化鋅奈米 柱磁光特性的影響。
5-2.1 純氧化鋅奈米柱陣列
圖5.8氧化鋅奈米柱在不同磁場下的MCD訊號變化。
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圖5.9純氧化鋅奈米柱0.8T的MCD訊號與dK/dE對應圖。
圖5.10純氧化鋅奈米柱在364nm(~3.4eV)下，MCD對磁場對應圖。
由不同磁場下的MCD訊號圖(圖5.8)、 MCD與dKdE對應圖(圖5.9)可以看到，在 氧化鋅能帶(~3.4eV)附近有一個隨磁場變化的MCD訊號，從MCD對磁場對應圖 (圖5.10)來看，此訊號應該是由於磁場下基曼效應所造成的自旋偏極化的影響，
而呈現出類似於順磁性的MCD對磁場的曲線。之後再以純氧化鋅奈米柱的數據 當作對照，比較在覆蓋鈷之後，其磁光特性的變化。
5-2.2 鈷覆蓋後的氧化鋅奈米柱 (a)鈷覆蓋10分鐘的氧化鋅奈米柱
圖5.1110分鐘樣品在不同磁場下的MCD訊號變化。
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圖5.12 10分鐘樣品0.8T的MCD訊號與dK/dE對應圖[20]。
圖5.13 10分鐘樣品在364nm(~3.4eV)下，MCD對磁場對應圖。
(b) 鈷覆蓋20分鐘的氧化鋅奈米柱
圖5.14 20分鐘樣品在不同磁場下的MCD訊號變化。
圖5.15 20分鐘樣品0.8T的MCD訊號與dK/dE對應圖。
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圖5.1620分鐘樣品在364nm(~3.4eV)下，MCD對磁場對應圖。
(c) 鈷覆蓋30分鐘的氧化鋅奈米柱
圖5.17 30分鐘樣品在不同磁場下的MCD訊號變化。
圖5.18 30分鐘樣品0.8T的MCD訊號與dK/dE對應圖[20]。
圖5.19 30分鐘樣品在364nm(~3.4eV)下，MCD對磁場對應圖。
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